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汽車轉(zhuǎn)向燈

  • FPGA向SRAM中寫入數據

    FPGA向SRAM中寫入數據，VHDL編程

    標簽： FPGA SRAM 數據

    上傳時間： 2013-08-28

    上傳用戶：zhliu007

  • 使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    標簽： 128 FlashRom 8051 KB

    上傳時間： 2013-08-30

    上傳用戶：cainaifa

  • 自己現在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設置下載模式

    標簽： CPLD 244 74 HC

    上傳時間： 2013-08-31

    上傳用戶：dancnc

  • cpld的入門交流：CPLD的跑馬燈一個簡易型cpld試驗電路用VHDL語言

    cpld的入門交流：CPLD的跑馬燈一個簡易型cpld試驗電路用VHDL語言遍的

    標簽： cpld CPLD VHDL 交流

    上傳時間： 2013-09-06

    上傳用戶：blacklee

  • <快學易用Protel99se>\r\n

    \r\n經典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版

    標簽： Protel 99 se

    上傳時間： 2013-09-11

    上傳用戶：Yukiseop

  • Protel99se SDK

    Protel99se SDK\r\n\r\nProtel向用戶提供SDK軟件包。SDK軟件包包括：服務器生成向導和Protel API及相關文檔資料。\r\n\r\n 服務器生成向導是一個運行于設計資源管理器的插入式服務器，它為用戶生成第三方EDA軟件模板的原代碼和安裝文件（.INS文件），安裝文件用于將用戶開發的第三方EDA軟件安裝在設計資源管理器平臺上。服務器生成向導可以為用戶生成兩種格式的原代碼：Delphi和C++ Builder。\r\n\r\n為方便用戶開發第三方EDA軟件，Protel向用戶

    標簽： Protel SDK 99 se

    上傳時間： 2013-09-18

    上傳用戶：txfyddz

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)

    標簽： THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間： 2014-01-22

    上傳用戶：魚哥哥你好

  • 基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作

    標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計

    上傳時間： 2014-08-01

    上傳用戶：1109003457

  • CoolMos的原理、結構及制造

    對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。

    標簽： CoolMos 制造

    上傳時間： 2013-11-11

    上傳用戶：小眼睛LSL

  • 采用歸零法的N進制計數器原理

    計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能?；诩捎嫈灯鞯腘進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。

    標簽： 歸零法 N進制計數器原

    上傳時間： 2013-10-11

    上傳用戶：gtzj

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