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網(wǎng)線測(cè)試器

  • Quartus_II_9.0破解器.rar

    #首先安裝Quartus II 9.0 (32-Bit): #用Quartus_II_9.0破解器.exe破解C:\altera\90\quartus\bin下的sys_cpt.dll和quartus.exe文件(運行Quartus_II_9.0破解器.exe后,直接點擊“應用補丁”,如果出現“未找到該文件。搜索該文件嗎?”,點擊“是”,(如果直接把該破解器Copy到C:\altera\90\quartus\bin下,就不會出現這個對話框,而是直接開始破解?。┤缓筮x中sys_cpt.dll,點擊“打開”。安裝默認的sys_cpt.dll路徑是在C:\altera\90\quartus\bin下)。 #把license.dat里的XXXXXXXXXXXX 用您老的網卡號替換(在Quartus II 9.0的Tools菜單下選擇License Setup,下面就有NIC ID)。 #在Quartus II 9.0的Tools菜單下選擇License Setup,然后選擇License file,最后點擊OK。 #注意:license文件存放的路徑名稱不能包含漢字和空格,空格可以用下劃線代替。 #僅限于學習,不要用于商業目的! 嚴禁貼到網上?。。?/p>

    標簽: Quartus_II 9.0 破解

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:zhuoying119

  • Quartus_II_11.0_x86破解器下載

    Quartus_II_11.0_x86破解器下載方法: 首先安裝Quartus II 11.0軟件(默認是32/64-Bit一起安裝): 用Quartus_II_11.0_x86破解器(內部版).exe破解C:\altera\11.0\quartus\bin下的sys_cpt.dll文件(運行Quartus_II_11.0_x86破解器(內部版).exe后,直接點擊“應用補丁”,如果出現“未找到該文件。搜索該文件嗎?”,點擊“是”,(如果直接把該破解器Copy到C:\altera\11.0\quartus\bin下,就不會出現這個對話框,而是直接開始破解?。┤缓筮x中sys_cpt.dll,點擊“打開”。安裝默認的sys_cpt.dll路徑是在C:\altera\11.0\quartus\bin下)。 把license.dat里的XXXXXXXXXXXX 用您老的網卡號替換(在Quartus II 11.0的Tools菜單下選擇License Setup,下面就有NIC ID)。 在Quartus II 11.0的Tools菜單下選擇License Setup,然后選擇License file,最后點擊OK。 注意:license文件存放的路徑名稱不能包含漢字和空格,空格可以用下劃線代替。 此軟件已經通過了諾頓測試,在其它某些殺毒軟件下,也許被誤認為是“病毒”,這是殺毒軟件智能化程度不夠的原因,所以只能暫時關閉之。

    標簽: Quartus_II 11.0 86 破解

    上傳時間: 2013-11-01

    上傳用戶:hebmuljb

  • pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經驗

    PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設計之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD,一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點),其原則如下:1. 一般測試點大小均為30-35mil,元件分布較密時,測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:pei5

  • pcb layout規則

    LAYOUT REPORT .............. 1   目錄.................. 1     1. PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)......... 2     2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用............ 2     3. 基準點 (光學點) -for SMD:........... 4     4. 標記 (LABEL ING)......... 5     5. VIA HOLE PAD................. 5     6. PCB Layer 排列方式...... 5     7.零件佈置注意事項 (PLACEMENT NOTES)............... 5     8. PCB LAYOUT 設計............ 6     9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8     10.General Guidelines – 跨Plane.. 8     11. General Guidelines – 繞線....... 9     12. General Guidelines – Damping Resistor. 10     13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10     14. Clock Routing Guideline........... 12     15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12     16. CPU

    標簽: layout pcb

    上傳時間: 2013-12-20

    上傳用戶:康郎

  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞:比損耗系數, 磁滯常數ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家,在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上,進行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施,促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統,其非線性失真有很嚴格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調節振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作,其中測量系統的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴,阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求, 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初,1409 所和四機部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結,出窯后經真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料,在此基礎上,還實現了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM(頻率劃分調制)向PCM(脈沖編碼調制) 轉換時期, 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優鐵氧體材料<3>,其磁滯系數降為優鐵

    標簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:7891

  • 電感式DC-DC升壓器原理

    C-DC升壓器

    標簽: DC-DC 電感式 升壓器

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:asdfasdfd

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器

    為簡化總線式RS485隔離器的設計,提出基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器的技術方案。該方案具有簡單實用、無需電源、無需考慮數據流向、在有限范圍內波特率自適應、底層用戶群體易于理解和掌控等特點。給出了基本實驗電路和脈沖變壓器的主要設計依據?;诿}沖變壓器的總線式RS485隔離器,尤其適合工業環境下半雙工的A、B兩線制RS485通信網的升級改造,其基本思想也適用于全雙工的W、X、Y、Z四線制RS485/RS422通信網。

    標簽: 485 RS 脈沖變壓器 總線式

    上傳時間: 2013-10-07

    上傳用戶:lizx30340

  • ADuM1200雙通道數字隔離器

    ADUM1201: 雙通道數字隔離器(1/1通道方向性) ADuM120x 是采用ADI公司iCoupler® 技術的雙通道數字隔離器。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術融為一體,具有優于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光電二極管,因而不存在一般與光耦合器相關的設計困難。簡單的iCoupler 數字接口和穩定的性能特征,可消除光耦合器通常具有的電流傳輸比不確定、非線性傳遞函數以及溫度和使用壽命影響等問題。這些iCoupler產品不需要外部驅動器和其它。 特性: 8引腳窄體SOIC封裝,符合RoHS標準 低功耗工作 雙向通信 3 V/5 V電平轉換 工作溫度最高可達125°C

    標簽: ADuM 1200 雙通道 數字隔離器

    上傳時間: 2014-01-17

    上傳用戶:hui626493

  • 電流控制電流傳輸器的溫度補償技術

    針對于目前CMOS電流控制電流傳輸器(CCCII)中普遍存在的溫度依賴性問題,提出一個新的溫度補償技術。這種技術主要使用電流偏置電路和分流電路為CCCII產生偏置電流,其中偏置電路中的電流和μC'OX成正比。基于0.5μm CMOS工藝參數,運用HSPICE仿真軟件,對提出的電路進行仿真,仿真結果驗證了電路的正確性。

    標簽: 電流控制 電流傳輸器 溫度 補償技術

    上傳時間: 2013-10-13

    上傳用戶:歸海惜雪

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