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空間矢量調(diào)制

  • M進(jìn)制可逆計(jì)數(shù)器的設(shè)計(jì)、仿真及實(shí)驗(yàn)

    M進(jìn)制可逆計(jì)數(shù)器的設(shè)計(jì)、仿真及實(shí)驗(yàn)

    標(biāo)簽： 進(jìn)制 計(jì)數(shù)器 仿真 實(shí)驗(yàn)

    上傳時(shí)間： 2013-10-17

    上傳用戶：oojj

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

    計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

    上傳時(shí)間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • 熱轉(zhuǎn)印PCB制板過(guò)程實(shí)錄熱轉(zhuǎn)印做PCB板的

    知識(shí)_熱轉(zhuǎn)印PCB制板過(guò)程實(shí)錄熱轉(zhuǎn)印做PCB板的

    標(biāo)簽： PCB 熱轉(zhuǎn)印 過(guò)程

    上傳時(shí)間： 2013-10-14

    上傳用戶：zhangjinzj

  • 高頻變壓器繞制方法

    高頻變壓器繞制方法

    標(biāo)簽： 高頻變壓器 繞制方法

    上傳時(shí)間： 2014-12-24

    上傳用戶：xhz1993

  • 光伏電池的自適應(yīng)占空比擾動(dòng)MPPT算法研究

    環(huán)境溫度、光照強(qiáng)度和負(fù)載等因素對(duì)光伏電池的輸出特性影響很大，為了提高光伏電池的工作效率，需要準(zhǔn)確快速地跟蹤光伏電池的最大功率點(diǎn)。在分析了光伏電池的輸出特性的基礎(chǔ)上，建立了光伏電池的仿真模型；針對(duì)傳統(tǒng)爬山法的不足，采用了自適應(yīng)占空比擾動(dòng)法對(duì)最大功率點(diǎn)進(jìn)行了跟蹤控制。給出了上述兩種算法的工作原理及設(shè)計(jì)過(guò)程。仿真結(jié)果表明：自適應(yīng)占空比擾動(dòng)算法跟蹤迅速，減少了系統(tǒng)在最大功率點(diǎn)附近的振蕩現(xiàn)象，提高了系統(tǒng)的跟蹤速度和精度。

    標(biāo)簽： MPPT 光伏電池 算法研究

    上傳時(shí)間： 2013-12-04

    上傳用戶：bakdesec

  • 基于占空比模糊控制的光伏發(fā)電系統(tǒng)MPPT技術(shù)

    為了有效地利用太陽(yáng)能，有必要對(duì)光伏發(fā)電系統(tǒng)進(jìn)行最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT）控制研究。文中以兩級(jí)式光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)為研究對(duì)象，建立了任意外界環(huán)境下的光伏陣列數(shù)學(xué)模型。由于光伏陣列的非線性輸出特性，將模糊控制思想引入最大功率點(diǎn)跟蹤，提出占空比模糊控制的擾動(dòng)觀察法的MPPT控制策略，并通過(guò)計(jì)算機(jī)進(jìn)行仿真驗(yàn)證。與傳統(tǒng)的占空比擾動(dòng)觀察法相比較，該方法能夠更加快速、準(zhǔn)確地跟蹤上太陽(yáng)能電池的最大功率點(diǎn)。

    標(biāo)簽： MPPT 模糊控制 光伏發(fā)電系統(tǒng)

    上傳時(shí)間： 2014-01-07

    上傳用戶：ls530720646

  • 怎樣繞制高頻變壓器

    怎樣繞制高頻變壓器

    標(biāo)簽： 高頻變壓器

    上傳時(shí)間： 2013-12-25

    上傳用戶：我干你啊

  • 透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

  • 隔空取電：無(wú)線充電技術(shù)解析

    隔空取電：無(wú)線充電技術(shù)解析

    標(biāo)簽： 無(wú)線充電 技術(shù)解析

    上傳時(shí)間： 2013-10-09

    上傳用戶：xcsx1945

  • 關(guān)于輸出變壓器的繞制

    變壓器的繞制

    標(biāo)簽： 輸出變壓器

    上傳時(shí)間： 2013-10-15

    上傳用戶：dbs012280

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