•1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問(wèn)題的時(shí)域分析 •1-3 正弦狀的行進(jìn)波 •1-4 傳輸線問(wèn)題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問(wèn)題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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新代數(shù)控系統(tǒng)OpenCNC_PLC發(fā)展工具操作手冊(cè)V2.5。
標(biāo)簽： OpenCNC_PLC 2.5 數(shù)控系統(tǒng) 操作
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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集合式直流電能表（小功率的） 特點(diǎn)： 精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可同時(shí)量測(cè)與顯示/直流電壓/電流/瓦特（千瓦）/瓦特小時(shí)（千瓦小時(shí)） 電壓輸入（DC0-99.99V/0-600.0V）自動(dòng)變檔功能 顯示范圍0-9999(電流/瓦特/千瓦),0至99999999(八位數(shù)瓦特小時(shí))可任意規(guī)劃 數(shù)位RS-485 界面 (Optional) 主要規(guī)格： 輔助電源消耗功率：＜0.35VA(DC12V/DC24V) ＜0.5VA（DC48V） ＜1.5VA（AC90-240V(50/60Hz)） 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit (23 ±5℃) 輸入范圍：Auto range(DC0-99.99V/0-600.0V(DC voltage)) 輸入抗阻：＞5MΩ（DC voltage） 取樣時(shí)間：10 cycles/second(total) 過(guò)載顯示: " doFL " 顯示值范圍: 0-9999 digit（DCA/W(KW)） 0-9999999.999 digit(WH/(KWH)) RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通訊位址: "01"-"FF"（0-255） RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕:Bight Red LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣耐壓能力:2KVac/1min.(input/output)（RS-485(Isolating)） 1600 Vdc (input/output) （RS-485(Isolating)） 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2013-11-20
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針對(duì)一般測(cè)溫方法在進(jìn)行流體多點(diǎn)溫度測(cè)量時(shí)存在系統(tǒng)復(fù)雜，準(zhǔn)確度和速度難以兼顧的問(wèn)題，提出了一種基于溫度-頻率（T-F）變換的測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)使用PIC18F6722單片機(jī)控制MOS管開(kāi)關(guān)陣列，使多個(gè)測(cè)點(diǎn)的熱敏電阻分別與TLC555構(gòu)成振蕩電路，將測(cè)點(diǎn)的溫度變化轉(zhuǎn)化為振蕩頻率的變化，使用8253計(jì)數(shù)芯片對(duì)TLC555的輸出信號(hào)進(jìn)行測(cè)量并產(chǎn)生中斷，單片機(jī)讀取8253計(jì)數(shù)值反演為測(cè)點(diǎn)溫度。實(shí)驗(yàn)表明，測(cè)點(diǎn)數(shù)目增多不會(huì)增加測(cè)量系統(tǒng)的復(fù)雜程度，通過(guò)設(shè)置8253的計(jì)數(shù)初值，可以在不改變硬件的情況下靈活選擇測(cè)量的準(zhǔn)確度和速度，滿足了流體多點(diǎn)精確快速測(cè)溫的需求。同時(shí)該系統(tǒng)具備簡(jiǎn)潔實(shí)用，成本低的優(yōu)點(diǎn)。
上傳時(shí)間： 2013-10-23
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GSM手機(jī)射頻指標(biāo)及測(cè)試一
標(biāo)簽： GSM 手機(jī)射頻 指標(biāo) 測(cè)試
上傳時(shí)間： 2013-11-24
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屏蔽效能是表征射頻同軸電纜電磁兼容性的重要指標(biāo)。本文介紹了當(dāng)前各類典型的測(cè)試方法，并對(duì)其進(jìn)行了介紹
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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用對(duì)半分法計(jì)算f(x)=0
上傳時(shí)間： 2013-12-10
上傳用戶：小碼農(nóng)lz
用雙點(diǎn)弦截法計(jì)算f(x)=0
標(biāo)簽： 計(jì)算
上傳時(shí)間： 2013-11-28
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asfdsa f
標(biāo)簽： asfdsa
上傳時(shí)間： 2015-01-08
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