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無線網(wǎng)(wǎng)絡(luò)(luò)視頻

  • Sparse LU Decomposition using FPGA

    Sparse LU Decomposition using FPGA,使用fpga實現(xiàn)lu分解的算法實現(xiàn)

    標簽: Decomposition Sparse using FPGA

    上傳時間: 2013-08-14

    上傳用戶:Vici

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時,晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 電路板維修相關(guān)技術(shù)資料

    電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經(jīng)驗及技術(shù)不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動態(tài)維修,危險性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費用高,維修時間長 對老化零件無從查起無法預先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負擔,客戶埋怨 投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績效不彰

    標簽: 電路板維修 技術(shù)資料

    上傳時間: 2013-10-26

    上傳用戶:neu_liyan

  • 準確的電源排序可防止系統(tǒng)受損

    諸如電信設(shè)備、存儲模塊、光學繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個電壓軌的數(shù)字 IC,這些電壓軌必須以一個特定的順序進行啟動和停機操作,否則 IC 就會遭到損壞。

    標簽: 電源排序 防止

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:packlj

  • 具集成反激式控制器的高功率PoE PD接口

    時至今日,以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源

    標簽: PoE 集成 反激式控制器 PD接口

    上傳時間: 2013-11-06

    上傳用戶:xmsmh

  • W波段反對稱漸變探針過渡轉(zhuǎn)換的設(shè)計

    介紹了一種反對稱漸變波導微帶探針過渡結(jié)構(gòu),采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個波導微帶過渡結(jié)構(gòu)在 W 頻段的特性,并對影響過渡性能的幾個因素進行了敏感性分析,得出了可供工程應(yīng)用參考的設(shè)計曲線。在全波導帶寬內(nèi),實現(xiàn)了插入損耗小于0.088 dB,回波損耗大于27 dB。該結(jié)構(gòu)具有寬頻帶、結(jié)構(gòu)簡單和易加工等優(yōu)點,可廣泛用于毫米波固態(tài)電路系統(tǒng)中。

    標簽: W波段 對稱 探針 轉(zhuǎn)換

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:名爵少年

  • S8JX開關(guān)電源(35/50/100/150-W型)

    符合全球標準的小巧電源•35~150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導軌安裝• 安全標準  :  UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1

    標簽: S8JX 100 150 35

    上傳時間: 2014-04-17

    上傳用戶:fklinran

  • W波段寬帶倍頻器的設(shè)計與仿真

    本文介紹了一種由低次級聯(lián)形式構(gòu)成的W波段寬帶六倍頻器。輸入信號先經(jīng)過MMIC得到二倍頻,再由反向并聯(lián)二極管對平衡結(jié)構(gòu)實現(xiàn)寬帶三倍頻,從而將Ku波段信號六倍頻到W波段。該倍頻器的輸入端口為玻璃絕緣子同軸轉(zhuǎn)換接頭,輸出為 WR-10 標準矩形波導結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明當輸入信號功率為20dBm時,三倍頻器在整個W波段的輸出三次諧波功率為4.5dBm左右,變頻損耗小于17dB。該設(shè)計可以降低毫米波設(shè)備的主振頻率,擴展已有微波信號源的工作頻段。

    標簽: W波段 寬帶 倍頻器 仿真

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:qingzhuhu

  • W波段雷達導引頭技術(shù)分析

    由于電子對抗技術(shù)的飛速發(fā)展,低頻段電子干擾設(shè)備已經(jīng)非常完善,低頻段主動雷達的工作效能相應(yīng)地大幅度降低。為了提高雷達系統(tǒng)的抗干擾能力,通過對國內(nèi)外雷達技術(shù)發(fā)展趨勢的研究,以及影響雷達系統(tǒng)抗干擾能力主要因素的分析,說明了采用更高頻段的雷達導引頭技術(shù)發(fā)展的重要性。以W波段雷達導引頭技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用為前提,對其中需要解決的關(guān)鍵技術(shù)進行了分解,論述了W波段雷達導引頭的基本實現(xiàn)方案、關(guān)鍵技術(shù)解決途徑,得出W波段雷達導引頭技術(shù)發(fā)展具有策略上的必要性和技術(shù)上的可行性的結(jié)論。

    標簽: W波段 雷達導引頭 技術(shù)分析

    上傳時間: 2013-12-04

    上傳用戶:mikesering

  • W-RXM2013高性能ASK無線超外差射頻接收模塊

    W-RXM2013基于高性能ASK無線超外差射頻接收芯片 設(shè)計,是一款完整的、體積小巧的、低功耗的無線接 收模塊。 模塊采用超高性價比ISM頻段接收芯片設(shè)計 主要設(shè)定為315MHz-433MHz頻段,標準傳輸速率下接 收靈敏度可達到-115dbm。并且具有行業(yè)內(nèi)同類方案W-RXM2013 Micrel、SYNOXO、PTC等知名品牌的芯片所不具備的超強抗干擾能力。外圍省去10.7M的中頻 器件模塊將芯片的使能腳引出,可作休眠喚醒控制,也可通過電阻跳線設(shè)置使能置高控制。 本公司推出該款模塊力求解決客戶開發(fā)產(chǎn)品過程中無線射頻部分的成本壓力,為客戶提供 性能卓越價格優(yōu)勢突出的電子組件。模塊接口采用金手指方式,方便生產(chǎn)及應(yīng)用。天線輸入部 分可以將接收天線焊接在模塊上面,也可以通過接口轉(zhuǎn)接至客戶主機板上,應(yīng)用非常靈活。 優(yōu)勢應(yīng)用:機電控制板、電源控制板、高低溫環(huán)境數(shù)據(jù)監(jiān)測等復雜條件下 的控制指令的無線傳輸。 1.1 基本特性 λ ●省電模式下,低電流損耗 ●方便投入應(yīng)用 ●高效的串行編程接口 ●工作溫度范圍:﹣40℃~+85℃ ●工作電壓:2.4~ 5.5 Volts. ●有效頻率:250-348Mhz, 400-464Mhz ●靈敏度高(-115dbm)、功耗低在3.5mA@315MHz應(yīng)用下 ●待機電流小于1uA,系統(tǒng)喚醒時間5ms(RF Input Power=-60dbm)

    標簽: W-RXM 2013 ASK 性能

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:dapangxie

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