基于CPLD／FPGA的可編程邏輯器件，借助單片機AT89C51；利用標準頻率50～100MHz的周期信號實現系統計數的等精度測量技術。同時采用閘門測量技術完成脈寬,占空比的測量。
上傳時間： 2013-08-09
上傳用戶：yd19890720
PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setuppadsstacks
上傳時間： 2013-10-22
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電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術 ICT維修技術 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經驗及技術不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動態維修,危險性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費用高,維修時間長 對老化零件無從查起無法預先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負擔,客戶埋怨 投資大量維修設備,操作複雜,績效不彰
上傳時間： 2013-10-26
上傳用戶：neu_liyan
微弧氧化是一種新型的表面處理方法，利用該電路可輸出雙端不對稱的高壓脈沖，且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內連續可調。本文首先介紹了微弧氧化電源技術的發展現狀，然后對試驗中使用過的幾種IGBT驅動模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅動電路的結構、工作原理和使用性能做了詳細分析對比。實驗表明，Eupec系列的2ED300驅動電路結構簡單，可靠性高，適用于大功率微弧氧化電源的驅動。
上傳時間： 2014-01-21
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在越來越多的短時間能量存貯應用以及那些需要間歇式高能量脈衝的應用中，超級電容器找到了自己的用武之地。電源故障保護電路便是此類應用之一，在該電路中，如果主電源發生短時間故障，則接入一個後備電源，用於給負載供電
上傳時間： 2014-01-08
上傳用戶：lansedeyuntkn
LTC®3838 是一款雙輸出、兩相降壓型控制器，其采用一種受控恒定導通時間、谷值電流模式架構，可提供快速負載階躍響應、高開關頻率和低占空比能力。開關頻率范圍為 200kHz 至 2MHz，其鎖相環可在穩態操作期間保持固定頻率，并可同步至一個外部時鐘
上傳時間： 2013-11-09
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為了提高現有路燈的供電效率，開發設計了單燈恒流的供電模式，在每個路燈上安裝一個體積很小的的恒流源，以保障給LED燈提供穩定、高效的恒流供電。在恒流源模塊中，恒流源芯片HV9910B可以實現了高于70 V的電壓的輸入，在不同的輸入電壓下，恒流源芯片工作在恒定關斷模式下，控制輸出BUCK電路中的開關MOSE的占空比，以輸出恒定2.2 A的電流，LED燈串聯起來作為負載，效率達到了91%以上。
上傳時間： 2013-11-08
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本文主要研究了一種比較簡單的正弦輸出的逆變器的設計。本設計采用全橋逆變電路和用推挽升壓的方式獲得逆變器的直流輸入電壓的設計方法來獲得較大的輸出功率和較高的功率因數.在直流升壓過程中用PWM集成控制器輸出相位相反具有一定占空比的兩高頻脈沖電壓來控制開關管的導通與關斷，進而控制推挽升壓變壓器的輸出直流電壓，再利用SPWM調制信號控制逆變器開關管的導通與關斷，再用LC濾波濾掉逆變器輸出高頻部分，得到正弦波形，最后利用保護控制電路使逆變輸出一個穩定的滿足要求的交流波形。
上傳時間： 2013-10-20
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經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
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新型空調用PFC的設計
上傳時間： 2013-11-01
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