PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setuppadsstacks
上傳時間： 2013-11-17
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PCB LAYOUT 基本規範項次 項目 備註1 一般PCB 過板方向定義： PCB 在SMT 生產方向為短邊過迴焊爐(Reflow), PCB 長邊為SMT 輸送帶夾持邊. PCB 在DIP 生產方向為I/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義： SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直. DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil. SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區).PAD
上傳時間： 2013-11-06
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2013-11-04
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本 文 就 目 前 PCB 用戶需求情況和主流SI 工具（ Cadence SQ 、Mentor Hyperlynx 和ICX/Tau）功能和特點上作比較和說明，幫助銷售經理了解對手產品、理解用戶需求從而正確定位銷售目標并制訂有效的銷售策略。注意考慮到銷售經理的理解，本文沒有深入討論技術和工具細節，也沒有使用專業術語，有些提法上不一定正確。
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上傳時間： 2013-11-04
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電氣人員應該具備的最基本知識
上傳時間： 2013-10-29
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將激光測量技術和多目視覺照相測量技術相融合，分別發揮激光測量精度高、定位準，照相測量速度快、密度高的特點，研制曲面板三維形狀的自動測量以及劃線定位系統，實現曲面板上的關鍵點的位置精確、快速的測量，該系統可基本實現工業船舶行業對曲面板技術的要求，對造船業的發展具有重要的現實意義。
上傳時間： 2013-11-07
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UL標準的燃燒試驗
標簽： 性能測試
上傳時間： 2013-12-02
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基于單攝像機成像的電力設施侵入目標的參數計算，首先采用成本較低的單攝像機單目視覺系統，對攝像機監控范圍內的空間進行三維建模，便于對其監控范圍內的各種物體進行距離測算與三維尺寸測算；接著依據立體視覺系統，對采用最新的模式識別技術識別出的入侵物的大小和距離進行計算，判斷威脅程度。文中提出的基于單攝像機成像的電力設施侵入目標的參數計算方法，可以更為準確地判斷入侵物大小和位置，從而可靠地判斷威脅程度，降低誤報和漏報，在輸電設施的監控方面有廣大的應用前景。
上傳時間： 2013-11-02
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電容器及介質種類： ※高頻類： 此類介質材料的電容器為Ⅰ類電容器，包括通用型高頻COG、COH電容器和溫度補償型高頻HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器。其中COG、COH電容器電性能最穩定，幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化，適用于低損耗，穩定性要求高的高頻電路，HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器容量隨溫度變化而相應變化，適用于低損耗、溫度補償型電路中。 ※ X7R、X5R：此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器，具有較高的介電常數，容量比Ⅰ類電容器高，具有較穩定的溫度特性，適用于容量范圍廣，穩定性要求不高的電路中，如隔直、耦合、旁路、鑒頻等電路中。 ※Y5V：此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器，是所有電容器中介電常數最大的電容器，但其容量穩定性較差，對溫度、電壓等條件較敏感，適用于要求大容量，溫度變化不大的電路中。 ※Z5U：此類介質材料的電容器為Ⅱ類電容器，其溫度特性介于X7R和Y5V之間，容量穩定性較差，對溫度、電壓等條件較敏感，適用于要求大容量，使用溫度范圍接近于室溫的旁路，耦合等，低直流偏壓的電路中。
上傳時間： 2013-11-05
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標簽： softwarechn server foxpro script
上傳時間： 2013-12-06
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