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藍(lán)牙音響

  • 一個用c編程的藍芽通訊範例程式,可修改ACL封包資料並傳送.

    一個用c編程的藍芽通訊範例程式,可修改ACL封包資料並傳送.

    標簽: ACL 程式 修改

    上傳時間: 2014-02-05

    上傳用戶:wangyi39

  • CSR公司的藍牙開發工具

    CSR公司的藍牙開發工具,,最新版本3.6,C語言。

    標簽: CSR

    上傳時間: 2013-12-19

    上傳用戶:zhoujunzhen

  • 交叉耦合控制(cross-coupling control)對誤差的影響

    交叉耦合控制(cross-coupling control)對誤差的影響

    標簽: cross-coupling control 交叉耦合 控制

    上傳時間: 2013-12-25

    上傳用戶:rishian

  • 在 Java EE 的藍圖中

    在 Java EE 的藍圖中,JSP Servlet是屬於Web層技術,JSP與Servlet是一體的兩面,您可以使用單獨一項技術來解決動態網頁呈現的需求,但最好的方式是取兩者的長處,JSP是網頁設計人員導向的,而Servlet是程式設計人員導向的,釐清它們之間的職責可以讓兩個不同專長的團隊彼此合作,並降低相互間的牽制作用。

    標簽: Java EE

    上傳時間: 2016-11-15

    上傳用戶:sxdtlqqjl

  • 藍芽電話簿範本

    藍芽電話簿範本,使用CSR晶片開發,包括伺服及客戶端應用。

    標簽:

    上傳時間: 2013-12-23

    上傳用戶:liuchee

  • WPAN藍牙技術 12頁 0.2M.pdf

    超聲,紅外,激光,無線,通訊相關專輯 183冊 1.48GWPAN藍牙技術 12頁 0.2M.pdf

    標簽:

    上傳時間: 2014-05-05

    上傳用戶:時代將軍

  • CSR35+HT2144藍牙音響原理圖.pdf

    CSR35+HT2144藍牙音響原理圖.pdf

    標簽: csr35 ht2144 藍牙音響

    上傳時間: 2022-07-28

    上傳用戶:wangshoupeng199

  • MOS開關管參數手冊

    ID 型號廠家用途構造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 東芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 東芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A

    標簽: MOS 開關管 參數

    上傳時間: 2013-10-10

    上傳用戶:13162218709

  • proe關系式大全

    用了還是沒用上的,大家都來看看啊,呵呵,希望對你會有所幫助   cos()余弦tan()正切sin()正弦sqrt()平方根 asin()反正弦acos()反余弦atan()反正切sinh()雙曲線正弦 cosh()雙曲線余弦tanh()雙曲線正切 注釋:所有三角函數都使用單位度。   log()以10為底的對數ln()自然對數 exp()e的冪abs()絕對值   ceil()不小于其值的最小整數 floor()不超過其值的最大整數 可以給函數ceil和floor加一個可選的自變量,用它指定要圓整的小數位數。帶有圓整參數的這些函數的語法是: ceil(parameter_name或number,number_of_dec_places) floor(parameter_name或number,number_of_dec_places) 其中number_of_dec_places是可選值: 1、可以被表示為一個數或一個使用者自定義參數。如果該參數值是一個實數,則被截尾成為一個整數。 2、它的最大值是8。如果超過8,則不會舍入要舍入的數(第一個自變量),并使用其初值。 3、如果不指定它,則功能同前期版本一樣。   使用不指定小數部分位數的ceil和floor函數,其舉例如下: ceil(10.2)值為11 floor(10.2)值為11   使用指定小數部分位數的ceil和floor函數,其舉例如下: ceil(10.255,2)等于10.26 ceil(10.255,0)等于11[與ceil(10.255)相同] floor(10.255,1)等于10.2 floor(10.255,2)等于10.26

    標簽: proe

    上傳時間: 2013-11-02

    上傳用戶:zhouli

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

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