亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

蟲(chóng)蟲(chóng)首頁(yè)| 資源下載| 資源專(zhuān)輯| 精品軟件
登錄| 注冊(cè)

無(wú)線(xiàn)電傳播

  • 數(shù)位與類(lèi)比PC TV Dongle的設(shè)計(jì)

    Dongle泛指任何能插到電腦上的小型硬體,PC TV dongle則是用來(lái)在PC上觀看電視節(jié)目所用的擴(kuò)充裝置。一般來(lái)說(shuō),依照採(cǎi)用的電視訊號(hào)規(guī)格,PC TV dongle可區(qū)分成兩大類(lèi):若使用的訊源為數(shù)位訊號(hào),則屬於數(shù)位PC TV dongle;若使用的是類(lèi)比訊號(hào),則屬於類(lèi)比PC TV dongle。全球各地皆有不同的採(cǎi)納階段,且推行的廣播標(biāo)準(zhǔn)也不盡相同。

    標(biāo)簽: Dongle TV 數(shù)位

    上傳時(shí)間: 2013-12-12

    上傳用戶(hù):lifangyuan12

  • pcb layout design(臺(tái)灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

    PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:?jiǎn)巍㈦p層板之各層線(xiàn)路;多層板之上、下兩層線(xiàn)路及內(nèi)層走線(xiàn)皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱(chēng)為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線(xiàn)13. Grid : 佈線(xiàn)時(shí)的走線(xiàn)格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時(shí)間: 2013-10-22

    上傳用戶(hù):pei5

  • pcb layout規(guī)則

    LAYOUT REPORT .............. 1   目錄.................. 1     1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2     2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2     3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4     4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5     5. VIA HOLE PAD................. 5     6. PCB Layer 排列方式...... 5     7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5     8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6     9. Transmission Line ( 傳輸線(xiàn) )..... 8     10.General Guidelines – 跨Plane.. 8     11. General Guidelines – 繞線(xiàn)....... 9     12. General Guidelines – Damping Resistor. 10     13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10     14. Clock Routing Guideline........... 12     15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12     16. CPU

    標(biāo)簽: layout pcb

    上傳時(shí)間: 2013-12-20

    上傳用戶(hù):康郎

  • 傳輸線(xiàn)與電路觀點(diǎn)詳解

      •1-1 傳輸線(xiàn)方程式 •1-2 傳輸線(xiàn)問(wèn)題的時(shí)域分析 •1-3 正弦狀的行進(jìn)波 •1-4 傳輸線(xiàn)問(wèn)題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線(xiàn)問(wèn)題的解法 •1-8 傳輸線(xiàn)的阻抗匹配

    標(biāo)簽: 傳輸線(xiàn) 電路

    上傳時(shí)間: 2013-11-21

    上傳用戶(hù):laomv123

  • 傳輸線(xiàn)理論與阻抗匹配

    傳輸線(xiàn)理論與阻抗匹配 傳輸線(xiàn)理論

    標(biāo)簽: 傳輸線(xiàn) 阻抗匹配

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

    上傳用戶(hù):wuyuying

  • 采用集成電流檢測(cè)來(lái)監(jiān)視和保護(hù)汽車(chē)系統(tǒng)

    對(duì)於集成電路而言,汽車(chē)是一種苛刻的使用環(huán)境,這裡,引擎罩下的工作溫度範(fàn)圍可寬達(dá) -40°C 至 125°C,而且,在電池電壓總線(xiàn)上出現(xiàn)大瞬變偏移也是預(yù)料之中的事

    標(biāo)簽: 集成 電流檢測(cè) 保護(hù) 汽車(chē)系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2013-11-20

    上傳用戶(hù):zhaiye

  • 降壓-升壓型控制器簡(jiǎn)化手持式產(chǎn)品的DCDC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

    對(duì)於輸出電壓處?kù)遁斎腚妷汗?fàn)圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見(jiàn)的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少,但迄今為止都不能令人非常滿(mǎn)意

    標(biāo)簽: DCDC 降壓 升壓型 控制器

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶(hù):urgdil

  • 具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

    時(shí)至今日,以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

    標(biāo)簽: PoE 集成 反激式控制器 PD接口

    上傳時(shí)間: 2013-11-06

    上傳用戶(hù):xmsmh

  • 透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶(hù):swing

  • PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000

    PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介

    標(biāo)簽: chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

    上傳用戶(hù):xiehao13

主站蜘蛛池模板: 齐齐哈尔市| 琼结县| 合肥市| 镇宁| 山西省| 阳信县| 莱阳市| 西乌珠穆沁旗| 山丹县| 大冶市| 中卫市| 鹿泉市| 闽侯县| 阜宁县| 康乐县| 长宁县| 孟津县| 龙岩市| 哈密市| 台南县| 桑日县| 鄂尔多斯市| 富裕县| 谢通门县| 北票市| 安福县| 山丹县| 卓尼县| 洪洞县| 襄樊市| 龙海市| 高邮市| 鄂托克旗| 河池市| 宝丰县| 桐城市| 无锡市| 河北区| 德阳市| 乌拉特中旗| 靖江市|