8051工作于11.0592MHZ,RAM擴(kuò)展為128KB的628128,FlashRom擴(kuò)展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址
標(biāo)簽： 128 FlashRom 8051 KB
上傳時間： 2013-08-30
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自己現(xiàn)在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設(shè)置下載模式
標(biāo)簽： CPLD 244 74 HC
上傳時間： 2013-08-31
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\r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學(xué)出版社出版
標(biāo)簽： Protel 99 se
上傳時間： 2013-09-11
上傳用戶：Yukiseop
用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)
標(biāo)簽： THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間： 2014-01-22
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基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計(jì)
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
計(jì)數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原
上傳時間： 2013-10-11
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在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
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手持式產(chǎn)品設(shè)計(jì)師常常需要找到實(shí)現(xiàn)便攜式設(shè)備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法
標(biāo)簽： 按鈕 關(guān)斷控制器 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：225588
上傳時間： 2013-11-11
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諸如電信設(shè)備、存儲模塊、光學(xué)繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復(fù)雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個電壓軌的數(shù)字 IC，這些電壓軌必須以一個特定的順序進(jìn)行啟動和停機(jī)操作，否則 IC 就會遭到損壞。
標(biāo)簽： 電源排序 防止
上傳時間： 2014-12-24
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