萬芯元件常用MOSFET AOS替換表
標(biāo)簽： 萬芯元件
上傳時(shí)間： 2013-11-01
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基于rm6203,6222,6401的LED實(shí)用驅(qū)動(dòng)電源含pc版，原理圖，資料及元件清單
上傳時(shí)間： 2013-12-25
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磁性元件特性簡介
上傳時(shí)間： 2013-11-25
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漏電保護(hù)器的工作原理：漏電保護(hù)器主要包括檢測元件(零序電流互感器)、中間環(huán)節(jié)(包括放大器、比較器、脫扣器等)、執(zhí)行元件(主開關(guān))以及試驗(yàn)元件等幾個(gè)部分。三相四線制供電系統(tǒng)的漏電保護(hù)器工作原理示意圖。TA 為零序電流互感器,GF 為主開關(guān),TL為主開關(guān)的分勵(lì)脫扣器線圈。在被保護(hù)電路工作正常,沒有發(fā)生漏電或觸電的情況下,由克希荷夫定律可知,通過TA 一次側(cè)的電流相量和等于零,即：這樣TA 的二次側(cè)不產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢,漏電保護(hù)器不動(dòng)作,系統(tǒng)保持正常供電。當(dāng)被保護(hù)電路發(fā)生漏電或有人觸電時(shí),由于漏電電流的存在,通過TA一次側(cè)各相電流的相量和不再等于零,產(chǎn)生了漏電電流Ik。在鐵心中出現(xiàn)了交變磁通。在交變磁通作用下,TL二次側(cè)線圈就有感應(yīng)電動(dòng)勢產(chǎn)生,此漏電信號(hào)經(jīng)中間環(huán)節(jié)進(jìn)行處理和比較,當(dāng)達(dá)到預(yù)定值時(shí),使主開關(guān)分勵(lì)脫扣器線圈TL 通電,驅(qū)動(dòng)主開關(guān)GF 自動(dòng)跳閘,切斷故障電路,從而實(shí)現(xiàn)保護(hù)。用于單相回路及三相三線制的漏電保護(hù)器的工作原理與此相同,不贅述。
上傳時(shí)間： 2013-10-19
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同步整流技術(shù)簡單介紹大家都知道，對(duì)于開關(guān)電源，在次級(jí)必然要有一個(gè)整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向?qū)щ娞匦裕梢岳斫鉃橐环N被動(dòng)式器件：只要有足夠的正向電壓它就開通，而不需要另外的控制電路。但其導(dǎo)通壓降較高，快恢復(fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可達(dá)1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降。這個(gè)壓降完全是做的無用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個(gè)例子：如有一個(gè)管子壓降為0.7V，其整流為12V時(shí)它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當(dāng)其為3.3V整流時(shí)，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導(dǎo)致電源效率降低，損耗產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致整流管進(jìn)而開關(guān)電源的溫度上升、機(jī)箱溫度上升--------有時(shí)系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個(gè)高溫所賜。隨著電腦硬件技術(shù)的飛速發(fā)展，如GeForce 8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V輸出電流各高達(dá)24A）的電源轉(zhuǎn)換器。而當(dāng)前世界的能源緊張問題的凸現(xiàn)，為廣大用戶提供更高轉(zhuǎn)換效率（如多核R80，完全符合80PLUS標(biāo)準(zhǔn)）的電源轉(zhuǎn)換器就是我們整個(gè)開關(guān)電源行業(yè)的不可回避的社會(huì)責(zé)任了。如何解決這些問題？尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術(shù)和通態(tài)電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個(gè)時(shí)刻走上開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的歷史舞臺(tái)了！作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線性關(guān)系。因?yàn)橛霉β蔒OSFET做整流器時(shí)，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動(dòng)式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過，這種復(fù)雜的控制要求得到的回報(bào)就是極小的電流損耗。在實(shí)際應(yīng)用中，一般在通過20-30A電流時(shí)才有0.2-0.3V的壓降損耗。因?yàn)槠鋲航档扔陔娏髋c通態(tài)電阻的乘積，故小電流時(shí)，其壓降和恒定壓降的肖特基不同，電流越小壓降越低。這個(gè)特性對(duì)于改善輕載效率（20%）尤為有效。這在80PLUS產(chǎn)品上已成為一種基本的解決方案了。對(duì)于以上提到的兩種整流方案，我們可以通過灌溉農(nóng)田來理解：肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點(diǎn)點(diǎn)被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召囈陨娴募Z食。我們的多核F1，多核R80，其3.3V整流電路采用了通態(tài)電阻僅為0.004歐的功率MOSFET，在通過24A峰值電流時(shí)壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時(shí)的3.3V電流為10A，則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V，損耗比例為0.04/4=1%，比之于傳統(tǒng)肖特基加磁放大整流技術(shù)17.5%的損耗，其技術(shù)的進(jìn)步已不僅僅是一個(gè)量的變化，而可以說是有了一個(gè)質(zhì)的飛躍了。也可以說，我們?yōu)橛脩粜藿艘粭l嚴(yán)絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。
標(biāo)簽： 同步整流
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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51單片機(jī)Atmel_AT89S52庫元件
標(biāo)簽： Atmel_AT 89 52 51單片機(jī)
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：zhouli
Protues 元件庫及其元件整理
標(biāo)簽： Protues 元件庫 元件 對(duì)照
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：無聊來刷下
proteus元件名稱對(duì)照表，很有用
上傳時(shí)間： 2013-10-20
上傳用戶：hjshhyy
ISIS_7_Professional元件庫列表及中英文對(duì)照合并版.doc
標(biāo)簽： Professional ISIS 元件庫 中英文對(duì)照
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶：zhouxuepeng1
Atmel公司8051架構(gòu)單片機(jī)Protel元件庫
標(biāo)簽： Protel Atmel 8051 架構(gòu)
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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