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發(fā)(fā)射功率

  • 射頻功率放大器技術(shù)簡介

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    標(biāo)簽: 射頻 功率放大器

    上傳時間: 2021-11-10

    上傳用戶:fliang

  • 射頻功率放大器模塊的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)

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    標(biāo)簽: 射頻 功率放大器

    上傳時間: 2021-11-13

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  • 射頻功率放大器講解

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    標(biāo)簽: 射頻 放大器

    上傳時間: 2021-12-05

    上傳用戶:得之我幸78

  • 射頻功率放大器電路設(shè)計實(shí)例

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    標(biāo)簽: 射頻 功率放大器 電路

    上傳時間: 2021-12-08

    上傳用戶:kingwide

  • 基于GaN器件射頻功率放大電路的設(shè)計總結(jié)

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    標(biāo)簽: GaN器件 射頻功率放大電路

    上傳時間: 2021-12-23

    上傳用戶:XuVshu

  • 射頻與微波晶體管功率放大器工程_張玉興教授

         成電張玉興教授的專門闡述射頻功率放大器的書籍,結(jié)合工程實(shí)踐較為多些,闡述了LDMOS線性功放設(shè)計,及傳統(tǒng)功率合成的方法以及比較流行的Doherty功放的設(shè)計都有所涉及,在國內(nèi)射頻類書籍里算是結(jié)合工程實(shí)踐較為多的一本書。

    標(biāo)簽: 射頻 微波晶體管 功率放大器

    上傳時間: 2022-04-21

    上傳用戶:XuVshu

  • 射頻功率放大器穩(wěn)定性的分析與設(shè)計

    射頻功率放大器在通信系統(tǒng)中已經(jīng)得到大量應(yīng)用,在實(shí)現(xiàn)信號放大功能中屬于關(guān)鍵性構(gòu)成組件部分。研制射頻功率放大器必須要符合諸多的指標(biāo),而且不可缺少的一項就是穩(wěn)定性。射頻功率放大器是一種高頻信號放大器,存在顯著的內(nèi)部無源元件寄生效應(yīng),放大器傳輸信號期間,可以導(dǎo)致信號源阻抗或負(fù)載阻抗等不能良好地匹配于放大器網(wǎng)絡(luò)的現(xiàn)象,加之其他因素的影響,會容易讓射頻功率放大器出現(xiàn)正反饋,由此引發(fā)自激振蕩,嚴(yán)重情況下?lián)p壞到設(shè)備。鑒于此,文章在分析射頻功率放大器穩(wěn)定性的基礎(chǔ)上進(jìn)行科學(xué)的設(shè)計,防止產(chǎn)生嚴(yán)重的損失問題,給實(shí)踐工作提供有價值的指導(dǎo)。

    標(biāo)簽: 射頻功率放大器

    上傳時間: 2022-06-16

    上傳用戶:默默

  • 基于GaN器件射頻功率放大電路的設(shè)計

    本文主要是基于氮化鋅(GaN)器件射頻功率放大電路的設(shè)計,在s波段頻率范圍內(nèi),應(yīng)用CREE公司的氮化稼(GaN)高電子遷移速率品體管(CGH40010和CGH40045)進(jìn)行的寬帶功率放大電路設(shè)計.主要工作有以下幾個方面:首先,設(shè)計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內(nèi),對中間級和末級功放晶體管進(jìn)行穩(wěn)定性分析并設(shè)置其靜態(tài)工作點(diǎn),繼而進(jìn)行寬帶阻抗匹配電路的設(shè)計。本文采用雙分支平衡漸變線拓?fù)潆娐方Y(jié)構(gòu),使用ADS軟件對其進(jìn)行仿真優(yōu)化,設(shè)計出滿足指標(biāo)要求的匹配電路。具體指標(biāo)如下:通帶寬度為800MHz,在通帶范圍內(nèi)的增益dB(S(2,1)>)10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2,3dB輸出功率壓縮點(diǎn)分別大于40dBm46dBm,效率大于40%.其次,設(shè)計功放偏置電源電路。電路要求是負(fù)電壓控制正電壓并帶有過流保護(hù)功能,借助Orcad模擬電路仿真軟件,設(shè)計出滿足要求的電源電路。最后,分別運(yùn)用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件,繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板,并通過對硬件電路的調(diào)試,最終使得整體電路滿足了設(shè)計性能的要求。

    標(biāo)簽: GaN器件 射頻功率放大電路

    上傳時間: 2022-06-20

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  • 射頻功率放大器集成電路研究

    射頻功率放大器在雷達(dá)、無線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用,是現(xiàn)代無線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比,射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動態(tài)范圍大、功耗低、壽命長等一系列優(yōu)點(diǎn);由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統(tǒng)中的地位非常重要,使得功率放大器的研制變得十分重要,因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs,SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力,但其價格昂貴,工藝一致性差;CMOS工藝的功率輸出能力不大,很難應(yīng)用于高輸出功率的場合;而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間,價格相對低廉并和CMOS電路兼容,非常適合于中功率應(yīng)用場合.本文介紹了應(yīng)用與無線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計和實(shí)現(xiàn),分別使用了CMOS,SiGe BiCMOS,GaAs三種工藝.(1)由SMIC 0.18um CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz,采用了兩級共源共柵電路結(jié)構(gòu),在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號增益22dB左右,1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%,最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%,芯片面積為1.4mm*0.96mm;(2)由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz,分為前置推動級和末級功率級,電源電壓為3.3V,仿真結(jié)果為小信號增益28dB左右,1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率大于26dBm,功率附加效率大于15%,最大飽和輸出功率為29.5dBm,芯片面積為1.56mm"1.2mm;(3)由WIN 0.15um GaAs工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz,使用了三級功率放大器結(jié)構(gòu),在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點(diǎn)的輸出功率Pras 26dBm,增益在20dB以上,最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%,芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計、仿真、版圖設(shè)計、流片和芯片測試的順序詳細(xì)介紹了功率放大器芯片的設(shè)計過程,對三種工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器進(jìn)行了對比,并通過各自的仿真結(jié)果對出現(xiàn)的問題進(jìn)行了詳盡的分析。

    標(biāo)簽: 射頻功率放大器 集成電路

    上傳時間: 2022-06-20

    上傳用戶:shjgzh

  • 基于ADS的射頻功率放大器設(shè)計與仿真

    論文主要工作如下:一是從功率放大器的物理結(jié)構(gòu)上分析了射頻功率放大器非線性特性產(chǎn)生的原因及其對通信系統(tǒng)的影響,討論了功率放大器的非線性分析模型,即冪級數(shù)分析模型,Volterra級數(shù)分析模型和諧波平衡分析模型,并簡要的說明了它們各自的特點(diǎn),總結(jié)出了諧波平衡分析法的優(yōu)點(diǎn),指出它適合用于射頻功率放大器的大信號非線性分析.二是分析了射頻功率放大器偏置和匹配電路設(shè)計中的一些基本問題,比較了有源和無源偏置網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)缺點(diǎn),討論了輸入、輸出匹配電路和級間匹配電路設(shè)計的重點(diǎn)問題。介紹了負(fù)載牽引設(shè)計方法,它是在具備功率管大信號模型的基礎(chǔ)上對負(fù)載和源進(jìn)行牽引仿真,從而確定輸出、輸入阻抗。三是在射頻功率放大器的設(shè)計過程中,主要使用了ADS軟件進(jìn)行輔助分析設(shè)計.正是通過對軟件功能的充分應(yīng)用,替代了射頻功半放大器設(shè)計中許多原來需要人工進(jìn)行的運(yùn)算工作,提高了工作效率。從仿真結(jié)果來看,都達(dá)到了預(yù)期的設(shè)計目標(biāo),驗(yàn)證說明了ADS仿真軟件在射頻功率放大電路設(shè)計方面的實(shí)用性與優(yōu)越性,具有繼續(xù)進(jìn)行深入研究的價值。

    標(biāo)簽: ads 射頻 功率放大器

    上傳時間: 2022-06-20

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