在傳輸速率方面，802.11n可以將WLAN的傳輸速率由目前802.11a及802.11g提供的54Mbps，提高到300Mbps甚至高達600Mbps.得益于將MIMO（多入多出）與OFDM（正交頻分復用）技術相結合而應用的MIMO OFDM技術，提高了無線傳輸質量，也使傳輸速率得到極大提升。現有的802.11n無線AP/路由設備主要是150M和300M產品，這兩種產品的實用性較高，價格相對低廉。由于802.11n方案的規定，單天線產品只能是150M產品，只有雙/天線以上，才能達到更高的速度現有的802.11n無線網卡主要是150M（手機）、300M（主流筆記本），450M（蘋果筆記本）。使用的頻率分別為2.4G（所有設備均支持）和5G（少量手機和多數的蘋果設備）。盡管802.11n標稱的數據都很大，最大理論值達到了600M，但實際上由于信道污染、各類干擾、阻擋物等，并不可能達到這種速度由于現在蘋果設備的普及，5G的無線網卡均安裝在最新的MBP/MBA/IPAD中，因此使用5G的用戶也是較為可觀的。同時在較新的Windows筆記本中，雙頻無線網卡也還是越來越多的被應用。
標簽： 5G
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：jason_vip1
前言：由于之前聽過太多人抱怨移植FreeRTOS到STM32有各種各樣的問題，小燈經過一年多對FreeRTOS的研究并在公司產品中應用， 多少有些心得， 接下來就由小燈以最新版的FreeRTOS為例一步一步移植到STM32F103 上，并提醒大家某些需要注意的事項。本文檔為非正式技術文檔，故排版會有些凌亂，希望大家能提供寶貴意見以供小燈參考改進。下面先以IAR 移植為例， 說明移植過程中的諸多注意事項， 最后再以MDK移植時不再重復說明，所以還是建議大家先花些時間看IAR 的移植過程，哪怕你不使用IAR，最好也注意下那一大堆注意事項！一、從官網下載最新版的FreeRTOS源碼下面的網址是官方最新源碼的下載地址：https://sourceforge.net/projects/freertos/files/latest/download?source=files目前官方提供的最新版本是v9.0.0 ， FreeRTOS 源碼在解壓目錄下的路徑為FreeRTOS_V9.0.0rc2\FreeRTOS\SourceFreeRTOS組織為了搶用戶也是拼了命的， 不信你打開Demo文件夾看看， 里面提供了FreeRTOS在各種單片機上已經移植好的工程，如果建工程時遇到什么問題，可以參考下這些Demo。不過小燈現在著重于自己動手移植FreeRTOS，考慮到原子哥@正點原子的用戶比較多，絕大多數習慣了使用MDK來開發STM32，因此小燈分別以IAR 和MDK兩種使用比較廣泛的開發環境來移植FreeRTOS。說到IAR 和MDK，不得不提的是小燈自從用了IAR 之后就果斷放棄了MDK，相信很多人有這個經歷，哈哈！在開始移植FreeRTOS之前，先介紹下FreeRTOS的源碼：
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：
隨著材料工業的迅速民展，其中以重量輕、摩擦力小、耐腐蝕、易加工的塑料及其金屬的復合材料的應用受到人們的重視。塑料的各種制品，已滲透到人們日常生活的各個領域，同時也被廣泛應用到航空、船舶、汽車、電器、包裝、玩具、電子、紡織等行業。然而，由于注塑工藝等因素的限制，在相當一部分形狀復雜的塑料制品不能一次注塑成型，這就需要粘接，而沿用多年的塑料粘接和熱合工藝又相當落后，不僅效率低，且粘接劑還有一定的毒性，引起環境污染和勞動保護等問題。傳統的這種工藝已不能適用現代塑科工業的發展需要，于是一種新穎的塑料加工技術--超聲波塑料焊接以其高效、優質、美觀、節能等優越性脫穎而出。超聲波塑料焊接機在焊接塑料制品時，即不要填加任何粘接劑、填料或溶劑，也不消耗大量熱源，具有操作簡便、焊接速度快、焊接強度高、生產效率高等優點。因此，超聲波焊接技術越來越廣泛地獲得應用。
標簽： 超聲波塑料焊接機
上傳時間： 2022-06-21
上傳用戶：jiabin
由于高重復頻率固體開關在加速器、雷達發射機、高功率微波和污染控制等領域存在的潛在優勢，美國、英國、日本和韓國等都對固體開關技術進行了大量研究，從而成為近年脈沖功率界研究的重點1。從固體元件電路結構上，固體開關可以分成兩種類型：串聯結構和累加器結構。采用串聯結構的固體開關生產廠家中，比較著名的有LLNL（Lawrence Livermore National Laboratory）和DTI（Diverfisied Technology Inc.），采用累加器結構的廠家中，比較著名的是LLNIL.和美國的First Point Scientific Ine.B32A我們已經研制成功了采用光纖控制的10kV絕緣柵雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）固體開關，盡管在該固體開關中采用的光纖收發器比較便宜，但光纖控制部分還是比較昂貴的。在一定的應用環境，如脈沖寬度為幾微秒到十幾微秒，可以采用脈沖變壓器來控制IGBT。從文獻[1]表明：只要脈沖同步和緩沖電路設計適當，即可確保固體開關中不會出現過壓。盡管脈沖變壓器隔離控制在同步精度和驅動波形一致性方面不如光纖控制，但還是可以用來控制IGBT固體開關。采用脈沖變壓器控制IGBT的主要優點是價格便宜，但其存在的主要問題是輸出脈沖寬度范圍比較有限和絕緣性能如何保證的問題。在脈沖變壓器控制的IGBT固體開關中，脈沖變壓器設計非常重要，因此下面只討論脈沖變壓器的絕緣問題和IGBT固體開關的實驗結果。
標簽： 脈沖變壓器
上傳時間： 2022-06-22
上傳用戶：20125101110
請波抑制在提升電能質量以及保障供用電設備的安全穩定運行等方面有若關鍵性作用；無功功率不僅對于供電側來說十分重要，而且在負載的正常運行過程中扮演著不可替代的角色。伴隨功率半導體開關器件的飛速發展，大量的非線性負載涌現在電力系統中，由此帶來的諧波污染和無功功率問題愈發嚴峻。在上述背景下，一方面可以對諧波進行抑制，另一方面又可以補償無功功率的有源電力濾波器則受到了國內外學者們的青睞。有源電力濾波器的主電路拓撲結構是系統中最基礎的部分，本文將由此出發，分別介紹各主電路的結構特征以及基本原理。簡單敘述了有源電力濾液器常用的語波檢測方法，比較其各白的優劣，其中著重突出本文所用到的基于瞬時無功功率的改進的ip-i法。針對傳統電流跟蹤控制策略對諧波信號跟蹤動態效果差、控制目標單一的問題，在三相四線制不對稱負載系統中，提出了一種多目標優化模型預測電流控制策略。首先建立四橋臂有源電力濾波器基于ap坐標系的離散化數學模型.以此來實現自然解耦控制：其次對預測電流進行兩步預測，實現對數字處理延時效應的補償，設置電流跟蹤偏差和開關頻率為目標函數，量化控制目標，預先評估各開關狀態的控制效果，根據評估結果決定變流器的開關狀態，去了PWM調制環節；再次討論了采樣頻率以及加權系數這兩個系統變量的取值對開關頻率和電流畸變率所造成的影響；文章的最后，為了驗證所提方法的有效性，在Matlab/Simulink仿真環境下進行實驗，結果證實所提策略諧波電流跟蹤性能良好
上傳時間： 2022-06-22
上傳用戶：slq1234567890
CCD（電荷耦合器件）的基本功能是將光學圖像信號轉變成一維以時間為變量的電壓信號，廣泛的應用于元件尺寸測量以及位置檢測系統中。本課題背景是利用CCD檢測帶材邊緣的位置信息，為后續的控制系統提供數據。在帶鋼軋制現場，光照強度浮動因數很多：例如，光源受污染；給光源供電的電壓波動等都會造成光照條件的改變，影響測量的準確性，不利于提高系統的信噪比l。為了提高系統的測量精度和抗干擾性，需要實時改變CCD的光積分時間以補償現場環境的影響。本文以TCD1501D型CCD芯片為例，分析了芯片的工作過程和驅動芯片的各個信號的要求，闡述了CCD驅動電路自適應的實現，最后給出了系統仿真結果。1TCD1501D型CCD的工作原理和驅動時序的產生1.1TCD1501D芯片的介紹TCDI501D4是一種高靈敏度、低暗電流、5000像元且內置采樣保持電路的線陣CCD圖像傳感器。
上傳時間： 2022-06-23
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由于多繞組移相整流變壓器的二次線圈互相存在一個相位差，實現了輸入多重化，由此可以消除變頻器各單元產生的諧波對電網的污染，是高壓變頻器成為“綠色”電力電子產品的重要組成部分。本文以高壓變頻器中多繞組移相整流變壓器為主要研究對象，進入了深入的研究，主要包括以下幾方面：1、對移相整流變壓器的研究現狀和發展趨勢作了較為全面的綜述，介紹了移相整流變壓器在高壓變頻器中的作用。2、分析了多繞組移相整流變壓器的移相原理。研究了多繞組移相整流變壓器勵磁涌流產生的原因、后果及如何解決。3、分析了ZTSG-530/6移相整流變壓器的主要參數計算、結構設計。用Visual C++編程語言開發了多繞組移相整流變壓器的電磁設計軟件。4、對多繞組移相整流變壓器的電磁場進行了詳細的分析，運用電磁場有限元分析軟件Maxwll3D對ZTSG-530/6移相整流變壓器樣機的瞬態磁場進行分析。5、根據設計，研制出樣機并試驗，得出試驗數據，并對比分析了電磁設計軟件的計算結果、試驗結果和有限元分析結果，驗證了所設計樣機數據的合理性。
標簽： 整流變壓器
上傳時間： 2022-06-25
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摘要：近年來，隨著能源的危機及人們對環境污染的重視，采用新型潔凈的電動汽車代替傳統以汽油為源動力的汽車已經成為當前各大汽車公司和科研院所研究的熱點。永磁同步電機以其結構簡單、方便及易于實現等特點，成為目前電動汽車重要的動力驅動設備。本文提出一種基千滑模理論的電動汽車用永磁同步電機速度控制策略 ，利用Matlab/Simulink軟件將滑模控制與PI 控制進行對比，驗證了滑模控制具有更強的魯棒性，為電動汽車驅動系統設計高魯棒性的控制器提供一定的理論基礎。
標簽： matlab 電動汽車 永磁同步電機控制系統
上傳時間： 2022-07-09
上傳用戶：XuVshu
摘要：本文在比較有源功率因數校正的三種控制方法——斷續導電模式、連續導電模式以及臨界導電模式的基礎上，闡述了臨界導電模式的優點，并以L6562芯片為核心設計了一臺400V/280W的新穎的APFC電源。文中主要介紹了臨界導電模式功率因數校正的原理及其主要的參數設計，并利用Saber軟件進行了仿真及實驗驗證。仿真及實驗結果表明該電源系統的功率因數能夠達到0.98以上，總的諧波含量低于5%。美國Winstead指出，儀器測量的不穩定決大多數是由于電源引起的。特別是在高精度的場合，電源的不穩定問題可能會對昂貴的儀器設備造成致命的影響]。電源電流波形的畸變及因此產生的電網電壓波形的畸變給系統本身和周圍的電磁環境帶來一系列的危害。它不僅可以對電力系統產生污染、對通信系統產生干擾，還可以引起儀器儀表和保護裝置的誤測量、誤動作]。“諧波污染”問題已引起了人們廣泛的關注，解決這一問題的有效辦法就是對用電設備進行功率因數校正（PFC）
上傳時間： 2022-07-19
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半導體切片 保存到我的百度網盤 下載 芯片封裝詳細圖解.ppt 5.1M2019-10-08 11:29 切片機張刀對切片質量的影響-45所.doc 152KB2019-10-08 11:29 內圓切片機設計.pdf 1.3M2019-10-08 11:29 厚硅片的高速激光切片研究.pdf 931KB2019-10-08 11:29 多晶硅片生產工藝介紹.ppt 7M2019-10-08 11:29 第四章半導體集成電路(最終版).ppt 9.7M2019-10-08 11:29 第三章-半導體晶體的切割及磨削加工.pdf 2.3M2019-10-08 11:29 第2章--半導體材料.ppt 2.2M2019-10-08 11:29 冰凍切片的制備.docx 23KB2019-10-08 11:29 半導體芯片制造技術4.ppt 1.2M2019-10-08 11:29 半導體全制程介紹.doc 728KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓切割.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓切割 - 副本.docx 21KB2019-10-08 11:29 半導體晶片加工.ppt 20KB2019-10-08 11:29 半導體工藝技術.ppt 6.4M2019-10-08 11:29 半導體工業簡介-簡體中文...ppt 半導體清洗 新型半導體清洗劑的清洗工藝.pdf 230KB2019-10-08 11:29 向65nm工藝提升中的半導體清洗技術.pdf 197KB2019-10-08 11:29 硅研磨片超聲波清洗技術的研究.pdf 317KB2019-10-08 11:29 第4章-半導體制造中的沾污控制.ppt 5.3M2019-10-08 11:29 半導體制造工藝第3章-清-洗-工-藝.ppt 841KB2019-10-08 11:29 半導體制程培訓清洗.pptx.ppt 14.5M2019-10-08 11:29 半導體制程RCA清洗IC.ppt 19.7M2019-10-08 11:29 半導體清洗技術面臨變革.pdf 20KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓自動清洗設備.pdf 972KB2019-10-08 11:29 半導體晶圓的污染雜質及清洗技術.pdf 412KB2019-10-08 11:29 半導體工藝-晶圓清洗.doc 44KB2019-10-08 11:29 半導體第五講硅片清洗(4課時).ppt 5.1M2019-10-08 11:29 半導體IC清洗技術.pdf 52KB2019-10-08 11:29 半導體IC清洗技術.doc 半導體拋光 直徑12英寸硅單晶拋光片-.pdf 57KB2019-10-08 11:29 拋光技術及拋光液.docx 16KB2019-10-08 11:29 化學機械拋光液(CMP)氧化鋁拋光液具.doc 114KB2019-10-08 11:29 化學機械拋光技術及SiO2拋光漿料研究進展.pdf 447KB2019-10-08 11:29 化學機械拋光CMP技術的發展應用及存在問題.pdf 104KB2019-10-08 11:29 硅片腐蝕和拋光工藝的化學原理.doc 29KB2019-10-08 11:29 硅拋光片-CMP-市場和技術現狀-張志堅.pdf 350KB2019-10-08 11:29 表面活性劑在半導體硅材料加工技術中的應用.pdf 166KB2019-10-08 11:29 半導體制程培訓CMP和蝕刻.pptx.ppt 6.2M2019-10-08 11:29 半導體工藝化學.ppt 18.7M2019-10-08 11:29 半導體工藝.ppt 943KB2019-10-08 11:29 半導體單晶拋光片清洗工藝分析.pdf 88KB2019-10-08 11:29 半導體-第十四講-CMP.ppt 732KB2019-10-08 11:29 666化學機械拋光技術的研究進展.pdf 736KB2019-10-08 11:29 6-英寸重摻砷硅單晶及拋光片.pdf 205KB2019-10-08 11:29 300mm硅單晶及拋光片標準.pdf 半導體研磨 半導體制造工藝第10章-平-坦-化.ppt 2M2019-10-08 11:29 半導體晶圓的生產工藝流程介紹.docx 18KB2019-10-08 11:29 半導體硅材料研磨液研究進展.pdf 321KB2019-10-08 11:29 半導體封裝制程及其設備介紹.ppt 6.7M2019-10-08 11:29 半導體IC工藝流程.doc 81KB2019-10-08 11:29 半導體CMP工藝介紹.ppt 623KB2019-10-08 11:29 半導體-第十六講-新型封裝.ppt 18.5M2019-10-08 11:29 Semiconductor-半導體基礎知識.pdf
上傳時間： 2013-06-14
上傳用戶：eeworm
