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對於集成電路而言，汽車是一種苛刻的使用環境，這裡，引擎罩下的工作溫度範圍可寬達 -40°C 至 125°C，而且，在電池電壓總線上出現大瞬變偏移也是預料之中的事
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：zhaiye
熱陰極螢光燈(HCFL)發光原理 冷陰極螢光燈(CCFL)發光原理 產品特性 CCFL製程概述 產品結構
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：cknck
b+樹源碼，b+樹結構，刪除，插入，等值搜索，範圍搜索等功能
標簽：
上傳時間： 2015-03-23
上傳用戶：tianjinfan
S3C44B0X晶片的BOOTLOADER，結構簡單易懂，具有TFTP下載功能，使用ads運行。
標簽： BOOTLOADER S3C44B0X 晶片
上傳時間： 2015-03-31
上傳用戶：我們的船長
本章將介紹Windows CE 的儲存管理。我們將本章內容分為兩大部分，前半部會依序介紹 Windows CE的檔案系統類型、 Windows CE儲存管理結構和每一個層次、以及如何自行開發檔案系統並載入之，後半部則以Ramdisk上的檔案系統為例，實際分析儲存管理相關的原始程式碼與資料型態。
上傳時間： 2015-07-01
上傳用戶：685
JavaScript 和Java 除了在名字上有一點類似之外，JavaScript 也支援部分Java 的語法及基本的流程控制結構。不過，除此之外， 這兩者有結構性的差異。
標簽： JavaScript Java
上傳時間： 2016-05-28
上傳用戶：shanml
我們的注意焦點要轉到搜尋樹（search tree）了，要深度討論兩種標準的樹結構（tree structure），就是本章所要說明的二元搜尋樹（binary search tree）以及下一章所要討論的 AVL 平衡樹（AVL tree）。這兩種樹其資料都依序排列的，它們之間的差別只在於 AVL 是一種平衡樹，而二元搜尋樹卻不是。
上傳時間： 2013-12-27
上傳用戶：561596
二元搜尋樹簡單易懂，不過有一個問題：它並非平衡樹。本章將介紹平衡的 AVL 搜尋樹，討論它的資料結構、函式，並設計程式使用它。
標簽： 二元
上傳時間： 2017-05-30
上傳用戶：yzy6007
Boost C++ Libraries Free peer-reviewed portable C++ source libraries Boost C++ Libraries 基本上是一個免費的 C++ 的跨平臺函式庫集合，基本上應該可以把它視為 C++ STL 的功能再延伸；他最大的特色在於他是一個經過「同行評審」（peer review，可參考維基百科）、開放原始碼的函式庫，而且有許多 Boost 的函式庫是由 C++ 標準委員會的人開發的，同時部分函式庫的功能也已經成為 C++ TR1 (Technical Report 1，參考維基百科)、TR2、或是 C++ 0x 的標準了。 它的官方網站是：http://www.boost.org/，包含了 104 個不同的 library；由於他提供的函式庫非常地多，的內容也非常地多元，根據官方的分類，大致上可以分為下面這二十類： 字串和文字處理（String and text processing） 容器（Containers） Iterators 演算法（Algorithms） Function objects and higher-order programming 泛型（Generic Programming） Template Metaprogramming Preprocessor Metaprogramming Concurrent Programming 數學與數字（Math and numerics） 正確性與測試（Correctness and testing） 資料結構（Data structures） 影像處理（Image processing） 輸入、輸出（Input/Output） Inter-language support 記憶體（Memory） 語法分析（Parsing） 程式介面（Programming Interfaces） 其他雜項 Broken compiler workarounds 其中每一個分類，又都包含了一個或多個函式庫，可以說是功能相當豐富。
上傳時間： 2015-05-15
上傳用戶：fangfeng
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
