在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間： 2013-10-31
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PCB Layout Rule Rev1.70, 規(guī)範(fàn)內(nèi)容如附件所示, 其中分為: (1) ”PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)”:為R&D Layout時必須遵守的事項(xiàng), 否則SMT,DIP,裁板時無法生產(chǎn). (2) “錫偷LAYOUT RULE建議規(guī)範(fàn)”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球. (3) “PCB LAYOUT 建議規(guī)範(fàn)”:為製造單位為提高量產(chǎn)良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout. (4) ”零件選用建議規(guī)範(fàn)”: Connector零件在未來應(yīng)用逐漸廣泛, 又是SMT生產(chǎn)時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.
標(biāo)簽： LAYOUT PCB 設(shè)計(jì)規(guī)范
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：zhtzht
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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針對傳統(tǒng)過壓/欠壓、過頻/欠頻、相位突變、主動頻率偏移孤島檢測方法的不足，提出了一種改進(jìn)方法。將相位偏移量作為輔助量加入主動移頻孤島檢測方法中，使檢測容性負(fù)載的孤島現(xiàn)象具有與感性負(fù)載同樣的快速性，并能有效降低主動頻率偏移法對電網(wǎng)電能的影響。該方法實(shí)現(xiàn)簡單，檢測快速，仿真結(jié)果驗(yàn)證了其快速性和有效性。
上傳時間： 2013-11-09
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手持式產(chǎn)品設(shè)計(jì)師常常需要找到實(shí)現(xiàn)便攜式設(shè)備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法
標(biāo)簽： 按鈕 關(guān)斷控制器 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
上傳時間： 2013-11-14
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手持式產(chǎn)品設(shè)計(jì)師常常需要找到實(shí)現(xiàn)便攜式設(shè)備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法
標(biāo)簽： 按鈕 關(guān)斷控制器 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：dianxin61
N+緩沖層設(shè)計(jì)對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
移相控制的全橋PWM變換器是最常用的中大功率DC／DC變換電路拓?fù)湫问街弧Ｒ葡郟WM控制方式利用開關(guān)管的結(jié)電容和高頻變壓器的漏電感或原邊串聯(lián)電感作為諧振元件，使開關(guān)管能進(jìn)行零電壓開通和關(guān)斷，從而有效地降低了電路的開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲，減少了器件開關(guān)過程中產(chǎn)生的電磁干擾，為變換器提高開關(guān)頻率、提高效率、減小尺寸及減輕質(zhì)量提供了良好的條件。然而，傳統(tǒng)的移相全橋變換器的輸出整流二極管存在反向恢復(fù)過程，會引起寄生振蕩，二極管上存在很高的尖峰電壓，需增加阻容吸收回路進(jìn)行抑制，文獻(xiàn)提出了兩種帶箝位二極管的拓?fù)洌梢院芎玫匾种萍纳袷帯１疚牟扇∥墨I(xiàn)提出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一臺280 W移相全橋軟開關(guān)DC／DC變換器，該變換器輸入電壓為194～310 V，輸出電壓為76V。
上傳時間： 2014-08-30
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本內(nèi)容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊
上傳時間： 2013-11-13
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文章闡述了零電壓開關(guān)技術(shù)在移相全橋變換器中的應(yīng)用, 提出了一種改進(jìn)型的零電壓零電流全橋移相開關(guān)電源, 對電路的工作原理、工作模式作了具體分析, 主要器件的參數(shù)選擇作了設(shè)計(jì), 并給出了由控制芯片UC3875 構(gòu)成的3KW 實(shí)用高頻開關(guān)電源。
標(biāo)簽： 3875 UC 全橋移相 開關(guān)電源
上傳時間： 2013-11-18
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