在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間： 2013-10-31
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半導體的產(chǎn)品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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手持式產(chǎn)品設計師常常需要找到實現(xiàn)便攜式設備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法
標簽： 按鈕 關(guān)斷控制器 系統(tǒng)設計
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：225588
手持式產(chǎn)品設計師常常需要找到實現(xiàn)便攜式設備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法
標簽： 按鈕 關(guān)斷控制器 系統(tǒng)設計
上傳時間： 2013-11-11
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
本內(nèi)容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：xhz1993
采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
熱陰極螢光燈(HCFL)發(fā)光原理 冷陰極螢光燈(CCFL)發(fā)光原理 產(chǎn)品特性 CCFL製程概述 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
上傳時間： 2013-11-18
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隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達的國家，各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。
上傳時間： 2014-03-24
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利用Matlab軟件編寫了程序提取了的任意大小的字母和漢字的顯示特征，給出了對應的圖像矩陣，并將讀取的二值矩陣轉(zhuǎn)換為單片機能識別的16進制數(shù)字代碼，通過單片機構(gòu)建電路實現(xiàn)字母和漢字的顯示。提取字母可以改變大小和形狀，達到動態(tài)顯示字母大小和流動變換顯示的效果，提高顯示設備觀賞價值，可以提高人們對重要信息的注意。
上傳時間： 2013-11-13
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