《深入理解Android：卷I》,講述android開(kāi)發(fā)中的要點(diǎn)，免分分享個(gè)大家！
標(biāo)簽： Android
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶(hù)：diamondsGQ
]本文介紹了如何利用CPLD(復(fù)雜可編程邏輯器件)與單片機(jī)的結(jié)合實(shí)現(xiàn)并行I／\r\nO(輸入／輸出)接口的擴(kuò)展。該設(shè)計(jì)與用8255做并行I／O接口相比，與單片機(jī)軟件完全兼容，\r\n同時(shí)擁有速度快，功耗低，價(jià)格便宜，使用靈活等特點(diǎn)
標(biāo)簽： CPLD 如何利用 單片機(jī) 并行
上傳時(shí)間： 2013-08-14
上傳用戶(hù)：xa_lgy
:針對(duì)現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)芯片的特點(diǎn),研究FPGA中雙向端口I/O的設(shè)計(jì),同時(shí)給出仿真初始化雙向端口I/O的方法。采用這種雙向端口的設(shè)計(jì)方法,選用Xilinx的Spartan2E芯片設(shè)計(jì)一個(gè)多通道圖像信號(hào)處理系統(tǒng)。
上傳時(shí)間： 2013-08-17
上傳用戶(hù)：xiaoyunyun
一種基于CPLD和PC I總線(xiàn)的視頻采集卡的設(shè)計(jì)方案
標(biāo)簽： CPLD 總線(xiàn) 卡的設(shè)計(jì) 視頻采集
上傳時(shí)間： 2013-08-24
上傳用戶(hù)：123啊
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
標(biāo)簽： 單端應(yīng)用 差分 放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-23
上傳用戶(hù)：rocketrevenge
抑制△I 噪聲一般需要從多方面著手, 但通過(guò)PCB 設(shè)計(jì)抑制△I 噪聲是有效的措施之一。如何通過(guò)PCB 設(shè)計(jì)抑制△I 噪聲是一個(gè)亟待深入研究的問(wèn)題。在對(duì)△I 噪聲的產(chǎn)生、特點(diǎn)、主要危害等研究的基礎(chǔ)上, 討論了輻射干擾機(jī)理, 重點(diǎn)結(jié)合PCB 和EMC 研究的新進(jìn)展, 研究了抑制△I 噪聲的PCB 設(shè)計(jì)方法。對(duì)通過(guò)PCB 設(shè)計(jì)抑制△I 噪聲的研究與應(yīng)用具有指導(dǎo)作用。
標(biāo)簽： PCB 設(shè)計(jì)方法
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶(hù)：時(shí)代電子小智
PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線(xiàn)路；多層板之上、下兩層線(xiàn)路及內(nèi)層走線(xiàn)皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱(chēng)為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線(xiàn)13. Grid : 佈線(xiàn)時(shí)的走線(xiàn)格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠(chǎng)ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠(chǎng)商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶(hù)：pei5
半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線(xiàn)連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線(xiàn)從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線(xiàn)，若以L(fǎng)ED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線(xiàn)連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線(xiàn)、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶(hù)：蒼山觀海
對(duì)於集成電路而言，汽車(chē)是一種苛刻的使用環(huán)境，這裡，引擎罩下的工作溫度範(fàn)圍可寬達(dá) -40°C 至 125°C，而且，在電池電壓總線(xiàn)上出現(xiàn)大瞬變偏移也是預(yù)料之中的事
標(biāo)簽： 集成 電流檢測(cè) 保護(hù) 汽車(chē)系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶(hù)：zhaiye
PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介
標(biāo)簽： chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶(hù)：xiehao13
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