介紹了Maxim公司推出的MAX6675器件的特點(diǎn)、工作原理,該器件是具有冷端補(bǔ)償?shù)膯纹琄型熱電偶放大器與數(shù)字轉(zhuǎn)換器。詳細(xì)描述了其與單片機(jī)AT89C52構(gòu)成的數(shù)字化溫度測(cè)量?jī)x的硬件連接電路及軟件實(shí)現(xiàn)方法。
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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1. 文件比較器TKSDiff ：a) 二進(jìn)制比較：支持字體設(shè)置和文件改動(dòng)監(jiān)測(cè)，微調(diào)智能比較算法b) 支持文件拖拽，內(nèi)容替換和插入c) 支持復(fù)制選中文本和比較文件的文件名d) 支持選中內(nèi)容的導(dǎo)出e) 顯示智能比較完成度f(wàn)) 處理k-flash命令行g(shù)) 禁止大文件間的比較h) 修正部分內(nèi)存越界問題i) 修正消除二進(jìn)制標(biāo)題時(shí)有時(shí)無(wú)問題j) 修正目錄比較界面模塊資源泄漏問題k) 修正快速比較設(shè)置起始地址 bug
標(biāo)簽： TKStudio IDE 集成開發(fā)環(huán)境 記錄
上傳時(shí)間： 2013-10-13
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Although Stellaris microcontrollers have generous internal SRAM capabilities, certain applicationsmay have data storage requirements that exceed the 8 KB limit of the Stellaris LM3S8xx seriesdevices. Since microcontrollers do not have an external parallel data-bus, serial memory optionsmust be considered. Until recently, the ubiquitous serial EEPROM/flash device was the only serialmemory solution. The major limitations of EEPROM and flash technology are slow write speed, slowerase times, and limited write/erase endurance.Recently, serial SRAM devices have become available as a solution for high-speed dataapplications. The N256S08xxHDA series of devices, from AMI Semiconductor, offer 32 K x 8 bits oflow-power data storage, a fast Serial Peripheral Interface (SPI) serial bus, and unlimited write cycles.The parts are available in 8-pin SOIC and compact TSSOP packages.
標(biāo)簽： Adding Serial SRAM 32
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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基于單片機(jī)的陶瓷窯多點(diǎn)溫度檢測(cè)系統(tǒng):摘 要：系統(tǒng)以51單片機(jī)為核心，利用K型熱電偶作為傳感器，對(duì)陶瓷窯中多點(diǎn)溫度進(jìn)行監(jiān)控，通過串行通信，可供PC機(jī)上繪制溫度變化曲線圖的技術(shù)人員分析問題，并設(shè)計(jì)了新穎的冷端補(bǔ)償電路和通用查表法，本系統(tǒng)成本低，測(cè)溫精度高，可靠實(shí)用．關(guān)鍵詞：?jiǎn)纹瑱C(jī)；串行通信；冷端溫度補(bǔ)償；VB 在燒結(jié)陶瓷時(shí)，火候的控制對(duì)陶瓷的質(zhì)量、色澤有直接的影響，進(jìn)一步影響陶瓷成品的價(jià)格，而長(zhǎng)期以來(lái)控制火候的工作就依靠工人師傅的經(jīng)驗(yàn)，本文設(shè)計(jì)了一種多點(diǎn)溫度實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)，它能在Pc機(jī)上實(shí)時(shí)顯示測(cè)量點(diǎn)的溫度而且如果溫度超過設(shè)定的臨界值時(shí)，就發(fā)出信號(hào)報(bào)警，并且可以通過Pc機(jī)繪制同一個(gè)時(shí)刻不同點(diǎn)或者是不同時(shí)刻同一點(diǎn)的溫度變化曲線．這樣能有助于發(fā)現(xiàn)問題并解決問題，為節(jié)約成本和提高生產(chǎn)率、生產(chǎn)質(zhì)量做出貢獻(xiàn)．
標(biāo)簽： 單片機(jī) 陶瓷 多點(diǎn) 溫度檢測(cè)
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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基于PIC單片機(jī)的脈沖電源:設(shè)計(jì)了一種金屬凝固過程用脈沖電源。該電源采用PIC16F877作為主控芯片，實(shí)現(xiàn)對(duì)窄脈沖電流幅值的檢測(cè)，以及時(shí)電流脈沖幅值根據(jù)模糊PID算法進(jìn)行閑環(huán)控制。使用結(jié)果表明：該電源的輸出脈沖波形良好，電流幅值穩(wěn)定，滿足合金材料凝固過程的工藝要求且運(yùn)行穩(wěn)定可靠。關(guān)鍵詞：脈沖電源；PIC16F877單片機(jī)；模糊PID；閑環(huán)控制 Abstract：A kind of pulse power supply was designed which uses in the metal solidification process ．．I11is power supply used PIC16F877 to take the master control chip reali on to the narrow pulse electric current peak-to-peak value examination，carried on the closed-loop control to the electric current pulse peak-to-peak value basis fuzzy PID algorithm．The use result indicated ，this power supply output se profile is good，and the electric current peak-to-p~k value is stable，It satisfies the alloy material solidification process the technological requirement and movement stable reliable，Key words：p se po wer supply；PIC16F877single-chip microcontroller；f r PID；closed-loop control
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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基于單片機(jī)的LED漢字顯示屏設(shè)計(jì)與制作：在大型商場(chǎng)、車站、碼頭、地鐵站以及各類辦事窗口等越來(lái)越多的場(chǎng)所需要用LED點(diǎn)陣顯示圖形和漢字。LED行業(yè)已成為一個(gè)快速發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)，市場(chǎng)空間巨大，前景廣闊。隨著信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，LED顯示作為信息傳播的一種重要手段，已廣泛應(yīng)用于室內(nèi)外需要進(jìn)行服務(wù)內(nèi)容和服務(wù)宗旨宣傳的公眾場(chǎng)所，例如戶內(nèi)外公共場(chǎng)所廣告宣傳、機(jī)場(chǎng)車站旅客引導(dǎo)信息、公交車輛報(bào)站系統(tǒng)、證券與銀行信息顯示、餐館報(bào)價(jià)信息豆示、高速公路可變情報(bào)板、體育場(chǎng)館比賽轉(zhuǎn)播、樓宇燈飾、交通信號(hào)燈、景觀照明等。顯然，LED顯示已成為城市亮化、現(xiàn)代化和信息化社會(huì)的一個(gè)重要標(biāo)志。 本文基于單片機(jī)(AT89C51)講述了16×16 LED漢字點(diǎn)陣顯示的基本原理、硬件組成與設(shè)計(jì)、程序編譯與下載等基本環(huán)節(jié)和相關(guān)技術(shù)。2 硬件電路組成及工作原理本產(chǎn)品擬采用以AT89C51單片機(jī)為核心芯片的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，主要由AT89C51芯片、時(shí)鐘電路、復(fù)位電路、列掃描驅(qū)動(dòng)電路(74HC154)、16×16 LED點(diǎn)陣5部分組成，如圖1所示。 其中，AT89C51是一種帶4 kB閃爍可編程可擦除只讀存儲(chǔ)器(Falsh Programmable and Erasable Read OnlyMemory，F(xiàn)PEROM)的低電壓、高性能CMOS型8位微處理器，俗稱單片機(jī)。該器件采用ATMEL高密度非易失存儲(chǔ)器制造技術(shù)制造，與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的MCS-51指令集和輸出管腳相兼容。由于將多功能8位CPU和閃爍存儲(chǔ)器組合在單個(gè)芯片中，能夠進(jìn)行1 000次寫／擦循環(huán)，數(shù)據(jù)保留時(shí)間為10年。他是一種高效微控制器，為很多嵌入式控制系統(tǒng)提供了一種靈活性高且價(jià)廉的方案。因此，在智能化電子設(shè)計(jì)與制作過程中經(jīng)常用到AT89C51芯片。時(shí)鐘電路由AT89C51的18，19腳的時(shí)鐘端(XTALl及XTAL2)以及12 MHz晶振X1、電容C2，C3組成，采用片內(nèi)振蕩方式。復(fù)位電路采用簡(jiǎn)易的上電復(fù)位電路，主要由電阻R1，R2，電容C1，開關(guān)K1組成，分別接至AT89C51的RST復(fù)位輸入端。LED點(diǎn)陣顯示屏采用16×16共256個(gè)象素的點(diǎn)陣，通過萬(wàn)用表檢測(cè)發(fā)光二極管的方法測(cè)試判斷出該點(diǎn)陣的引腳分布，如圖2所示。 我們把行列總線接在單片機(jī)的IO口，然后把上面分析到的掃描代碼送人總線，就可以得到顯示的漢字了。但是若將LED點(diǎn)陣的行列端口全部直接接入89S51單片機(jī)，則需要使用32條IO口，這樣會(huì)造成IO資源的耗盡，系統(tǒng)也再無(wú)擴(kuò)充的余地。因此，我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中只是將LED點(diǎn)陣的16條行線直接接在P0口和P2口，至于列選掃描信號(hào)則是由4-16線譯碼器74HC154來(lái)選擇控制，這樣一來(lái)列選控制只使用了單片機(jī)的4個(gè)IO口，節(jié)約了很多IO資源，為單片機(jī)系統(tǒng)擴(kuò)充使用功能提供了條件。考慮到P0口必需設(shè)置上拉電阻，我們采用4.7 kΩ排電阻作為上拉電阻。
標(biāo)簽： LED 單片機(jī) 漢字 顯示屏設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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本文以氣體流量的計(jì)量為背景，對(duì)理想氣體狀態(tài)方程、R-K狀態(tài)方程等的測(cè)量誤差進(jìn)行了分析，提出了在線流量計(jì)量中溫度、壓力補(bǔ)償，壓縮因子Z的修正方法，并利用單片機(jī)實(shí)時(shí)在線補(bǔ)償和修正，從而提高了氣體流量計(jì)量的精度。
上傳時(shí)間： 2013-11-23
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P C B 可測(cè)性設(shè)計(jì)布線規(guī)則之建議― ― 從源頭改善可測(cè)率PCB 設(shè)計(jì)除需考慮功能性與安全性等要求外，亦需考慮可生產(chǎn)與可測(cè)試。這里提供可測(cè)性設(shè)計(jì)建議供設(shè)計(jì)布線工程師參考。1. 每一個(gè)銅箔電路支點(diǎn)，至少需要一個(gè)可測(cè)試點(diǎn)。如無(wú)對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)，將可導(dǎo)致與之相關(guān)的開短路不可檢出，并且與之相連的零件會(huì)因無(wú)測(cè)試點(diǎn)而不可測(cè)。2. 雙面治具會(huì)增加制作成本，且上針板的測(cè)試針定位準(zhǔn)確度差。所以Layout 時(shí)應(yīng)通過Via Hole 盡可能將測(cè)試點(diǎn)放置于同一面。這樣就只要做單面治具即可。3. 測(cè)試選點(diǎn)優(yōu)先級(jí)：A.測(cè)墊(Test Pad) B.通孔(Through Hole) C.零件腳(Component Lead) D.貫穿孔(Via Hole)(未Mask)。而對(duì)于零件腳，應(yīng)以AI 零件腳及其它較細(xì)較短腳為優(yōu)先，較粗或較長(zhǎng)的引腳接觸性誤判多。4. PCB 厚度至少要62mil(1.35mm)，厚度少于此值之PCB 容易板彎變形，影響測(cè)點(diǎn)精準(zhǔn)度，制作治具需特殊處理。5. 避免將測(cè)點(diǎn)置于SMT 之PAD 上，因SMT 零件會(huì)偏移，故不可靠，且易傷及零件。6. 避免使用過長(zhǎng)零件腳(>170mil(4.3mm))或過大的孔(直徑>1.5mm)為測(cè)點(diǎn)。7. 對(duì)于電池(Battery)最好預(yù)留Jumper，在ICT 測(cè)試時(shí)能有效隔離電池的影響。8. 定位孔要求：(a) 定位孔(Tooling Hole)直徑最好為125mil(3.175mm)及其以上。(b) 每一片PCB 須有2 個(gè)定位孔和一個(gè)防呆孔(也可說(shuō)成定位孔,用以預(yù)防將PCB反放而導(dǎo)致機(jī)器壓破板)，且孔內(nèi)不能沾錫。(c) 選擇以對(duì)角線，距離最遠(yuǎn)之2 孔為定位孔。(d) 各定位孔(含防呆孔)不應(yīng)設(shè)計(jì)成中心對(duì)稱,即PCB 旋轉(zhuǎn)180 度角后仍能放入PCB,這樣,作業(yè)員易于反放而致機(jī)器壓破板)9. 測(cè)試點(diǎn)要求：(e) 兩測(cè)點(diǎn)或測(cè)點(diǎn)與預(yù)鉆孔之中心距不得小于50mil(1.27mm)，否則有一測(cè)點(diǎn)無(wú)法植針。以大于100mil(2.54mm)為佳，其次是75mil(1.905mm)。(f) 測(cè)點(diǎn)應(yīng)離其附近零件(位于同一面者)至少100mil，如為高于3mm 零件，則應(yīng)至少間距120mil，方便治具制作。(g) 測(cè)點(diǎn)應(yīng)平均分布于PCB 表面，避免局部密度過高，影響治具測(cè)試時(shí)測(cè)試針壓力平衡。(h) 測(cè)點(diǎn)直徑最好能不小于35mil(0.9mm)，如在上針板，則最好不小于40mil(1.00mm)，圓形、正方形均可。小于0.030”(30mil)之測(cè)點(diǎn)需額外加工，以導(dǎo)正目標(biāo)。(i) 測(cè)點(diǎn)的Pad 及Via 不應(yīng)有防焊漆(Solder Mask)。(j) 測(cè)點(diǎn)應(yīng)離板邊或折邊至少100mil。(k) 錫點(diǎn)被實(shí)踐證實(shí)是最好的測(cè)試探針接觸點(diǎn)。因?yàn)殄a的氧化物較輕且容易刺穿。以錫點(diǎn)作測(cè)試點(diǎn)，因接觸不良導(dǎo)致誤判的機(jī)會(huì)極少且可延長(zhǎng)探針使用壽命。錫點(diǎn)尤其以PCB 光板制作時(shí)的噴錫點(diǎn)最佳。PCB 裸銅測(cè)點(diǎn)，高溫后已氧化，且其硬度高，所以探針接觸電阻變化而致測(cè)試誤判率很高。如果裸銅測(cè)點(diǎn)在SMT 時(shí)加上錫膏再經(jīng)回流焊固化為錫點(diǎn)，雖可大幅改善，但因助焊劑或吃錫不完全的緣故，仍會(huì)出現(xiàn)較多的接觸誤判。
標(biāo)簽： PCB 可測(cè)性設(shè)計(jì) 布線規(guī)則
上傳時(shí)間： 2014-01-14
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通用的多電源總線，如VME、VXI 和PCI 總線，都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V（或±24V）電源，如果在這些系統(tǒng)中添加設(shè)備（如插卡等），則需要額外的3.3V或5V電源，這個(gè)電源通常由負(fù)載較輕的-12V電源提供。圖1 電路，將-12V 電壓升壓到15.3V（相對(duì)于-12V 電壓），進(jìn)而得到3.3V 的電源電壓，輸出電流可達(dá)300mA。Q2 將3.3V 電壓轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)碾妷海?10.75V）反饋給IC1 的FB 引腳，PWM 升壓控制器可提供1W 的輸出功率，轉(zhuǎn)換效率為83%。整個(gè)電路大約占6.25Cm2的線路板尺寸，適用于依靠臺(tái)式PC機(jī)電源供電，需要提供1W輸出功率的應(yīng)用，這種應(yīng)用中，由于-12V總線電壓限制在1.2W以內(nèi)，因此需要保證高于83%的轉(zhuǎn)換效率。由于限流電阻（RSENSE）將峰值電流限制在120mA，N 溝道MOSFET（Q1）可選用廉價(jià)的邏輯電平驅(qū)動(dòng)型場(chǎng)效應(yīng)管，R1、R2 設(shè)置輸出電壓（3.3V 或5V）。IC1 平衡端（Pin5）的反饋電壓高于PGND引腳（Pin7）1.25V，因此：VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V選擇電阻R1后，可確定：I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA可由下式確定R2：R2 = （VOUT - VBE）/ I2 =（3.3V - 0.7V）/ 103μA = 25.2 kΩ圖1 中，IC1 的開關(guān)頻率允許通過外部電阻設(shè)置，頻率范圍為100kHz 至500kHz，有利于RF、數(shù)據(jù)采集模塊等產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。當(dāng)選擇較高的開關(guān)頻率時(shí)，能夠保證較高的轉(zhuǎn)換效率，并可選用較小的電感和電容。為避免電流倒流，可在電路中增加一個(gè)與R1串聯(lián)的二極管。
上傳時(shí)間： 2013-10-17
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計(jì)算機(jī)應(yīng)用中，有時(shí)需處理的信息不是數(shù)字量，而是一些隨時(shí)間連續(xù)變化的模擬量，甚至是一些非電量，如溫度、壓力、速度等。模擬量的存儲(chǔ)處理困難。首先將非電的模擬信號(hào)變成與之對(duì)應(yīng)的模擬電信號(hào)，這要通過各種傳感器來(lái)完成。計(jì)算機(jī)可處理的信息均是數(shù)字量（電脈沖信號(hào)）1和0，必須把要處理的模擬電量轉(zhuǎn)換成數(shù)字化的電信號(hào)，這需要模擬(Analog)與數(shù)字(Digital)轉(zhuǎn)換電路。數(shù)字到模擬轉(zhuǎn)換:(Digital to Analog Convert, D/A) D/A轉(zhuǎn)換電路是模擬電路加上電子開關(guān)。D/A轉(zhuǎn)換電路的核心是一個(gè)運(yùn)算放大器。運(yùn)算放大器的特性:(Operation Amplifier) K->無(wú)窮大， V和->0 傳遞函數(shù)：V0 = -Vi * R0/Ri Ii->0, I和=If梯形R-2R電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器Ki受一個(gè)8位二進(jìn)制代碼控制 某位為1，對(duì)應(yīng)開關(guān)K倒向右邊； 某位為0，對(duì)應(yīng)開關(guān)K倒向左邊。Ki不論倒向哪邊，均為接地VA-VH 的電位為： VREF，1/2VREF，..1/128VREFVO= -VREF *（1/2K7+1/4K6+…+1/256K0）V0= -（0-255/256）VREF 8位D/A轉(zhuǎn)換器DAC0830系列器件國(guó)家半導(dǎo)體公司（NS)產(chǎn)品，0830、0831、0832。R-2R梯形電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器，雙緩沖結(jié)構(gòu)。單電源、低功耗、電流建立時(shí)間1uS。與微計(jì)算機(jī)接口方便。8位D/A轉(zhuǎn)換器DAC0830系列器件ILE： 輸入鎖存允許； WR1#： 加載IN REG； WR2#: 加載DAC REG； XFER#: IN REG傳到DAC REG； Iout1,Iout2: 外接OA輸入； Rfb: 反饋電阻接OA輸出； VREF： 參考電源，控制輸出電壓變化范圍。
標(biāo)簽： AD轉(zhuǎn)換
上傳時(shí)間： 2013-10-16
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