PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setuppadsstacks
上傳時間： 2013-11-17
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2013-11-04
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CSS教學手冊(有四本電子書) !!! 大家好，因為小弟的工作是軟體工程師 所以收集了一些書籍 現在登供給各位同好們，希望對大家有幫助 能翻繁體的我盡量翻了 至於太大了有限制我就無法上傳了 不過有些是非常有用的^"^
上傳時間： 2014-01-11
上傳用戶：希醬大魔王
附有本人超級詳細解釋（看不懂的面壁十天！） 一、 實際問題: 希爾排序(Shell Sort)是插入排序的一種。因D．L．Shell于1959年提出而得名。它又稱“縮小增量分類法”，在時間效率上比插入、比較、冒泡等排序算法有了較大改進。能對無序序列按一定規律進行排序。 二、數學模型: 先取一個小于n的整數d1作為第一個增量，把文件的全部記錄分成d1個組。所有距離為dl的倍數的記錄放在同一個組中。先在各組內進行直接插人排序；然后，取第二個增量d2<d1重復上述的分組和排序，直至所取的增量dt=1(dt<dt-l<…<d2<d1)，即所有記錄放在同一組中進行直接插入排序為止。該方法實質上是一種分組插入方法。 三、算法設計: 1、將相隔某個增量dlta[k]的元素構成一個子序列。在排序過程中，逐次減小這個增量，最后當h減到1時，進行一次插入排序，排序就完成。增量序列一般采用：dlta[k]=2t-k+1-1,其中t為排序趟數，1≤k≤t≤[log2 (n+1)]，其中n為待排序序列的長度。按增量序列dlta[0..t-1]。 2、按增量dlta[k]（1≤k≤t≤[log2 (n+1)]）進行一趟希爾插入排序。 3、在主函數中控制程序執行流程。 4、時間復雜度：1≤k≤t≤[log2 (n+1)]時為O（n3/2）。
上傳時間： 2013-12-11
上傳用戶：天涯
//在tc3.0++在運行 //a數組用于隨機產生1-6數表示每個方格后面的圖形.用inita()函數來實現 //c數組用于記錄方格的狀態,用字符L(lock)表示沒有打開的方格 //D(delete)表示已消去的方格.O(open)表示打開的方格. //變量m表示按回車鍵的有效次數.也是記憶力參數,越小記憶力越好 //變量xpos,ypos用于表示當前光標所在的位置 //(x1,y1),(x2,y2)用于記錄打開的兩個方格的位置 //judge()函數用于控制光標范圍,使其不能移出長方形 //win()函數用于判斷游戲是否過關，通過判斷每個方格是否全是 D 狀態 //xago,yago 用于記錄移動前的位置 //ax,ay表示行列式的行與列,用它們來控制游戲的關數,ax位于3-6之間，ay位于4-7之間 //z來控制方格后的圖形 //第一關后面的圖形用1-6代表的圖形.第二關后面的圖形用0-9十個數。第三關后面的圖形用A-O十五個字母, //第四關后面的圖形用A-T二十一個字母
上傳時間： 2015-06-19
上傳用戶：hgy9473
本書第二部分講述的是在Wi n 3 2平臺上的Wi n s o c k編程。對于眾多的基層網絡協議， Wi n s o c k是訪問它們的首選接口。而且在每個Wi n 3 2平臺上，Wi n s o c k都以不同的形式存在著。 Wi n s o c k是網絡編程接口，而不是協議。它從U n i x平臺的B e r k e l e y（B S D）套接字方案借鑒了 許多東西，后者能訪問多種網絡協議。在Wi n 3 2環境中，Wi n s o c k接口最終成為一個真正的 “與協議無關”接口，尤其是在Winsock 2發布之后。
上傳時間： 2015-07-08
上傳用戶：thinode
本附錄按錯誤編號列出了所有Wi n s o c k錯誤代碼。但要注意的是，該列表沒有包括標記為 “B S D特有”的Wi n s o c k錯誤，也沒有包括那些尚未正式列入規范的錯誤。此外，與Wi n 3 2錯 誤有著直接對應關系的Wi n s o c k錯誤列在本附錄末尾。
上傳時間： 2014-01-11
上傳用戶：ghostparker
代入法的啟發示搜索 我的代碼實現是：按照自然語言各字母出現頻率的大小從高到低（已經有人作國統計分析了）先生成一張字母出現頻率統計表（A）--------(e),(t,a,o,i,n,s,h,r),(d,l),(c,u,m,w,f,g,y,p,b),(v,k,j,x,q,z) ，再對密文字母計算頻率，并按頻率從高到低生成一張輸入密文字母的統計表（B），通過兩張表的對應關系，不斷用A中的字母去替換B中的字母，搜索不成功時就回退，在這里回朔是一個關鍵。
上傳時間： 2015-10-24
上傳用戶：wanqunsheng
TLC549是一種采用8位逐次逼近式工作的A/D轉換器。內部包含系統時鐘、采樣和保持、8位A/D轉換器、數據寄存器以及控制邏輯電路。TLC549每25uS重復一次“輸入—轉換—輸出”。器件有兩個控制輸入：I/O CLOCK和片選（CS）。 內部系統時鐘和I/O CLOCK可獨立使用。應用電路的設計只需利用I/O時鐘啟動轉換或讀出轉換結果。當CS為高電平時，DATA OUT處于高阻態且I/O時鐘被禁止。
上傳時間： 2014-01-17
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長高44b0xi BIOS源碼 FS44B0II BIOS具有啟動、引導，下載、燒寫，設置日期、時間，設置工作頻率等多種功能，並且支持各種參數的存儲和自動調用。 可以用flashpgm等軟件將BIOS燒寫到Flash中去，BIOS的自身駐留地址位于NOR FLASH的0x1f0000處，系統參數保存在0x1ff000以上區域中。所以在燒寫完BIOS，上電復位后先要執一定要執行backup命令把BIOS本身拷貝到NOR FLASH的高端1f0000去。
上傳時間： 2013-12-25
上傳用戶：ainimao
