近年來，隨著集成電路工藝技術(shù)的進(jìn)步，電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個重要的變化： 一個是數(shù)字信號處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心，一個是整個電子系統(tǒng)可以集成在一個芯片上（稱為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用，并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。 數(shù)字電路不僅具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過模擬電路的集成規(guī)模，而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設(shè)計周期短、對噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強等優(yōu)點，因而大多數(shù)復(fù)雜系統(tǒng)以數(shù)字信號處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢。雖然如此，模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因為我們接觸到的外部世界的物理量主要都是模擬量，比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等，要將它們變換為數(shù)字信號，需要模擬信號處理和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路，如果這些電路性能不夠高，將會影響整個系統(tǒng)的性能。其次，系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成，如微弱信號放大，很高頻率和寬頻帶信號的實時處理等。因此，雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心，但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口，其地位和作用仍然十分重要。 片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個芯片上，這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線寬不斷減小，使MOS器件的性能不斷提高，MOS數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流，并因此促進(jìn)了MOS模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應(yīng)電子系統(tǒng)功能的不斷擴展和性能的不斷提高，對模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求，促進(jìn)了新電路技術(shù)的發(fā)展。 作為研究生課程的教材，本書內(nèi)容是在本科相關(guān)課程基礎(chǔ)上的深化和擴展，同時涉及實際設(shè)計中需要考慮的一些問題，重點介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術(shù)和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術(shù)。全書共7章，大致可分為三個部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎(chǔ)，比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構(gòu)成的基本單元電路，為學(xué)習(xí)本教材其他內(nèi)容提供必要的知識。由于版圖設(shè)計與工藝參數(shù)對模擬集成電路性能的影響很大，因此第7章簡單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過程和版圖設(shè)計技術(shù)，讀者可以通過對該章所介紹的相關(guān)背景知識的了解，更深入地理解MOS器件和電路的特性，有助于更好地完成模擬集成電路的可實現(xiàn)性設(shè)計。第二部分為新電路技術(shù)，由第2章、第3章和第5章的部分組成，包括近年來逐步獲得廣泛應(yīng)用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對數(shù)域電路，它們在提高工作頻率、降低電源電壓、擴大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力，同時它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內(nèi)容有助于讀者開拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號載體的電路不同，這是一種以電流作為信號載體的電路，雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的，但由于信號載體不同，不僅電路性能不同而且電路結(jié)構(gòu)也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點和開關(guān)電容與開關(guān)電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類似于數(shù)字電路，處理的是時間離散信號，又類似于模擬電路，處理的是幅度連續(xù)信號，它比模擬電路具有穩(wěn)定準(zhǔn)確的時間常數(shù)，解決了模擬電路實際應(yīng)用中的一大障礙。對數(shù)域電路在第5章中結(jié)合其在濾波器中的應(yīng)用介紹，這類電路除具有良好的電性能外，還提出了一種利用器件的非線性特性實現(xiàn)線性電路的新思路。第三部分介紹幾個模擬電路的功能模塊，它們是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分，并且與信號和信號處理聯(lián)系密切，有助于在信號和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的技術(shù)指標(biāo)和高精度與高速度轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成、工作原理、特點和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設(shè)計方法和主要類型，包括連續(xù)時間濾波器、對數(shù)域濾波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路，包括收信器、發(fā)信器的技術(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)和典型電路。因為載波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號，射頻前端電路的性能對整個通信系統(tǒng)有直接的影響，所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。 〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書是在為研究生開設(shè)的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎(chǔ)上整理而成，由董在望主編，第1、4、7章由李冬梅編寫，第6章由王志華編寫，第5章由李永明和董在望編寫，第2、3章由董在望編寫，李國林參加了部分章節(jié)的校核工作。 本書可作為信息與通信工程和電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科相關(guān)課程的研究生教材或教學(xué)參考書，也可作為本科教學(xué)參考書或選修課教材和供相關(guān)專業(yè)的工程技術(shù)人員參考。 清華大學(xué)出版社多位編輯為本書的出版做了卓有成效的工作，深致謝意。 限于編者水平，難免有錯誤和疏漏之處，歡迎批評指正。 目錄 1.1MOS器件基礎(chǔ)及器件模型 1.1.1結(jié)構(gòu)及工作原理 1.1.2襯底調(diào)制效應(yīng) 1.1.3小信號模型 1.1.4亞閾區(qū)效應(yīng) 1.1.5短溝效應(yīng) 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負(fù)載放大電路 1.4運算放大器 1.4.1運算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級運算放大器 1.4.3兩級運算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運算放大器的頻率補償 1.5模擬開關(guān) 1.5.1導(dǎo)通電阻 1.5.2電荷注入與時鐘饋通 1.6帶隙基準(zhǔn)電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準(zhǔn)電壓源 思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導(dǎo)線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應(yīng) 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對頻率特性的影響 思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開關(guān)電容電路和開關(guān)電流電路的基本分析方法 3.1.1開關(guān)電容電路的時域分析 3.1.2開關(guān)電流電路的時域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開關(guān)電容電路 3.2.1開關(guān)電容單元電路 3.2.2開關(guān)電容電路的特點 3.2.3非理想因素的影響 3.3開關(guān)電流電路 3.3.1開關(guān)電流單元電路 3.3.2開關(guān)電流電路的特點 3.3.3非理想因素的影響 思考題 4A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換 4.1.2A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo) 4.1.4A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類 4.1.5A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類型 4.2高速A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.1全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.2兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.3插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.4流水線結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.5交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.3高精度A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.3過采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器 4.4D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.1電阻型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.2電流型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.3電容型D/A轉(zhuǎn)換器 思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學(xué)描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設(shè)計的逼近方法 5.2連續(xù)時間濾波器 5.2.1連續(xù)時間濾波器的設(shè)計方法 5.2.2跨導(dǎo)電容（GmC）連續(xù)時間濾波器 5.2.3連續(xù)時間濾波器的片上自動調(diào)節(jié)電路 5.3對數(shù)域濾波器 5.3.1對數(shù)域電路概念及其特點 5.3.2對數(shù)域電路基本單元 5.3.3對數(shù)域濾波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設(shè)計方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開關(guān)電流電路的方法 思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號 6.2.2復(fù)數(shù)信號處理 6.2.3收信器前端結(jié)構(gòu) 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結(jié)構(gòu) 6.4收發(fā)器的技術(shù)指標(biāo) 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動態(tài)范圍 6.5射頻電路設(shè)計 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器 思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計 7.1集成電路制造工藝簡介 7.1.1單晶生長與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴散及離子注入 7.1.5化學(xué)氣相淀積（CVD） 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應(yīng) 7.3版圖設(shè)計 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成 7.3.2版圖設(shè)計規(guī)則 7.3.3CMOS版圖設(shè)計技術(shù) 思考題
標(biāo)簽： 模擬集成電路
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：chengxin
為拓展熱成像技術(shù)的應(yīng)用,使其可以應(yīng)用到除軍事領(lǐng)域外的其它商業(yè)范圍,本文就其中的微弱信號處理技術(shù)進(jìn)行了研究. 采用國內(nèi)市場可購得的AD797 作核心芯片,對SPRITE 探測器輸出的微弱信號進(jìn)行了放大、緩沖,并給出了有關(guān)參數(shù)及設(shè)計時應(yīng)注意的幾個問題.
標(biāo)簽： SPRITE 探測器 低噪聲 前置放大器
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gxf2016
各研究機構(gòu)提出了像素補償電路用于改善OLED的均勻性和穩(wěn)定性等問題,文中對目前采用有源OLED的α-Si TFT和p-Si TFT的各種像素補償電路進(jìn)行了分析。分析結(jié)果表明,文中設(shè)計方案取得了一定的效果,但尚存不足。
標(biāo)簽： AMOLED TFT 穩(wěn)定性 像素
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：pioneer_lvbo
為使本書成為國內(nèi)目前 最新、最全、最適用的晶體管 代換手冊，編者根據(jù)國內(nèi)外 出版的最新資料，在1992年 最新增訂版的基礎(chǔ)上，又增 加了數(shù)千種日本晶體管和數(shù) 千種歐州晶體管型號及其代 換的國內(nèi)外型號，并且，還介 紹了美國1985年以前生產(chǎn) 的3N型場效應(yīng)管及其代換 型號?！ ”臼謨越榻B了數(shù)萬種國 外晶體管（包括部分場效應(yīng) 管）的型號、用途、極性、主要 參數(shù)、國外代換型號、國內(nèi)代 換型號以及具有管腳排列和 實際尺寸的外形圖。手冊還 介紹了中國、國際、美國、日 本等半導(dǎo)體器件型號命名法 等內(nèi)容?！ ”臼謨缘奶攸c是：資料 新穎，型號齊全，查閱方便， 實用性強，可供業(yè)余無線電 愛好者、電子和通訊專業(yè)的 工人和工程技術(shù)人員使用。
上傳時間： 2013-12-11
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設(shè)計流程 在pcb的設(shè)計中，其實在正式布線前，還要經(jīng)過很漫長的步驟，以下就是主要設(shè)計的流程： 系統(tǒng)規(guī)格 首先要先規(guī)劃出該電子設(shè)備的各項系統(tǒng)規(guī)格。包含了系統(tǒng)功能，成本限制，大小，運作情形等等。 系統(tǒng)功能區(qū)塊圖 接下來必須要制作出系統(tǒng)的功能方塊圖。方塊間的關(guān)系也必須要標(biāo)示出來。 將系統(tǒng)分割幾個pcb 將系統(tǒng)分割數(shù)個pcb的話，不僅在尺寸上可以縮小，也可以讓系統(tǒng)具有升級與交換零件的能力。系統(tǒng)功能方塊圖就提供了我們分割的依據(jù)。像是計 算機就可以分成主機板、顯示卡、聲卡、軟盤驅(qū)動器和電源等等。 決定使用封裝方法，和各pcb的大小
標(biāo)簽： PCB
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：yimoney
PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)項次 項目 備註1 一般PCB 過板方向定義： PCB 在SMT 生產(chǎn)方向為短邊過迴焊爐(Reflow), PCB 長邊為SMT 輸送帶夾持邊. PCB 在DIP 生產(chǎn)方向為I/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義： SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直. DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil. SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區(qū)).PAD
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：jokey075
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
中望CAD2010體驗版正式發(fā)布。作為中望公司的最新年度力作，在繼承以往版本優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，中望CAD2010融入了以“安全漏洞抓取、內(nèi)存池優(yōu)化、位圖和矢量圖混合處理”等多項可以極大提高軟件穩(wěn)定性和效率的中望正在申請全球?qū)＠莫殑?chuàng)技術(shù)，新增了眾多實用的新功能，在整體性能上實現(xiàn)了巨大的飛躍，主要體現(xiàn)在以下幾方面： 大圖紙?zhí)幚砟芰Φ奶嵘? 文字所見即所得、消隱打印等新功能 二次開發(fā)接口更加成熟 一、大圖紙?zhí)幚砟芰Φ奶嵘? 中望CAD2010版采用了更先進(jìn)的內(nèi)存管理以及壓縮技術(shù)，采用了一些新的優(yōu)化算法，使得中望CAD常用命令執(zhí)行效率和資源占用情況得到進(jìn)一步的提高，特別是在低內(nèi)存配置下大圖紙的處理能力，大大減少了圖紙內(nèi)存資源占用量，提升了大圖紙?zhí)幚硭俣?。主要體現(xiàn)在： 大圖紙內(nèi)存占用量顯著下降，平均下降約30%，地形圖類圖紙則平均下降50%； 實體縮放和平移，zoom\pan\redraw更加順暢； 保存速度更快、數(shù)據(jù)更安全，保存速度平均有40%的提升。 二、新增功能 1、文字所見即所得 文字編輯器有多處改進(jìn)，文字編輯時顯示的樣式為最后在圖面上的樣式，達(dá)到了所見即所得的效果。文字編輯器新加入段落設(shè)置，可進(jìn)行制表位、縮進(jìn)、段落對齊方式、段落間距和段落行距等項目的調(diào)整。另外，在文字編輯器內(nèi)可直接改變文字傾斜、高度、寬度等特征。 2、消隱打印 中望CAD2010版本支持二維和三維對象的消隱打印，在打印對象時消除隱藏線，不考慮其在屏幕上的顯示方式。此次消隱打印功能主要體現(xiàn)在以下兩個方面： （一）、平臺相關(guān)命令和功能的調(diào)整 視口的“屬性”：增加“著色打印”選項（“線框”和“消隱”兩種著色打印項） 選擇視口后，右鍵菜單支持“著色打印”項（ “線框”和“隱藏”兩種模式） 命令mview增加了“著色打印”功能項，可以方便用戶設(shè)置視口的“著色打印屬性”（線框和消隱兩種模式） 打印”對話框調(diào)整：在布局空間，激活“打印”對話框，以前的“消隱打印”選項顯示為“隱藏圖紙空間對象”。 頁面設(shè)置管理器啟動的“打印設(shè)置”對話框調(diào)整：圖紙空間中，通過頁面設(shè)置管理器激活的“打印設(shè)置”對話框，以前的“消隱打印”選項顯示為“隱藏圖紙空間對象” （二）、消隱打印使用方法的調(diào)整 模型空間： 可通過“打印”或“頁面設(shè)置管理器”打開的“打印設(shè)置”對話框中的“消隱打印”選項來控制模型空間的對象是否消隱打印，同時包含消隱打印預(yù)覽，若勾選“消隱打印”按鈕，模型空間的對象將被消隱打印出來。 布局空間： 若要在布局空間消隱打印對象，分為兩種情況： 1) 布局空間視口外的對象是否消隱，直接取決于“打印設(shè)置”對話框中“隱藏圖紙空間對象”按鈕是否被勾選； ２）布局空間視口中的對象是否消隱，取決于視口本身的屬性，即“著色打印”特性選項，必須確保該選項為“消隱”才可消隱打印或預(yù)覽 3、圖層狀態(tài)管理器 可以創(chuàng)建多個命名圖層狀態(tài)，以保存圖層的狀態(tài)列表，用戶可以通過選擇圖層狀態(tài)來表現(xiàn)圖紙的不同顯示效果。這種圖層狀態(tài)可以輸出供其它圖紙使用，也可以輸入其它保存的圖層狀態(tài)設(shè)置。 4、文字定點縮放 能夠依據(jù)文字位置的特征點，如中心，左下等，作為基準(zhǔn)點，對多行文字或單行文字進(jìn)行縮放，同時不改變基準(zhǔn)點位置。 5、Splinedit新功能 全面支持樣條曲線的編輯，主要體現(xiàn)在SPLINEDIT命令行提示中，如下： 擬合數(shù)據(jù)(F)/閉合樣條(C)/移動(M) 頂點(V)/精度(R)/反向(E)/撤消(U)/<退出(X)>: 擬合數(shù)據(jù)： 增加(A)/閉合(C)/刪除數(shù)據(jù)(D)/移動(M)/清理(P)/切線(T)/<退出(X)>: 增加、刪除數(shù)據(jù)：通過增加、刪除樣條曲線的擬合點來控制樣條曲線的擬合程度。 移動：通過移動指定的擬合點控制樣條曲線的擬合數(shù)據(jù) 閉合/打開：控制樣條曲線是否閉合。 清理：清除樣條曲線的擬合數(shù)據(jù)，從而使命令提示信息變?yōu)椴话瑪M合數(shù)據(jù)的情形。 切線：修改樣條曲線的起點和端點切向。 閉合樣條：將打開的樣條曲線閉合。若選擇的樣條曲線為閉合的，該選項為“打開”，將閉合的樣條曲線打開。 移動：可用來移動樣條曲線的控制點到新的位置。 精度：可通過添加控制點、提高階數(shù)或權(quán)值的方式更為精密的控制樣條曲線的定義。 反向：調(diào)整樣條曲線的方向為反向。 6、捕捉和柵格功能增強 7、支持文件搜索路徑 關(guān)于激活注冊：打開CAD界面，找到左上面的“幫助”，激活產(chǎn)品-復(fù)制申請碼-再打開你解壓到CAD包找到keygen.exe（也就是注冊機，有的在是“Key”文件里，如果沒有可以到網(wǎng)上下載），輸入申請碼--點擊確定，就中間那個鍵--得到數(shù)據(jù) 應(yīng)該是五組-復(fù)制再回到上面激活碼頁面，粘貼激活碼確定就ok ！復(fù)制(粘貼)的時候用 ctrl +c（v），用鼠標(biāo)右鍵沒用！ 如果打開安裝CAD就得注冊才能運行的，那方法也跟上邊的差不多！ 其實你在網(wǎng)上一般是找不到激活碼的，因為各個申請碼不一樣，所以別人的激活碼到你那基本上沒用，只能用相應(yīng)的方法得到激活碼，這方法也就要你自己去試了，我原來也不會裝CAD，但現(xiàn)在一般3分鐘就裝好了，只要知道怎么說了就快了，一般軟件都是一樣的裝法，不會裝可以到網(wǎng)上找資料！有時求人不如求已，自己算比在網(wǎng)上等著別人給你算快多了
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：段璇琮*
電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經(jīng)驗及技術(shù)不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動態(tài)維修,危險性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費用高,維修時間長 對老化零件無從查起無法預(yù)先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負(fù)擔(dān),客戶埋怨 投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績效不彰
上傳時間： 2013-10-26
上傳用戶：neu_liyan
電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設(shè)計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進(jìn)行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標(biāo)簽： LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：wangjin2945
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