電路板布局………………………………………42.1 電源和地…………………………………………………………………….42.1.1 感抗……………………………………………………………………42.1.2 兩層板和四層板………………………………………………………42.1.3 單層板和二層板設(shè)計(jì)中的微處理器地……………………………….42.1.4 信號(hào)返回地……………………………………………………………52.1.5 模擬數(shù)字和高壓…………………………………………………….52.1.6 模擬電源引腳和模擬參考電壓……………………………………….52.1.7 四層板中電源平面因該怎么做和不應(yīng)該怎么做…………………….52.2 兩層板中的電源分配……………………………………………………….62.2.1 單點(diǎn)和多點(diǎn)分配……………………………………………………….62.2.2 星型分配………………………………………………………………62.2.3 格柵化地……………………………………………………………….72.2.4 旁路和鐵氧體磁珠……………………………………………………92.2.5 使噪聲靠近磁珠……………………………………………………..102.3 電路板分區(qū)………………………………112.4 信號(hào)線……………………………………………………………………...122.4.1 容性和感性串?dāng)_……………………………………………………...122.4.2 天線因素和長(zhǎng)度規(guī)則………………………………………………...122.4.3 串聯(lián)終端傳輸線…………………………………………………..132.4.4 輸入阻抗匹配………………………………………………………...132.5 電纜和接插件……………………………………………………………...132.5.1 差模和共模噪聲……………………………………………………...142.5.2 串?dāng)_模型……………………………………………………………..142.5.3 返回線路數(shù)目……………………………………..142.5.4 對(duì)板外信號(hào)I/O的建議………………………………………………142.5.5 隔離噪聲和靜電放電ESD ……………………………………….142.6 其他布局問(wèn)題……………………………………………………………...142.6.1 汽車(chē)和用戶應(yīng)用帶鍵盤(pán)和顯示器的前端面板印刷電路板………...152.6.2 易感性布局…………………………………………………………...15
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門(mén)話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很?chē)?yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很?chē)?yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
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減小電磁干擾的印刷電路板設(shè)計(jì)原則 內(nèi) 容 摘要……1 1 背景…1 1.1 射頻源.1 1.2 表面貼裝芯片和通孔元器件.1 1.3 靜態(tài)引腳活動(dòng)引腳和輸入.1 1.4 基本回路……..2 1.4.1 回路和偶極子的對(duì)稱性3 1.5 差模和共?！?.3 2 電路板布局…4 2.1 電源和地…….4 2.1.1 感抗……4 2.1.2 兩層板和四層板4 2.1.3 單層板和二層板設(shè)計(jì)中的微處理器地.4 2.1.4 信號(hào)返回地……5 2.1.5 模擬數(shù)字和高壓…….5 2.1.6 模擬電源引腳和模擬參考電壓.5 2.1.7 四層板中電源平面因該怎么做和不應(yīng)該怎么做…….5 2.2 兩層板中的電源分配.6 2.2.1 單點(diǎn)和多點(diǎn)分配.6 2.2.2 星型分配6 2.2.3 格柵化地.7 2.2.4 旁路和鐵氧體磁珠……9 2.2.5 使噪聲靠近磁珠……..10 2.3 電路板分區(qū)…11 2.4 信號(hào)線……...12 2.4.1 容性和感性串?dāng)_……...12 2.4.2 天線因素和長(zhǎng)度規(guī)則...12 2.4.3 串聯(lián)終端傳輸線…..13 2.4.4 輸入阻抗匹配...13 2.5 電纜和接插件……...13 2.5.1 差模和共模噪聲……...14 2.5.2 串?dāng)_模型……..14 2.5.3 返回線路數(shù)目..14 2.5.4 對(duì)板外信號(hào)I/O的建議14 2.5.5 隔離噪聲和靜電放電ESD .14 2.6 其他布局問(wèn)題……...14 2.6.1 汽車(chē)和用戶應(yīng)用帶鍵盤(pán)和顯示器的前端面板印刷電路板...15 2.6.2 易感性布局…...15 3 屏蔽..16 3.1 工作原理…...16 3.2 屏蔽接地…...16 3.3 電纜和屏蔽旁路………………..16 4 總結(jié)…………………………………………17 5 參考文獻(xiàn)………………………17
標(biāo)簽： 印刷電路板 設(shè)計(jì)原則
上傳時(shí)間： 2013-10-24
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PCB LAYOUT 基本規(guī)範(fàn)項(xiàng)次 項(xiàng)目 備註1 一般PCB 過(guò)板方向定義： PCB 在SMT 生產(chǎn)方向?yàn)槎踢呥^(guò)迴焊爐(Reflow), PCB 長(zhǎng)邊為SMT 輸送帶夾持邊. PCB 在DIP 生產(chǎn)方向?yàn)镮/O Port 朝前過(guò)波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過(guò)板方向定義： SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直. DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil. SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區(qū)).PAD
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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凌力爾特公司提供了一個(gè)規(guī)模龐大且不斷成長(zhǎng)的高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器繫列，這些器件是專為驅(qū)動(dòng)高功率 LED 而設(shè)計(jì)的。
標(biāo)簽： LED 高電壓 降壓型轉(zhuǎn)換器 驅(qū)動(dòng)高功率
上傳時(shí)間： 2013-11-12
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由於性電池容易購(gòu)買(mǎi)而且價(jià)格相對(duì)便宜，因此它為人們帶來(lái)了方便，並且成為了便攜式儀器以及室外消遣娛樂(lè)設(shè)備的電源選擇。
標(biāo)簽： 700 mV 同步升壓 轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2014-01-07
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LTC®4223 是一款符合微通信計(jì)算架構(gòu) (MicroTCA) 規(guī)範(fàn)電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器，該規(guī)範(fàn)於近期得到了 PCI 工業(yè)計(jì)算機(jī)制造商組織 (PICMG) 的批準(zhǔn)。
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文中提出了一種應(yīng)用于印刷電路板的新穎二維電磁帶隙（MS-EBG）結(jié)構(gòu),其單位晶格由折線縫隙組合與正方形貼片橋接構(gòu)成,以抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲。結(jié)果表明,抑制深度為-30 dB時(shí),與傳統(tǒng)L-bridged EBG結(jié)構(gòu)比較,新EBG結(jié)構(gòu)的阻帶寬度增加1.3 GHz,相對(duì)帶寬提高了約10%,能夠有效抑制0.6～5.9 GHz的同步開(kāi)關(guān)噪聲。
標(biāo)簽： 同步開(kāi)關(guān)噪聲 電磁 帶隙結(jié)構(gòu)
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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HCS08HCS12系列單片機(jī) 飛思卡爾公司的 HCS08/HCS12 系列 MCU，因其速度快、功能強(qiáng)、功耗小、價(jià) 格低等特點(diǎn)，在業(yè)界得到了廣泛的應(yīng)用。 在 HCS08/HCS12 系列 MCU 中，飛思卡爾引入了新的片上調(diào)試技術(shù)——BDM。 這種調(diào)試技術(shù)由于其優(yōu)越的性能而逐漸被業(yè)界接受，成為廣泛使用的MCU在線編程 調(diào)試方法。針對(duì) BDM 技術(shù)，國(guó)外公司提供了功能強(qiáng)大的編程調(diào)試器，但價(jià)格高昂， 難以被國(guó)內(nèi)廣大用戶接受；國(guó)內(nèi)一些高校也進(jìn)行了相關(guān)研究開(kāi)發(fā)，但是研發(fā)的編程調(diào) 試器大多存在以下三個(gè)問(wèn)題：一是隨著飛思卡爾MCU總線頻率的不斷提高，這些編 程調(diào)試器已經(jīng)不能適應(yīng)與高頻率MCU的通信的要求；二是無(wú)法與飛思卡爾的集成開(kāi) 發(fā)環(huán)境 CodeWarrior 兼容，使用很不方便；三是由于采用 USB1.1 協(xié)議，導(dǎo)致整體通 信速度很慢。 本文對(duì)國(guó)內(nèi)外已有的HCS08/HCS12 編程調(diào)試器進(jìn)行了深入的技術(shù)分析，綜合目 前微控制器的最新發(fā)展技術(shù)，提出了采用USB2.0 通信接口的編程調(diào)試器硬件及底層 驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)方案，實(shí)現(xiàn)了一種新型高效的適用于飛思卡爾 HCS08/HCS12 系列 MCU 的 USBDM（Universal BDM，通用 BDM編程調(diào)試器)，有效地解決了國(guó)內(nèi)編程調(diào)試 器普遍存在的頻率瓶頸及通信速度。同時(shí)，本文在研究CodeWarrior的通信接口規(guī)范 的基礎(chǔ)上，剖析了CodeWarrior中通信接口函數(shù)的功能，實(shí)現(xiàn)了作者編程調(diào)試器體系 中的通信函數(shù)，使之適用于 CodeWarrior 開(kāi)發(fā)環(huán)境。USBDM 編程調(diào)試器通信函數(shù)動(dòng) 態(tài)鏈接庫(kù)的設(shè)計(jì)，不僅便于使用編程調(diào)試器進(jìn)行二次開(kāi)發(fā)，也方便了驅(qū)動(dòng)程序的更新。
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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附件是51mini仿真器中文使用手冊(cè)，其中包括有51mini的驅(qū)動(dòng)，USB安裝指南及USB驅(qū)動(dòng)程序。 2003 年 SST 公司推出了 SST89C54/58 芯片，并且在官方網(wǎng)站公布了單片機(jī)仿真程序，配合 KEIL 可以實(shí)現(xiàn)標(biāo) 準(zhǔn) 51 內(nèi)核芯片的單步調(diào)試等等，從而實(shí)現(xiàn)了一個(gè)簡(jiǎn)單的 51 單片機(jī)仿真方案，將仿真器直接拉低到一顆芯片的價(jià) 格。 但是， 1 分錢(qián) 1 分貨，這個(gè)仿真方案由于先天的缺陷存在若干重大問(wèn)題： 占用 p30,p31 端口 占用定時(shí)器 2 占用 8 個(gè) sp 空間 運(yùn)行速度慢 最高通信速度只有 38400，無(wú)法運(yùn)行 c 語(yǔ)言程序。（由于 c 語(yǔ)言程序會(huì)調(diào)用庫(kù)文件，每單步一次 的時(shí)間足夠你吃個(gè)早飯） 所以，網(wǎng)上大量銷售的這種這種仿真器最多只能仿真跑馬燈等簡(jiǎn)單程序，并沒(méi)有實(shí)際使用價(jià)值。51mini 是深 圳市學(xué)林電子有限公司開(kāi)發(fā)生產(chǎn)的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代專業(yè)仿真器，采用雙 CPU 方案，一顆負(fù)責(zé)和 KEIL 解 釋，另外一顆負(fù)責(zé)運(yùn)行用戶程序，同時(shí)巧妙利用 CPU 的 P4 口通信，釋放 51 的 P30,P31，完美解決了上述問(wèn)題， 體積更小，是目前價(jià)格最低的專業(yè)級(jí)別 51 單片機(jī)仿真器，足以勝任大型項(xiàng)目開(kāi)發(fā)。 51mini仿真器創(chuàng)新設(shè)計(jì)： 1 三明治夾心雙面貼片，體積縮小到只有芯片大小，真正的“嵌入式”結(jié)構(gòu)。 2 大量采用最新工藝和器件，全貼片安裝，進(jìn)口鉭電容，貼片電解。 3 采用快恢復(fù)保險(xiǎn)，即便短路也可有效保護(hù)。 4 單 USB 接口，無(wú)需外接電源和串口，臺(tái)式電腦、無(wú)串口的筆記本均適用。三 CPU 設(shè)計(jì)，采用仿真芯片＋監(jiān)控 芯片＋USB 芯片結(jié)構(gòu)，是一款真正獨(dú)立的仿真器，不需要依賴開(kāi)發(fā)板運(yùn)行。 5 下載仿真通訊急速 115200bps，較以前版本提高一個(gè)數(shù)量級(jí)(10 倍以上)，單步運(yùn)行如飛。 6 不占資源，無(wú)限制真實(shí)仿真（32 個(gè) IO、串口、T2 可完全單步仿真），真實(shí)仿真 32 條 IO 腳，包括任意使用 P30 和 P31 口。 7 兼容 keilC51 UV2 調(diào)試環(huán)境支持單步、斷點(diǎn)、隨時(shí)可查看寄存器、變量、IO、內(nèi)存內(nèi)容。可仿真各種 51 指 令兼容單片機(jī)，ATMEL、Winbond、INTEL、SST、ST 等等。可仿真 ALE 禁止，可仿真 PCA，可仿真雙 DPTR，可仿真 硬件 SPI。媲美 2000 元級(jí)別專業(yè)仿真器！ 8 獨(dú)創(chuàng)多聲響和 led 指示實(shí)時(shí)系統(tǒng)狀態(tài)和自檢。 9 獨(dú)創(chuàng)長(zhǎng)按復(fù)位鍵自動(dòng)進(jìn)入脫機(jī)運(yùn)行模式，這時(shí)仿真機(jī)就相當(dāng)于目標(biāo)板上燒好的一個(gè)芯片，可以更加真實(shí)的運(yùn) 行。這種情況下實(shí)際上就變了一個(gè)下載器，而且下次上電時(shí)仍然可以運(yùn)行上次下載的程序。 USB 驅(qū)動(dòng)的安裝 第一步：用隨機(jī) USB 通訊電纜連接儀器的 USB 插座和計(jì)算機(jī) USB口；顯示找到新硬件向?qū)?，選擇“從列表或指定位置安裝（高級(jí)）”選項(xiàng)，進(jìn)入下一步； 第二步：選擇“在搜索中包括這個(gè)位置”，點(diǎn)擊“瀏覽”，定位到配套驅(qū)動(dòng)光盤(pán)的驅(qū)動(dòng)程序文件夾，如 E:\驅(qū)動(dòng)程序\XLISP 驅(qū)動(dòng)程序\USBDRIVER2.0\，進(jìn)入下一步； 第三步：彈出“硬件安裝”對(duì)話框，如果系統(tǒng)提示“沒(méi)有通過(guò)Windows 徽標(biāo)測(cè)試…”，不用理會(huì)，點(diǎn)擊“仍然繼續(xù)”，向?qū)Ъ撮_(kāi)始安裝軟件；然后彈出“完成找到新硬件向?qū)?rdquo;對(duì)話框，點(diǎn)擊完成。 第四步：系統(tǒng)第二次彈出“找到新的硬件向?qū)?rdquo;對(duì)話框，重復(fù)以上幾個(gè)步驟； 右下角彈出對(duì)話框“新硬件已安裝并可以使用了”，表明 USB 驅(qū)動(dòng)已成功安裝。你可以進(jìn)入系統(tǒng)的：控制面板\系統(tǒng)\硬件\設(shè)備管理器中看到以下端口信息， 表示系統(tǒng)已經(jīng)正確的安裝了 USB 驅(qū)動(dòng)。
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