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表面組裝技術(shù)(shù)

  • 熱插拔解決方案符合AMC和MicroTCA標(biāo)準(zhǔn)

    LTC®4223 是一款符合微通信計算架構(gòu) (MicroTCA) 規(guī)範(fàn)電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器,該規(guī)範(fàn)於近期得到了 PCI 工業(yè)計算機(jī)制造商組織 (PICMG) 的批準(zhǔn)。

    標(biāo)簽: MicroTCA AMC 熱插拔 方案

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:我累個乖乖

  • 使用簡易閂鎖電路保護(hù)電源

    設(shè)計時需要過一款簡單、低成本的閂鎖電路 (latch circuit) ?圖一顯示的就是這樣一款電路,基本上是一個可控矽整流器(SCR),結(jié)合了一些離散組件,只需低成本的元件便可以提供電源故障保護(hù)。

    標(biāo)簽: 閂鎖電路 保護(hù)電源

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:zq70996813

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度,因此系統(tǒng)時脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

  • 芯片掃盲

    一.晶片的作用: 晶片為LED的主要原材料,LED主要依靠晶片來發(fā)光. 二.晶片的組成. 主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成.

    標(biāo)簽: 芯片

    上傳時間: 2013-12-10

    上傳用戶:離殤

  • MPP CCD暗電流溫度特性研究

    研究了MPP電荷耦合器件(CCD)暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性,并與非MPP CCD的暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性進(jìn)行了對比分析。研究結(jié)果表明,MPP CCD抑制了表面暗電流,相較于非MPP CCD具有較低的暗電流和暗電流非均勻性,可以承受更高的工作溫度。

    標(biāo)簽: MPP CCD 電流 溫度特性

    上傳時間: 2013-10-23

    上傳用戶:netwolf

  • Ag_AgCl電極的制備及電化學(xué)性能

    運用XRD、SEM、eDAQ電化學(xué)工作站和超低噪聲放大器,對樣品的相組成、顯微形貌及電化學(xué)性能進(jìn)行表征。結(jié)果表明:所制備的Ag/AgCl電極外觀形貌好,表面缺陷少,AgCl和Ag粉混合均勻。

    標(biāo)簽: Ag_AgCl 電極 電化學(xué) 性能

    上傳時間: 2013-10-29

    上傳用戶:jichenxi0730

  • 使用新電源模塊改進(jìn)表面貼裝可制造性

    The latest generation of Texas Instruments (TI) boardmountedpower modules utilizes a pin interconnect technologythat improves surface-mount manufacturability.These modules are produced as a double-sided surfacemount(DSSMT) subassembly, yielding a case-less constructionwith subcomponents located on both sides of theprinted circuit board (PCB). Products produced in theDSSMT outline use the latest high-efficiency topologiesand magnetic-component packaging. This providescustomers with a high-efficiency, ready-to-use switchingpower module in a compact, space-saving package. Bothnonisolated point-of-load (POL) switching regulators andthe isolated dc/dc converter modules are being producedin the DSSMT outline.TI’s plug-in power product line offers power modules inboth through-hole and surface-mount packages. The surfacemountmodules produced in the DSSMT outline use asolid copper interconnect with an integral solder ball fortheir

    標(biāo)簽: 電源模塊 可制造性 表面貼裝

    上傳時間: 2013-10-10

    上傳用戶:1184599859

  • NIP型非晶硅薄膜太陽能電池的研究

    采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。

    標(biāo)簽: NIP 非晶硅 薄膜太陽能電池

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:wanqunsheng

  • 金屬的外加電流陰極保護(hù)法

    金屬的化學(xué)腐蝕是由于金屬與電解質(zhì)溶液接觸時,金屬表面的各個部位存在著一定的電位差,形成腐蝕原電池,其中電位較低的部份成為陽極,電位較高的部位成為陰極,電子在金屬中由陽極流向陰極,而電解質(zhì)中的陰極去極化劑(例如0:、H )將電子從陰極除去,因此陽極不斷溶解M +M。 e,使腐蝕不斷繼續(xù)下去,

    標(biāo)簽: 金屬 電流 陰極保護(hù)

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:wdq1111

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