設(shè)計了一款用于UHF RFID射頻前端接收機的高線性度LNA。該低噪聲放大器采用噪聲消除技術(shù),具有單端輸入差分輸出的功能,能夠同時實現(xiàn)輸出平衡,噪聲消除和非線性失真抵消,具有高的線性度。該電路采用TSMC 0.18 μm工藝設(shè)計,芯片面積只有0.02 mm2。電源電壓為1.8 V,總電流為8 mA,后仿真結(jié)果增益為19.2 dB,噪聲因子為2.5 dB,輸入1 dB壓縮點為-5.2 dBm。
上傳時間: 2014-01-21
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555芯片用于組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器、施密特觸發(fā)器以及多諧振蕩器。
標(biāo)簽: 555 芯片 單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器 施密特觸發(fā)器
上傳時間: 2013-10-19
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為了模擬圖像分類任務(wù)中待分類目標(biāo)的可能分布,使特征采樣點盡可能集中于目標(biāo)區(qū)域,基于Yang的有偏采樣算法提出了一種改進的有偏采樣算法。原算法將目標(biāo)基于區(qū)域特征出現(xiàn)的概率和顯著圖結(jié)合起來,計算用于特征采樣的概率分布圖,使用硬編碼方式對區(qū)域特征進行編碼,導(dǎo)致量化誤差較大。改進的算法使用局部約束性編碼代替硬編碼,并且使用更為精確的后驗概率計算方式以及空間金字塔框架,改善了算法性能。在PASCAL VOC 2007和2010兩個數(shù)據(jù)集上進行實驗,平均精度比隨機選取的特征采樣方法能夠提高約0.5%,驗證了算法的有效性。
上傳時間: 2013-10-24
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氛及其子體的能譜測量中常用到鈍化離子注人硅探測器或金硅面壘探測器。本文介紹了一種用于這兩類硅半導(dǎo)體探測器的電荷靈敏放大器的實例,它由電荷靈敏級和電壓放大級構(gòu)成。給出了它的設(shè)計思想和調(diào)試過程。介紹了測試手段并測試了它的技術(shù)指標(biāo),說明了應(yīng)用場合。
標(biāo)簽: 硅半導(dǎo)體 探測器 電荷靈敏 放大器
上傳時間: 2014-12-23
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德州儀器(TI)通過多種不同的處理工藝提供了寬范圍的運算放大器產(chǎn)品,其類型包括了高精度、微功耗、低電壓、高電壓、高速以及軌至軌。TI還開發(fā)了業(yè)界最大的低功耗及低電壓運算放大器產(chǎn)品選集,其設(shè)計特性可滿足寬范圍的多種應(yīng)用。為使您的選擇流程更為輕松,我們提供了一個交互式的在線運算放大器參數(shù)搜索引擎——amplifier.ti.com/search,可供您鏈接至各種不同規(guī)格的運算放大器。設(shè)計考慮因素為某項應(yīng)用選擇最佳的運算放大器所要考慮的因素涉及到多個相關(guān)聯(lián)的需求。為此,設(shè)計人員必須經(jīng)常權(quán)衡彼此矛盾的尺寸、成本、性能等指標(biāo)因素。即使是資歷最老的工程師也可能會為此而苦惱,但您大可不必如此。緊記以下的幾點,您將會發(fā)現(xiàn)選擇范圍將很快的縮小至可掌控的少數(shù)幾個。電源電壓(VS)——選擇表中包括了低電壓(最小值低于2.7V)及寬電壓范圍(最小值高于5V)的部分。其余運放的選擇類型(例如精密),可通過快速查驗供電范圍欄來適當(dāng)選擇。當(dāng)采用單電源供電時,應(yīng)用可能需要具有軌至軌(rail-to-rail)性能,并考慮精度相關(guān)的參數(shù)。精度——主要與輸入偏移電壓(VOS)相關(guān),并分別考慮隨溫度漂移、電源抑制比(PSRR)以及共模抑制比(CMRR)的變化。精密(precision)一般用于描述具有低輸入偏置電壓及低輸入偏置電壓溫度漂移的運算放大器。微小信號需要高精度的運算放大器,例如熱電偶及其它低電平的傳感器。高增益或多級電路則有可能需求低偏置電壓。
標(biāo)簽: 放大器 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 選擇指南
上傳時間: 2013-11-25
上傳用戶:1966649934
LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點 (光學(xué)點) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項 (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時間: 2013-12-20
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介紹了2H橋級聯(lián)電路結(jié)構(gòu),研究和分析了用于多電平逆變器的三種不同的多載波PWM調(diào)制策略,并分析了逆變器側(cè)輸出電壓頻譜。在上述調(diào)制策略基礎(chǔ)上結(jié)合多參考波調(diào)制方法,采用新型的多參考波和多載波的PWM技術(shù),在Matlab/Simulink環(huán)境下構(gòu)建了PWM調(diào)制模型。仿真結(jié)果與典型的多載波PWM策略結(jié)果的比較顯示,新型的多載波控制方法能夠小幅減小總諧波的失真率(THD),改善了輸出電壓頻譜。
上傳時間: 2014-12-24
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PC電源測試系統(tǒng)chroma8000簡介
標(biāo)簽: chroma 8000 電源測試系統(tǒng)
上傳時間: 2013-11-08
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對大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)特性、驅(qū)動波形、驅(qū)動功率、布線等方面進行了分析和討論,介紹了一種用于大功率IGBT 的驅(qū)動電路。
上傳時間: 2013-12-12
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本發(fā)明用于LED 光源的電源向以串聯(lián)或并聯(lián)型式連接的不同數(shù)量LED 提供功率。所述電源使用電流反饋來調(diào)節(jié)到LED 的功率并對電路和電路故障提供保護。
上傳時間: 2013-11-04
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