與傳統(tǒng)的徑向磁通圓柱式電機(jī)相比,軸向磁通的盤式無鐵心永磁同步電機(jī)有著許多明顯的優(yōu)點(diǎn):其結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單,加工及裝配費(fèi)用低,電機(jī)運(yùn)行可靠,不需勵(lì)磁電流,提高了電機(jī)的效率和功率密度。盤式電機(jī)永磁化是一種發(fā)展趨勢(shì),而稀土材料是其首選的永磁材料。我國(guó)已研制出盤式永磁同步電機(jī),但還處于試制階段,要實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化,還有許多研究課題亟待解決。 本文主要針對(duì)該電機(jī)的氣隙磁密進(jìn)行分析,對(duì)影響氣隙磁密的各種因素展開了研究。具體內(nèi)容如下: 1) 回顧了永磁電機(jī)的研究歷史、發(fā)展現(xiàn)狀和主要應(yīng)用,對(duì)永磁材料的性能及選取、聚磁技術(shù)、電機(jī)磁場(chǎng)計(jì)算所需理論和有限元軟件進(jìn)行了介紹。 2) 將電機(jī)內(nèi)的電磁場(chǎng)、有限元軟件和盤式無鐵心永磁電機(jī)特殊結(jié)構(gòu)相結(jié)合,設(shè)計(jì)出了近二十個(gè)有限元計(jì)算程序,組成一個(gè)針對(duì)盤式無鐵心永磁同步電機(jī)的計(jì)算軟件包,由這些計(jì)算程序出發(fā),對(duì)盤式無鐵心永磁同步電機(jī)進(jìn)行一系列仿真分析計(jì)算。 在繪制氣隙磁密三維分布圖時(shí),由于有限元軟件在繪圖方面的限制,需要將氣隙磁密數(shù)據(jù)從有限元軟件中導(dǎo)出到文本文件,再由其它數(shù)學(xué)工具進(jìn)行氣隙磁密的三維圖形繪制。在這一過程中由于導(dǎo)出數(shù)據(jù)格式與繪圖工具所需數(shù)據(jù)格式不能兼容,還需要對(duì)導(dǎo)出數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。由于有限元軟件導(dǎo)出的數(shù)據(jù)量很大,如果對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行人工整理將增加大量的工作量,所以作者在研究過程中,針對(duì)導(dǎo)出數(shù)據(jù)的特點(diǎn)編寫了一個(gè)Vb數(shù)據(jù)處理程序,使數(shù)據(jù)處理工作得到大大簡(jiǎn)化。 3) 在上述建立的軟件包的基礎(chǔ)上,對(duì)基于Halbach陣列的盤式無鐵心永磁同步電機(jī)進(jìn)行了一系列系統(tǒng)分析,其中包括三維開域磁場(chǎng)分析、永磁體厚度對(duì)電機(jī)氣隙磁密的影響及分析、永磁體寬度變化時(shí)氣隙磁場(chǎng)分析、采用不同角度Halbach陣列時(shí)的氣隙磁密分析、不同半徑處氣隙磁密分析,為在電機(jī)設(shè)計(jì)過程中永磁體的設(shè)計(jì)提供了依據(jù)。 4) 在對(duì)盤式無鐵心永磁同步電機(jī)磁場(chǎng)進(jìn)行詳盡的分析的基礎(chǔ)之上,本文提出了對(duì)該電機(jī)的新設(shè)計(jì)方案,并就此方案進(jìn)行了建模分析,結(jié)果表明,此新方案所得到的氣隙磁密比原結(jié)構(gòu)的氣隙磁密更為理想。此外,還對(duì)新模型從定性的角度進(jìn)行了渦流損耗分析,分析表明其結(jié)構(gòu)有利于減小渦流損耗。
標(biāo)簽: 永磁電機(jī) 損耗分析 磁場(chǎng)
上傳時(shí)間: 2013-04-24
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本文的目的在于,介紹如何計(jì)算具有狹窄氣隙的圓形轉(zhuǎn)子電機(jī)中的繞組感應(yīng)。我們僅處理理想化的氣隙磁場(chǎng),不考慮槽、外部周邊或傾斜電抗。但我們將考察繞組磁動(dòng)勢(shì)(MMF)的空間諧頻。 在圖1中,給出了12槽定子的軸截面示意圖。實(shí)際上,所顯示的是薄鋼片的形狀,或用于構(gòu)成磁路的層片。鐵芯由薄片構(gòu)成,以控制渦流電流損耗。厚度將根據(jù)工作頻率而變,在60Hz的電機(jī)中(大體積電機(jī),工業(yè)用)層片的厚度典型為.014”(.355毫米)。它們堆疊在一起,以構(gòu)成具有恰當(dāng)長(zhǎng)度的磁路。繞組位于該結(jié)構(gòu)的槽內(nèi)。 在圖1中,給出了帶有齒結(jié)構(gòu)的梯形槽,在大部分長(zhǎng)度方向上具有近乎均勻的截面,靠近氣隙處較寬。齒端與相對(duì)狹窄的槽凹陷區(qū)域結(jié)合在一起,通過改善氣隙場(chǎng)的均勻性、增加氣隙磁導(dǎo)、將繞組保持在槽中,有助于控制很多電機(jī)轉(zhuǎn)子中的寄生損耗。請(qǐng)注意,對(duì)于具有名為“形式纏繞”線圈的大型電機(jī),它具有直邊矩形槽,以及非均勻截面齒。下面的介紹針對(duì)兩類電機(jī)。
標(biāo)簽: 如何計(jì)算 轉(zhuǎn)子 電機(jī) 繞組
上傳時(shí)間: 2013-10-13
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介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上,通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法,大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明:在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi),輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV,在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比(PSRR),整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。
標(biāo)簽: CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間: 2013-10-27
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介紹一種高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
標(biāo)簽: 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間: 2013-10-08
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文中提出了一種應(yīng)用于印刷電路板的新穎二維電磁帶隙(MS-EBG)結(jié)構(gòu),其單位晶格由折線縫隙組合與正方形貼片橋接構(gòu)成,以抑制同步開關(guān)噪聲。結(jié)果表明,抑制深度為-30 dB時(shí),與傳統(tǒng)L-bridged EBG結(jié)構(gòu)比較,新EBG結(jié)構(gòu)的阻帶寬度增加1.3 GHz,相對(duì)帶寬提高了約10%,能夠有效抑制0.6~5.9 GHz的同步開關(guān)噪聲。
標(biāo)簽: 同步開關(guān)噪聲 電磁 帶隙結(jié)構(gòu)
上傳時(shí)間: 2013-11-07
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在傳統(tǒng)正溫度系數(shù)電流基礎(chǔ)上,增加兩種不同材料的電阻以實(shí)現(xiàn)帶隙基準(zhǔn)的二階溫度補(bǔ)償,采用具有反饋偏置的折疊共源共柵運(yùn)算放大器,使得所設(shè)計(jì)的帶隙基準(zhǔn)電路,具有較高的精度和溫度穩(wěn)定性。
標(biāo)簽: 高精度 帶隙基準(zhǔn)源
上傳時(shí)間: 2013-10-18
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摘要:采用共源共柵運(yùn)算放大器作為驅(qū)動(dòng),設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比和低溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路,并在TSMC0.18Um CMOS工藝下,采用HSPICE進(jìn)行了仿真.仿真結(jié)果表明:在-25耀115益溫度范圍內(nèi)電路的溫漂系數(shù)為9.69伊10-6/益,電源抑制比達(dá)到-100dB,電源電壓在2.5耀4.5V之間時(shí)輸出電壓Vref的擺動(dòng)為0.2mV,是一種有效的基準(zhǔn)電壓實(shí)現(xiàn)方法.關(guān)鍵詞:帶隙基準(zhǔn)電壓源;電源抑制比;溫度系數(shù)
標(biāo)簽: 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間: 2013-11-19
上傳用戶:王成林。
摘要:本文對(duì)變壓器磁心氣隙量的各種計(jì)算公式進(jìn)行分析討論.追蹤它們的來源,判別它們的正確性和實(shí)用性。關(guān)鍵詞:磁路定律;磁阻;有效磁路長(zhǎng)度;有效磁導(dǎo)率。
標(biāo)簽: 開關(guān)電源變壓器 磁心 計(jì)算
上傳時(shí)間: 2013-11-12
上傳用戶:李夢(mèng)晗
時(shí)隙分配技術(shù)是VHF/UHF數(shù)據(jù)鏈中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),通過它可以提高系統(tǒng)的通信效率。在目前VHF/UHF數(shù)據(jù)鏈的基礎(chǔ)上,提出了一種新的時(shí)隙分配高層算法:漸變分配策略,它主要是以固定分配方式為主,以競(jìng)爭(zhēng)分配和動(dòng)態(tài)分配為輔的一種新型時(shí)隙分配策略,兼有固定分配、競(jìng)爭(zhēng)分配和動(dòng)態(tài)分配的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)又盡可能克服它們的缺點(diǎn),以最小代價(jià)換來最大成效。
標(biāo)簽: VHF UHF 數(shù)據(jù)鏈 時(shí)隙分配
上傳時(shí)間: 2014-01-13
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利用matlab計(jì)算三維光子晶體帶隙的fdtd算法
標(biāo)簽: matlab fdtd 計(jì)算 光子晶體
上傳時(shí)間: 2015-07-01
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