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無(wú)線射頻識(shí)別

  • 射頻電路PCB設(shè)計

    射頻電路PCB設(shè)計

    標(biāo)簽: PCB 射頻電路

    上傳時間: 2013-10-29

    上傳用戶:liglechongchong

  • 射頻電路PCB設(shè)計中注意問題

      PCB 設(shè)計對于電路設(shè)計而言越來越重要。但不少設(shè)計者往往只注重原理設(shè)計,而對PCB 板的設(shè)計布局考慮不多,因此在完成的電路設(shè)計中常會出現(xiàn)EMC 問題。文中從射頻電路的特性出發(fā),闡述了射頻電路PCB 設(shè)計中需要注意的一些問題。

    標(biāo)簽: PCB 射頻電路

    上傳時間: 2013-10-24

    上傳用戶:cccole0605

  • 電路板維修相關(guān)技術(shù)資料

    電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經(jīng)驗及技術(shù)不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動態(tài)維修,危險性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費(fèi)用高,維修時間長 對老化零件無從查起無法預(yù)先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負(fù)擔(dān),客戶埋怨 投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績效不彰

    標(biāo)簽: 電路板維修 技術(shù)資料

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:chengxin

  • protel 99se進(jìn)行射頻電路PCB設(shè)計的流程

    介紹了采用protel 99se進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計的設(shè)計流程為了保證電路的性能。在進(jìn)行射頻電路pcb設(shè)計時應(yīng)考慮電磁兼容性,因而重點(diǎn)討論了元器件的布局與布線原則來達(dá)到電磁兼容的目的.關(guān)鍵詞 射頻電路 電磁兼容 布局

    標(biāo)簽: protel PCB 99 se

    上傳時間: 2013-10-17

    上傳用戶:yupw24

  • 基于FPGA的射頻熱療系統(tǒng)的設(shè)計

    采用高精度數(shù)字溫度傳感器DS18B20與可編程邏輯器件FPGA實現(xiàn)溫度測量與控制,并進(jìn)行溫度場的測量與控制實驗。實驗表明,一維控制器控制精度不夠,溫度超調(diào)比較大(1 ℃),而二維控制器的溫度超調(diào)就比較小(0.5 ℃)。因此,所設(shè)計的射頻溫度場溫度測量與控制的方法滿足熱療要求。與傳統(tǒng)方法相比,該系統(tǒng)具有設(shè)計靈活、現(xiàn)場可編程、調(diào)試簡單和體積小等特點(diǎn)。

    標(biāo)簽: FPGA 射頻熱療

    上傳時間: 2015-01-02

    上傳用戶:lhw888

  • 傳輸線與電路觀點(diǎn)詳解

      •1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時域分析 •1-3 正弦狀的行進(jìn)波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配

    標(biāo)簽: 傳輸線 電路

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:fhzm5658

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時,晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:372825274

  • 微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統(tǒng))

    微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統(tǒng)) 特點(diǎn): 精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點(diǎn)可任意設(shè)定 瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格: 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標(biāo)簽: 微電腦 單相交流 單相 電表

    上傳時間: 2015-01-03

    上傳用戶:幾何公差

  • GSM手機(jī)射頻指標(biāo)及測試

    GSM手機(jī)射頻指標(biāo)及測試一

    標(biāo)簽: GSM 手機(jī)射頻 指標(biāo) 測試

    上傳時間: 2013-11-24

    上傳用戶:sklzzy

  • 射頻同軸電纜屏蔽衰減測試方法

    屏蔽效能是表征射頻同軸電纜電磁兼容性的重要指標(biāo)。本文介紹了當(dāng)前各類典型的測試方法,并對其進(jìn)行了介紹

    標(biāo)簽: 射頻 同軸 電纜屏蔽 測試方法

    上傳時間: 2013-11-17

    上傳用戶:yl8908

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