針對(duì)傳統(tǒng)過壓/欠壓、過頻/欠頻、相位突變、主動(dòng)頻率偏移孤島檢測(cè)方法的不足，提出了一種改進(jìn)方法。將相位偏移量作為輔助量加入主動(dòng)移頻孤島檢測(cè)方法中，使檢測(cè)容性負(fù)載的孤島現(xiàn)象具有與感性負(fù)載同樣的快速性，并能有效降低主動(dòng)頻率偏移法對(duì)電網(wǎng)電能的影響。該方法實(shí)現(xiàn)簡單，檢測(cè)快速，仿真結(jié)果驗(yàn)證了其快速性和有效性。
上傳時(shí)間： 2013-11-09
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針對(duì)模塊電源的發(fā)展趨勢(shì)和有源鉗位電路的工作原理，研究了一種采用磁放大技術(shù)和固定伏特秒控制技術(shù)的有源鉗位正激軟開關(guān)電路，并對(duì)該電路的工作過程進(jìn)行了詳細(xì)的理論分析。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了一款25 W的電源樣機(jī)。經(jīng)過測(cè)試，驗(yàn)證了該理論分析的正確性，在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)完全實(shí)現(xiàn)了主開關(guān)管和鉗位開關(guān)管的軟開關(guān)變換，軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)的條件不依賴于變壓器的參數(shù)。在采用肖特基二極管整流的情況下，滿載輸出的轉(zhuǎn)換效率在89%以上。
標(biāo)簽： 有源鉗位 變換器 正 軟開關(guān)
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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計(jì)一種基于Howland電流源電路的精密壓控電流源，論述了該精密壓控電流源的原理。該電路以V/I轉(zhuǎn)換電路作為核心，Howland電流源做為誤差補(bǔ)償電路，進(jìn)一步提高了電流源的精度，使絕對(duì)誤差仿真值達(dá)到nA級(jí)，實(shí)際電路測(cè)量值絕對(duì)誤差達(dá)到?滋A級(jí)，得到高精度的壓控電流源。仿真和實(shí)驗(yàn)測(cè)試均證明該方案是可行的。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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RC有源帶阻濾波器的PSpice輔助設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-15
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一款0-20V，2A輸出的數(shù)控電壓源，運(yùn)用了并聯(lián)均流輸出的畢業(yè)設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 數(shù)控電壓源
上傳時(shí)間： 2013-11-12
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無源雙端全隔離方案，是在兩端通信設(shè)備接口與通信線路之間各串入一只新型無源串口隔離器，從而使兩端設(shè)備接口得到"均等而有效"的保護(hù)。通過電路形式、振蕩頻率、元器件參數(shù)及變壓器繞組匝數(shù)變比的優(yōu)化創(chuàng)新，解決了新型隔離器串口竊電的微功耗高效率隔離傳輸、由單電源形成雙極性邏輯電平、以及兩端隔離器的通用性和自環(huán)狀態(tài)下的電能平均分配等關(guān)鍵問題。2010年以來，大慶油田處于該隔離器保護(hù)之下的90臺(tái)通信設(shè)備的接口從未因雷擊損壞，并能方便地進(jìn)行自環(huán)測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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種高精度數(shù)控直流電流源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
上傳時(shí)間： 2013-10-12
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PT4115是一款連續(xù)電感電流導(dǎo)通模式的降壓恒流源，用于驅(qū)動(dòng)一顆或者多顆串聯(lián)LED。根據(jù)不同外部器件，芯片可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)數(shù)十瓦的LED。PT4115具有調(diào)光功能，通過DIM引腳實(shí)現(xiàn)模擬調(diào)光和寬范圍PWM調(diào)光。當(dāng)VDIM低于0.3V時(shí)，功率開關(guān)關(guān)斷，芯片進(jìn)入低功耗待機(jī)狀態(tài) 主要技術(shù)參數(shù) ? 輸入電壓范圍：6V to 40V ? 最大輸出LED電流1.2A ? 5%的輸出電流精度 ? 高達(dá)97%的效率 ? 極少的外部器件 ? 復(fù)用DIM引腳進(jìn)行LED開關(guān)、模擬調(diào)光和PWM調(diào)光 ? LED開路保護(hù) ? LED過熱保護(hù) ? 輸出電流可調(diào)節(jié) ? 具有輸入欠壓保護(hù)功能 應(yīng)用 ? 低壓LED射燈代替鹵素?zé)?? 車載LED燈 ? LED備用燈 ? LED信號(hào)燈
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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Z源逆變器
標(biāo)簽： 隨機(jī) 開關(guān)頻率 Z源逆變器 并網(wǎng)
上傳時(shí)間： 2013-10-15
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介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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