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生產(chǎn)(chǎn)模式

  • 基于新型CCCII的電流模式積分電路

    介紹了廣泛應(yīng)用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原件的跨導(dǎo)線性環(huán)特性和端口特性，以及其基本組成共源共柵電流鏡，并提出了基于共源共柵電流鏡的新型COMS電流傳輸器。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計了基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路，并利用Hspice軟件進(jìn)行輸入為正弦波和方波時的輸出波形的仿真驗(yàn)證。

    標(biāo)簽： CCCII 電流模式 積分電路

    上傳時間： 2013-10-22

    上傳用戶：wtrl

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計數(shù)器原理

    計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進(jìn)制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進(jìn)制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進(jìn)制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計數(shù)器原

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：summery

  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。

    標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分

    上傳時間： 2013-11-14

    上傳用戶：dongqiangqiang

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間： 2013-11-12

    上傳用戶：thesk123

  • 峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計

    峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計

    標(biāo)簽： DCDC 峰值電流 單片式 變換器

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：debuchangshi

  • 五種PWM反饋控制模式研究

    五種PWM反饋控制模式研究

    標(biāo)簽： PWM 反饋控制 模式

    上傳時間： 2013-10-14

    上傳用戶：Amygdala

  • 結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較 中文

    結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較 中文

    標(biāo)簽： 電流模式 電壓模式 比較

    上傳時間： 2013-11-16

    上傳用戶：1406054127

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間： 2014-09-08

    上傳用戶：swing

  • 艾默生開關(guān)電源基礎(chǔ)

    艾默生開關(guān)電源基礎(chǔ)

    標(biāo)簽： 開關(guān)電源

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：sjy1991

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