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監(jiān)(jiān)督聚類

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)

    標(biāo)簽： THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間： 2014-01-22

    上傳用戶：魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作

    標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計

    上傳時間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • 基于粒子群模糊C均值聚類的快速圖像分割

    模糊C-均值聚類算法是一種無監(jiān)督圖像分割技術(shù)，但存在著初始隸屬度矩陣隨機(jī)選取的影響，可能收斂到局部最優(yōu)解的缺點。提出了一種粒子群優(yōu)化與模糊C-均值聚類相結(jié)合的圖像分割算法，根據(jù)粒子群優(yōu)化算法強(qiáng)大的全局搜索能力，有效地避免了傳統(tǒng)的FCM對隨機(jī)初始值的敏感，容易陷入局部最優(yōu)的缺點。實驗表明，該算法加快了收斂速度，提高了圖像的分割精度。

    標(biāo)簽： 粒子群 模糊 均值聚類 圖像分割

    上傳時間： 2013-10-25

    上傳用戶：llandlu

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計數(shù)器原理

    計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進(jìn)制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進(jìn)制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進(jìn)制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進(jìn)制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計數(shù)器原

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間： 2013-11-12

    上傳用戶：thesk123

  • 光伏電池聚光特性

    基于槽式聚光熱電聯(lián)供系統(tǒng)，深入分析晶硅電池陣列和砷化鎵電池陣列在高倍聚光下的輸出特性及輸出功率的影響因素+ 研究結(jié)果表明，聚光光強(qiáng)下砷化鎵電池陣列輸出性能優(yōu)于晶硅電池陣列，高光強(qiáng)會導(dǎo)致光伏電池禁帶寬度變窄，短路電流成倍增加，增加輸出功率，但同時耗盡層復(fù)合率變大，開路電壓降低，制約陣列的輸出功率；高光強(qiáng)還引起電池溫度升高，電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻增加+ 分析表明聚光作用下電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻對輸出功率影響巨大，串聯(lián)內(nèi)阻從&!增加!!，四種電池陣列輸出功率分別損失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +

    標(biāo)簽： 光伏電池 聚光特性

    上傳時間： 2013-10-18

    上傳用戶：趙一霞a

  • （N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

    隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家，各大通信運(yùn)營商、電力供應(yīng)商、軍隊均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。

    標(biāo)簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景

    上傳時間： 2014-03-24

    上傳用戶：alan-ee

  • 51單片機(jī)串口發(fā)N字節(jié)

    適用于51單片機(jī)的串口發(fā)n

    標(biāo)簽： 51單片機(jī) 串口 字節(jié)

    上傳時間： 2014-12-25

    上傳用戶：qingzhuhu

  • 一種用N+1條線實現(xiàn)矩陣鍵盤

    89c51一種用N+1條線實現(xiàn)矩陣鍵盤

    標(biāo)簽： 矩陣鍵盤

    上傳時間： 2014-12-26

    上傳用戶：lhw888

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