N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
高頻磁放大器穩壓電源的設計
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：Miyuki
高頻磁放大器穩壓電源具有諸多的優點，響應快，抗過載，抗干擾
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：jinyao
鐵鎳鉬磁粉芯性能曲線
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：zuozuo1215
為了提高稀土超磁致伸縮換能器驅動電源的效率以及實用性，采用DSP器件TMS320F2812作為主控芯片，結合混合脈寬調制方法實現SPWM波形。采用半橋型逆變電路實現SPWM的功率放大，并對隔離驅動電路、反饋電路和濾波匹配電路進行合理而有效的設計，保證了換能器的輸出效能。同時使用電流控制頻率的方法實現諧振頻率的自動跟蹤。實驗證明，該驅動電路輸出頻率穩定，波形失真度低，且能量轉換效率較高。
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：yueguizhilin
本書內容翔實、精煉，介紹了進行電源設計必須了解的幾乎所有相關的知識，包括以下幾個方面。 拓撲概述——常用的15種拓撲；功率開關管的最大電流應力和最大電壓應力；對于有確定的輸入輸出電壓、輸出功率的功率開關管，最佳拓撲的選擇；最佳拓撲的選擇；最佳功率開關管的選擇。 高頻磁原理——鐵氧體磁心磁帶、集膚效應和鄰近效應損耗。 變壓器設計——與頻率、磁密度、鐵心面積和繞線面積以及拓撲有關的函數公式推導；磁心、線圈、變壓器總損耗，以及溫升的計算；使用常用拓撲的變壓器設計實例。 直流電流偏置電感設計——導通直流偏置電流的電感設計。 磁放大器、緩沖器的設計以及諧振變換器。 反饋環穩定性。 主要拓撲的精確波形。 本書第二版增加了該領域內目前最受關注的關于電流的章節，包括功率因數校正、熒火燈使用的高頻鎮流器和筆記本電腦設計的低輸入電壓電源。 內容簡介本書從最基本的開關變換器分析入手，系統地闡述開關電源電路（設計）的功率轉換和脈寬調制原理、驅動電路與閉環反饋的穩定性及磁性元件的設計原則；對各功率變換器器件的參數選擇和變換器各部分波形進行了定量分析；利用閉環反饋振蕩機理，詳細討論了開關電源電流、電壓環反饋系統的穩定性；論述高頻開關電源在功率因數校正技術、軟開關技術，以及電子鎮流器技術等方面的最新動態和發展趨勢。內容上不僅對各功率變換器的原理有詳盡、系統的論述，同時給出多種新型的拓撲及對應電路反饋環的設計實例。 本書可以作為學習、研究高頻開關電源的高校師生的教材，也可作為從事開關電源設計、開發的工程師的設計參考資料。
標簽： Switching_Power_Supply_Design Second_Edition 開關電源設計
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：13788529953
同步整流技術簡單介紹大家都知道，對于開關電源，在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向導電特性），它可以理解為一種被動式器件：只要有足夠的正向電壓它就開通，而不需要另外的控制電路。但其導通壓降較高，快恢復二極管（FRD）或超快恢復二極管（SRD）可達1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個例子：如有一個管子壓降為0.7V，其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當其為3.3V整流時，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環境下其損耗是何等地驚人。這就導致電源效率降低，損耗產生的熱能導致整流管進而開關電源的溫度上升、機箱溫度上升--------有時系統運行不穩定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術的飛速發展，如GeForce 8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V輸出電流各高達24A）的電源轉換器。而當前世界的能源緊張問題的凸現，為廣大用戶提供更高轉換效率（如多核R80，完全符合80PLUS標準）的電源轉換器就是我們整個開關電源行業的不可回避的社會責任了。如何解決這些問題？尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術和通態電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關電源技術發展的歷史舞臺了！作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導通時的伏安特性呈線性關系。因為用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過，這種復雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應用中，一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態電阻的乘積，故小電流時，其壓降和恒定壓降的肖特基不同，電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率（20%）尤為有效。這在80PLUS產品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案，我們可以通過灌溉農田來理解：肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農田里面。而同步整流技術就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點點被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們日日賴以生存的糧食。我們的多核F1，多核R80，其3.3V整流電路采用了通態電阻僅為0.004歐的功率MOSFET，在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A，則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V，損耗比例為0.04/4=1%，比之于傳統肖特基加磁放大整流技術17.5%的損耗，其技術的進步已不僅僅是一個量的變化，而可以說是有了一個質的飛躍了。也可以說，我們為用戶修建了一條嚴絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。
標簽： 同步整流
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：杏簾在望
提出了一種以現代化的單片機控制技術為基礎，結合D/A轉換、模擬電子開關、功率放大、液晶顯示和串行通信等技術實現對鐵磁材料的磁滯回線進行測量的新方法，并在該方法的基礎上成功設計并研制出一種新型智能勵磁儀，將新儀器與分析儀、上位機等進行聯機試驗，結果表明新儀器具有更加友好的用戶界面，所得實驗數據的精度高、可靠性好。同時新儀器具有手動/自動兩種工作模式，且可以實現與上位機的數據通信，自動化和智能化程度大大提高。
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：sunchao524
基于單片機可編程低通濾波器設計
上傳時間： 2013-11-10
上傳用戶：xinzhch
《單片機基礎外設 九日通》
上傳時間： 2013-10-15
上傳用戶：墻角有棵樹
