介紹了晶閘管調速粗動裝原理, 分析了典型故障的原因
上傳時間： 2013-11-16
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電路連接 由于數碼管品種多樣，還有共陰共陽的，下面我們使用一個數碼管段碼生成器（在文章結尾） 去解決不同數碼管的問題： 本例作者利用手頭現有的一位不知品牌的共陽數碼管：型號D5611 A/B，在Eagle 找了一個 類似的型號SA56-11，引腳功能一樣可以直接代換。所以下面電路圖使用SA56-11 做引腳說明。 注意： 1. 將數碼管的a~g 段，分別接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的數碼管未知的話，可以通過通電測量它哪個引腳對應哪個字段，然后找出a~g 即可。 2. 分清共陰還是共陽。共陰的話，接220Ω電阻到電源負極；共陽的話，接220Ω電阻到電源+5v。 3. 220Ω電阻視數碼管實際工作亮度與手頭現有原件而定，不一定需要準確。 4. 按下按鈕即停。 源代碼 由于我是按照段碼生成器默認接法接的，所以不用修改段碼生成器了，直接在段碼生成器選擇共陽極，再按“自動”生成數組就搞定。 下面是源代碼，由于偷懶不用寫循環，使用了部分AVR 語句。 PORTD 這個是AVR 的端口輸出控制語句，8 位對應D7~D0，PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高電平。 PORTD = a;就是找出相應的段碼輸出到D7~D0。 DDRD 這個是AVR 語句中控制引腳作為輸出/輸入的語句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作為輸出腳了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 單數碼管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定義段碼表，表中十個元素由LED 段碼生成器生成，選擇了共陽極。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定義PortD 的低七位全部用作輸出使用。即0xFF=B11111111對 應D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用來做骰子暫停的開關 } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //將段碼輸出PortD 的低7位，即Arduino 的引腳D0~D6，這樣需要取出PORTD 最高位，即 D7的狀態，與段碼相加，之后再輸出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延時50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引腳高電平，則在此死循環,暫停LED 跑 動 } }
上傳時間： 2013-10-15
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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SCR三相調壓觸發電路已有不少設計與應用，文中提出了一種簡化的基于STM32的調壓觸發電路設計方案，并完成了系統的軟硬件設計。該設計主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性，只用三組觸發信號就可以達到控制六只晶閘管導通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個高性能定時器及周邊AD接口，完成了高精度觸發信號發生、PID控制調壓等功能。通過實驗表明該系統簡便可靠，達到了設計要求。
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：wfymay
晶閘管交流調功器主電路設計
上傳時間： 2013-12-13
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一種實用的晶閘管調速電路
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：youke111
4_10kV三相干式非晶合金變壓器專用技術規范
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：JamesB
數字電子技朮
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上傳時間： 2013-10-09
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上海晶豐明源半導體有限公司(Bright Power Semiconductor ) 是一家從事電源管理芯片設計和銷售的公司，公司主要產品是大功率LED驅動芯片.
上傳時間： 2013-10-16
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采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
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