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網(wǎng)(wǎng)絡(luò)(luò)分析儀

  • 針對有限元分析的稀疏矩陣采用一維存儲時的矩陣運算編寫的

    針對有限元分析的稀疏矩陣采用一維存儲時的矩陣運算編寫的，可對其進行加減乘除和LU分解等運算

    標(biāo)簽： 有限元分析 存儲 稀疏 矩陣

    上傳時間： 2014-01-10

    上傳用戶：gonuiln

  • 用LU分解法求解線性方程組的c++程序

    用LU分解法求解線性方程組的c++程序，有用的數(shù)值分析程序

    標(biāo)簽： 分解 解線性 方程 程序

    上傳時間： 2013-12-11

    上傳用戶：xiaoyunyun

  • 代入法的啟發(fā)示搜索 我的代碼實現(xiàn)是：按照自然語言各字母出現(xiàn)頻率的大小從高到低（已經(jīng)有人作國統(tǒng)計分析了）先生成一張字母出現(xiàn)頻率統(tǒng)計表（A）--------(e),(t,a,o,i,n,s,h,r),(

    代入法的啟發(fā)示搜索 我的代碼實現(xiàn)是：按照自然語言各字母出現(xiàn)頻率的大小從高到低（已經(jīng)有人作國統(tǒng)計分析了）先生成一張字母出現(xiàn)頻率統(tǒng)計表（A）--------(e),(t,a,o,i,n,s,h,r),(d,l),(c,u,m,w,f,g,y,p,b),(v,k,j,x,q,z) ，再對密文字母計算頻率，并按頻率從高到低生成一張輸入密文字母的統(tǒng)計表（B），通過兩張表的對應(yīng)關(guān)系，不斷用A中的字母去替換B中的字母，搜索不成功時就回退，在這里回朔是一個關(guān)鍵。

    標(biāo)簽： 字母 頻率 搜索 代碼

    上傳時間： 2015-10-24

    上傳用戶：wanqunsheng

  • 數(shù)值分析中幾個基礎(chǔ)的matlab程序

    數(shù)值分析中幾個基礎(chǔ)的matlab程序，包括選主元的高斯消去，矩陣的LU分解以及Jacobi迭代

    標(biāo)簽： matlab 數(shù)值分析 程序

    上傳時間： 2016-01-15

    上傳用戶：tianjinfan

  • 數(shù)值分析 解線性方程組算法

    數(shù)值分析 解線性方程組算法，高斯列主元消去法，LU分解法，高斯-塞德爾迭代法，SOR迭代法

    標(biāo)簽： 數(shù)值分析 解線性 方程 算法

    上傳時間： 2013-12-21

    上傳用戶：253189838

  • 本書對J.W.顧德門所著《傅立葉光學(xué)導(dǎo)論》的各章習(xí)題

    本書對J.W.顧德門所著《傅立葉光學(xué)導(dǎo)論》的各章習(xí)題，以及若干有應(yīng)用價值的習(xí)題做了詳盡分析

    標(biāo)簽： J.W. 傅立葉 光學(xué)

    上傳時間： 2013-12-11

    上傳用戶：gououo

  • LU分解的一個小代碼

    LU分解的一個小代碼，數(shù)值分析課是寫的，簡單但是好用

    標(biāo)簽： 分解 代碼

    上傳時間： 2017-08-06

    上傳用戶：xauthu

  • W公司手機芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)設(shè)計

    本文以質(zhì)量管理理論為基礎(chǔ)，針對手機芯片封裝行業(yè)過于繁瑣的海量質(zhì)量數(shù)據(jù)，建立以數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)為基礎(chǔ)的質(zhì)量管理系統(tǒng)，通過對手機芯片封裝質(zhì)量數(shù)據(jù)的采集、分析和處理，對手機芯片的質(zhì)量缺陷和不合格產(chǎn)品進行分析和統(tǒng)計，診斷造成產(chǎn)品不合格的原因。本文首先回顧了國內(nèi)外關(guān)于質(zhì)量管理的發(fā)展歷程及最新趨勢，并對手機芯片封裝質(zhì)量管理進行了綜述。在對數(shù)據(jù)挖掘、合格率管理等方面進行深入分析探討的基礎(chǔ)上，提出了手機芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)的設(shè)計目標(biāo)、設(shè)計思路和功能模塊。本文的研究工作主要有以下幾個方面：1、對手機芯片封裝的制造過程、系統(tǒng)模式進行了分析，著重研究了合格率管理和數(shù)據(jù)挖掘在手機芯片封裝中的應(yīng)用；2、運用數(shù)據(jù)挖掘的方法，針對影響芯片封裝質(zhì)量的多個相關(guān)因素，進行各因素的權(quán)重判定，確定哪些因素是影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，針對影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，通過對低合格率數(shù)據(jù)的提取與分析，定位封裝過程中可能造成不合格產(chǎn)品的關(guān)鍵點，為質(zhì)量改善提供依據(jù)：3、搜集W公司2006年5月到8月的手機芯片封裝測試數(shù)據(jù)，進行實證研究，驗證了所提出的研究方法的準(zhǔn)確性。

    標(biāo)簽： 手機芯片封裝 質(zhì)量管理系統(tǒng)

    上傳時間： 2022-06-21

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  • 大功率器件IGBT散熱分析

    0引言任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實際應(yīng)用過程中，大功率器件IGBT在工作時會產(chǎn)生很大的損耗，這些損耗通常表現(xiàn)為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時），必須保證1GBT的結(jié)溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當(dāng)?shù)纳嵫b置，將熱量傳導(dǎo)到外部環(huán)境。如果散熱裝置設(shè)計或選用不當(dāng)，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設(shè)計或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進行散熱計算。散熱計算是通過計算器件工作時產(chǎn)生的損耗功率Pa、器件允許的結(jié)溫T、環(huán)境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據(jù)Raf-a）求出最大允許的散熱器到環(huán)境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據(jù)Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計算對于H型雙極模式PWM系統(tǒng)中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續(xù)流二極管FWD組成，它們各自發(fā)生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅(qū)動功耗，即構(gòu)成IGRT模塊整體發(fā)生的損耗。另外，發(fā)生損耗的情況可分為穩(wěn)態(tài)時和交換時。對上述內(nèi)容進行整理可表述如下：

    標(biāo)簽： 大功率器件 igbt 散熱

    上傳時間： 2022-06-21

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  • 信號與系統(tǒng)分析及MATLAB實現(xiàn) 超清書簽版

    信號與系統(tǒng)分析及MATLAB實現(xiàn) 超清書簽版

    標(biāo)簽： MATLAB 信號與 系統(tǒng)分析

    上傳時間： 2013-05-15

    上傳用戶：eeworm

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