「到Petzold的書(shū)中找找」仍然是解決Windows程式開(kāi)發(fā)各種疑難雜癥時(shí)的靈丹妙藥。在第五版的《Windows程式開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)指南》中，作者身違背受敬重的Windows Pioneer Award（Windows開(kāi)路先鋒獎(jiǎng)）得主，依據(jù)最新版本W(wǎng)indows作業(yè)系統(tǒng)，以可靠的取材資料校定這一本經(jīng)典之作一再一次深入探索了Win32程式設(shè)計(jì)介面的根本重心。
上傳時(shí)間： 2014-01-08
上傳用戶：cx111111
C語(yǔ)言的開(kāi)發(fā)模式, 是編寫(xiě).c的Source Code, 再經(jīng)由Compiler編譯成Object Code。所謂Object Code指的是和硬體相關(guān)的機(jī)器指令, 也就是說(shuō)當(dāng)我們想要把C程式移植到不同的硬體時(shí), 必須要重新Compile,以產(chǎn)生新的執(zhí)行檔。除了需要重新編譯外,新系統(tǒng)是否具備應(yīng)用程式所需的程式庫(kù),include的檔案是否相容, 也是程式能否在新機(jī)器上順利編譯和執(zhí)行的條件之一。
標(biāo)簽： Code Object Compiler Source
上傳時(shí)間： 2017-04-02
上傳用戶：yph853211
這是compiere2的官方?jīng)]問(wèn)題版本～我在fedora10上安裝正確無(wú)誤～不會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤訊息 ～不過(guò)我發(fā)現(xiàn)compiere他自己本身有自己專(zhuān)屬的網(wǎng)站server～所以有架設(shè)網(wǎng)站的網(wǎng)友們～ 可能要斟酌一下～最好把他獨(dú)立開(kāi)來(lái)比較好～= =～我發(fā)現(xiàn)他挺消耗系統(tǒng)資源的～
標(biāo)簽： compiere2 compiere fedora server
上傳時(shí)間： 2014-12-04
上傳用戶：yy541071797
演算法是指利用電腦解決問(wèn)題所需要的具體方法和步驟。也就是說(shuō)給定初始狀態(tài)或輸入數(shù)據(jù)，經(jīng)過(guò)電腦程序的有限次運(yùn)算，能夠得出所要求或期望的終止?fàn)顟B(tài)或輸出數(shù)據(jù)。本書(shū)介紹電腦科學(xué)中重要的演算法及其分析與設(shè)計(jì)技術(shù)
標(biāo)簽： 算法
上傳時(shí)間： 2017-06-09
上傳用戶：wys0120
利用vb達(dá)到電源供應(yīng)器的控制，若將電源供應(yīng)器加入控制的一環(huán)會(huì)使得系統(tǒng)功能完善。
標(biāo)簽： 控制
上傳時(shí)間： 2013-12-28
上傳用戶：lnnn30
文件中詳細(xì)介紹 FLIR 雷達(dá)產(chǎn)品的各項(xiàng)技術(shù)數(shù)據(jù)
上傳時(shí)間： 2015-03-18
上傳用戶：戴斗笠的神秘人
文件中詳細(xì)列舉出FLIR雷達(dá)產(chǎn)品所使用的頻率波段以及發(fā)射功率資訊！
上傳時(shí)間： 2015-03-18
上傳用戶：戴斗笠的神秘人
放墨香商業(yè)版本， 巨陵-蠻牛掉元寶,願(yuàn)意打的就是高手 開(kāi)放包袱商人會(huì)帶備稀而物品給各位大俠購(gòu)買(mǎi) 本服轉(zhuǎn)身請(qǐng)登入官網(wǎng)轉(zhuǎn)身 本服遊戲幣個(gè)人上限是40億 如果帶多了 轉(zhuǎn)圖重登都會(huì)變回40億 全球最強(qiáng)防外掛系統(tǒng),打造2016年最公平的墨湘 本服承諾,絕無(wú)任何嚴(yán)重bug,保證遊戲穩(wěn)定運(yùn)行 本服禁止空白名,定期自動(dòng)清理帶空名的玩家
標(biāo)簽： 墨香
上傳時(shí)間： 2016-04-11
上傳用戶：西子灣灣
幫助學(xué)習(xí)作業(yè)系統(tǒng)的 一些資料 我需要獲得3的 積分 請(qǐng)有興趣者可看
標(biāo)簽： struct
上傳時(shí)間： 2016-06-14
上傳用戶：fp4397251
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問(wèn)題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問(wèn)題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
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