作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的
市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術 路 線 ，其 中 結 型 柵 結 構 （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級 聯 結 構
(C asco de)的 常 關 型 器 件 已 經 逐 步 實 現 產 業 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領 域 得 到 應 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結
構 存 在 的 缺 點 ，業 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關 M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用
化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩 定 性 方 面 的 挑 戰 。
標簽：
第三代半導體
GaN
功率開關器件
上傳時間：
2021-12-08
上傳用戶：XuVshu
