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波形產(chǎn)生

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能?;诩捎嫈灯鞯腘進制計數器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽: 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • 對非整周期正弦波形信噪比計算方法的研究

    以雙音多頻信號為例,通過運用快速傅里葉變換和Hanning窗等數學方法,分析了信號頻率,電平和相位之間的關系,推導出了計算非整周期正弦波形信噪比的算法,解決了數字信號處理中非整周期正弦波形信噪比計算精度低下的問題。以C編程語言進行實驗,證明了算法的正確性和可重用性,并可極大的提高工作效率。

    標簽: 周期 信噪比 正弦 波形

    上傳時間: 2014-01-18

    上傳用戶:laomv123

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 脈沖波形的產生和整形

    脈沖波形的產生和整形:介紹矩形脈沖波形的產生和整形電路。 在脈沖整形電路中。介紹了最常用的兩類整形電路——施密特觸發器和單穩態觸發器電路。在本章的最后,討論了廣為應用的555定時器和用它構成施密特觸發器、單穩態觸發器和多諧振蕩器的方法。 7.1單穩態觸發器 單穩態觸發器的工作特性具有如下的顯著特點; 第一,它有穩態和暫穩態兩個不同的工作狀態; 第二,在外界觸發脈沖作用下,能從穩態翻轉到暫穩態,在暫穩態維持一段時間以后,再自動返問穩態; 第三,暫穩態維持時間的長短取決于電路本身的參數,與觸發脈沖的寬度和幅度無關。 由于具備這些特點。單穩態觸發器被廣泛應用于脈沖整形、延時(產生滯后于觸發脈沖的輸出脈沖)以及定時(產生固定時間寬度的脈沖信號)等。 7.1.1脈沖波形的主要參數     獲取矩形脈沖波形的途徑不外乎有兩種:一種是利用各種形式的多諧振蕩器電路直接產生所需要的矩形脈沖,另一種則是通過各種整形電路把已有的周期性變化波形變換為符合要求的矩形脈沖。當然,在采用整形的方法獲取矩形脈沖時,是以能夠找到頻率和幅度都符合要求的一種已有電壓信號為前提的。     在同步時序電路中,作為時鐘信號的矩形脈沖控制和協調著整個系統的工作。因此,時鐘脈沖的特性直接關系到系統能否正常地工作。為了定量描述矩形脈沖的特性,通常給出圖7-1  中所標注的幾個主要參數。這些參數是: 脈沖周期  ——周期性重復的脈沖序列中,兩個相鄰脈沖之間的時間間隔。有時也使用頻率 表示單位時間內脈沖重復的次數。

    標簽: 脈沖波形

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:gai928943

  • 一種DDS任意波形發生器的ROM優化方法

    提出了一種改進的基于直接頻率合成技術(DDS)的任意波形發生器在現場可編程門陣列(FPGA)上的實現方法。首先將三角波、正弦波、方波和升/降鋸齒波的波形數據寫入片外存儲器,當調用時再將相應的數據移入FPGA的片上RAM,取代分區塊的將所有類型波形數據同時存儲在片上RAM中的傳統方法;再利用正弦波和三角波的波形在4個象限的對稱性以及鋸齒波的線性特性,通過硬件反相器對波形數據和尋址地址值進行處理,實現了以1/4的數據量還原出精度不變的模擬信號,從而將整體的存儲量減小為原始設計方案的5%。經驗證,這種改進方法正確可行,能夠大大降低開發成本。

    標簽: DDS ROM 任意波形發生器

    上傳時間: 2013-12-25

    上傳用戶:日光微瀾

  • PCB LAYOUT設計規范手冊

      PCB Layout Rule Rev1.70, 規範內容如附件所示, 其中分為:   (1) ”PCB LAYOUT 基本規範”:為R&D Layout時必須遵守的事項, 否則SMT,DIP,裁板時無法生產.   (2) “錫偷LAYOUT RULE建議規範”: 加適合的錫偷可降低短路及錫球.   (3) “PCB LAYOUT 建議規範”:為製造單位為提高量產良率,建議R&D在design階段即加入PCB Layout.   (4) ”零件選用建議規範”: Connector零件在未來應用逐漸廣泛, 又是SMT生產時是偏移及置件不良的主因,故製造希望R&D及採購在購買異形零件時能顧慮製造的需求, 提高自動置件的比例.

    標簽: LAYOUT PCB 設計規范

    上傳時間: 2013-10-28

    上傳用戶:zhtzht

  • 華碩內部的PCB基本規范

    PCB LAYOUT 基本規範項次 項目 備註1 一般PCB 過板方向定義:􀀹 PCB 在SMT 生產方向為短邊過迴焊爐(Reflow), PCB 長邊為SMT 輸送帶夾持邊.􀀹 PCB 在DIP 生產方向為I/O Port 朝前過波焊爐(Wave Solder), PCB 與I/O 垂直的兩邊為DIP 輸送帶夾持邊.1.1 金手指過板方向定義:􀀹 SMT: 金手指邊與SMT 輸送帶夾持邊垂直.􀀹 DIP: 金手指邊與DIP 輸送帶夾持邊一致.2 􀀹 SMD 零件文字框外緣距SMT 輸送帶夾持邊L1 需≧150 mil.􀀹 SMD 及DIP 零件文字框外緣距板邊L2 需≧100 mil.3 PCB I/O port 板邊的螺絲孔(精靈孔)PAD 至PCB 板邊, 不得有SMD 或DIP 零件(如右圖黃色區).PAD

    標簽: PCB 華碩

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:jokey075

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 艾默生開關電源基礎

    艾默生開關電源基礎

    標簽: 開關電源

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:sjy1991

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