占空比可調(diào)矩形波產(chǎn)生電路 multisim仿真
標(biāo)簽： 矩形波 產(chǎn)生電路
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：zhengjian
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
環(huán)境溫度、光照強(qiáng)度和負(fù)載等因素對(duì)光伏電池的輸出特性影響很大，為了提高光伏電池的工作效率，需要準(zhǔn)確快速地跟蹤光伏電池的最大功率點(diǎn)。在分析了光伏電池的輸出特性的基礎(chǔ)上，建立了光伏電池的仿真模型；針對(duì)傳統(tǒng)爬山法的不足，采用了自適應(yīng)占空比擾動(dòng)法對(duì)最大功率點(diǎn)進(jìn)行了跟蹤控制。給出了上述兩種算法的工作原理及設(shè)計(jì)過(guò)程。仿真結(jié)果表明：自適應(yīng)占空比擾動(dòng)算法跟蹤迅速，減少了系統(tǒng)在最大功率點(diǎn)附近的振蕩現(xiàn)象，提高了系統(tǒng)的跟蹤速度和精度。
上傳時(shí)間： 2013-12-04
上傳用戶：bakdesec
諸如電信設(shè)備、存儲(chǔ)模塊、光學(xué)繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復(fù)雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個(gè)電壓軌的數(shù)字 IC，這些電壓軌必須以一個(gè)特定的順序進(jìn)行啟動(dòng)和停機(jī)操作，否則 IC 就會(huì)遭到損壞。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：packlj
為了有效地利用太陽(yáng)能，有必要對(duì)光伏發(fā)電系統(tǒng)進(jìn)行最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT）控制研究。文中以兩級(jí)式光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)為研究對(duì)象，建立了任意外界環(huán)境下的光伏陣列數(shù)學(xué)模型。由于光伏陣列的非線性輸出特性，將模糊控制思想引入最大功率點(diǎn)跟蹤，提出占空比模糊控制的擾動(dòng)觀察法的MPPT控制策略，并通過(guò)計(jì)算機(jī)進(jìn)行仿真驗(yàn)證。與傳統(tǒng)的占空比擾動(dòng)觀察法相比較，該方法能夠更加快速、準(zhǔn)確地跟蹤上太陽(yáng)能電池的最大功率點(diǎn)。
標(biāo)簽： MPPT 模糊控制 光伏發(fā)電系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2014-01-07
上傳用戶：ls530720646
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：immanuel2006
透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：jelenecheung
隔空取電：無(wú)線充電技術(shù)解析
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：xcsx1945
開(kāi)關(guān)電源占空比學(xué)習(xí)實(shí)例及全圖
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2013-10-08
上傳用戶：wtrl
在DCM狀態(tài)下選擇：Uin－電源輸入直流電壓Uinmin－電源輸入直流電壓最小值D－占空比Np－初級(jí)繞組匝數(shù)Lp－初級(jí)繞組電感量Ae－磁芯有效面積Ip－初級(jí)峰值電流f－開(kāi)關(guān)頻率Ton－開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間I－初級(jí)繞組電流有效值η－開(kāi)關(guān)電源效率J－電流密度
標(biāo)簽： 反激式開(kāi)關(guān) 電源設(shè)計(jì) 磁芯
上傳時(shí)間： 2013-12-16
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