從v4 開始，Code Composer Studio開始基于Eclipse，將編譯器、連接器、調試器、BIOS等工具集成進Eclipse，并且支持Linux（本人沒有玩過，詳情請參考鏈接1）。CCS支持TI所有的嵌入式處理器產品，包括MSP430、Stellaris、C2000、C5000等等。用過CCSv4.x的朋友都知道，在使用CCSv4.x的過程中經常會出現死機、速度慢，或者各種各樣奇怪的問題。CCSv5.2是當前最新的版本，速度更快，體積更小，具體的改變可參考鏈接2。
上傳時間： 2016-05-23
上傳用戶：guo12345
PS2 VGAde FPGA實驗，如何利用FPGA技術實現VGA圖拍你的先死后
上傳時間： 2016-06-13
上傳用戶：zouxue
佳佳愛就死機哦阿嬌到囧的就就都愛睡覺都i啊oijdoiadjoia覺得哦啊哦阿嬌到
上傳時間： 2017-05-20
上傳用戶：jingquan
題目：古典問題：有一對兔子，從出生后第3個月起每個月都生一對兔子，小兔子長到第三個月后每個月又生一對兔子，假如兔子都不死，問每個月的兔子總數為多少？ //這是一個菲波拉契數列問題 public class lianxi01 { public static void main(String[] args) { System.out.println("第1個月的兔子對數: 1"); System.out.println("第2個月的兔子對數: 1"); int f1 = 1, f2 = 1, f, M=24; for(int i=3; i<=M; i++) { f = f2; f2 = f1 + f2; f1 = f; System.out.println("第" + i +"個月的兔子對數: "+f2); } } } 【程序2】 題目：判斷101-200之間有多少個素數，并輸出所有素數。 程序分析：判斷素數的方法：用一個數分別去除2到sqrt(這個數)，如果能被整除， 則表明此數不是素數，反之是素數。 public class lianxi02 { public static void main(String[] args) { int count = 0; for(int i=101; i<200; i+=2) { boolean b = false; for(int j=2; j<=Math.sqrt(i); j++) { if(i % j == 0) { b = false; break; } else { b = true; } } if(b == true) {count ++;System.out.println(i );} } System.out.println( "素數個數是: " + count); } } 【程序3】 題目：打印出所有的 "水仙花數 "，所謂 "水仙花數 "是指一個三位數，其各位數字立方和等于該數本身。例如：153是一個 "水仙花數 "，因為153=1的三次方＋5的三次方＋3的三次方。 public class lianxi03 { public static void main(String[] args) { int b1, b2, b3;
上傳時間： 2017-12-24
上傳用戶：Ariza
123 俺的沙發呃盡快回復個人gas就好看對方過后就卡死的房間卡速度快解放阿會計師電話費卡時間段鳳凰拉會計師電話費拉可接受的會否二娃貨比三家的女兵李佳堅實的發
標簽： 黑白
上傳時間： 2018-01-02
上傳用戶：536707390
是否要先打開ALLEGRO? 不需要(當然你的機器須有CADENCE系統)。生成完封裝后在你的輸出目錄下就會有幾千個器件（全部生成的話）,默認輸出目錄為c:\MySym\. Level里面的Minimum, Nominal, Maximum 是什么意思？ 對應ipc7351A的ABC封裝嗎？ 是的 能否將MOST, NOMINAL, LEAST三種有差別的封裝在命名上也體現出差別？ NOMINAL 的名稱最后沒有后綴，MOST的后綴自動添加“Ｍ”，LEAST的后綴自動添加“L”，你看看生成的庫名稱就知道了。（直插件以及特別的器件，如BGA等是沒有MOST和LEAST級別的，對這類器件只有NOMINAL） IC焊盤用長方形好像比用橢圓形的好，能不能生成長方形的？ 嗯。。。。基本上應該是非直角的焊盤比矩形的焊盤好，我記不得是AMD還是NS還是AD公司專門有篇文檔討論了這個問題，如果沒有記錯的話至少有以下好處：信號質量好、更省空間（特別是緊密設計中）、更省錫量。我過去有一篇帖子有一個倒角焊盤的SKILL，用于晶振電路和高速器件（如DDR的濾波電容)，原因是對寬度比較大的矩形用橢圓焊盤也不合適，這種情況下用自定義的矩形倒角焊盤就比較好了－－－你可以從網上另外一個DDR設計的例子中看到。 當然，我已經在程序中添加了一選擇項，對一些矩形焊盤可以選擇倒角方式. 剛才試了一下，感覺器件的命名的規范性不是太好，另好像不能生成器件的DEVICE文件，我沒RUN完。。。 這個程序的命名方法基本參照IPC-7351，每個人都有自己的命名嗜好，仍是不好統一的；我是比較懶的啦，所以就盡量靠近IPC-7351了。 至于DEVICE，的選項已經添加 (這就是批量程序的好處，代碼中加一行，重新生產的上千上萬個封裝就都有新東西了)。 你的庫都是"-"的,請問用過ALLEGRO的兄弟,你們的FOOTPRINT認"-"嗎?反正我的ALLEGRO只認"_"(下劃線) 用“－”應該沒有問題的，焊盤的命名我用的是"_"（這個一直沒改動過）。 部分絲印畫在焊盤上了。 絲印的問題我早已知道，只是盡量避免開（我有個可配置的SilkGap變量）,不過工作量比較大，有些已經改過，有些還沒有；另外我沒有特別費功夫在絲印上的另一個原因是，我通常最后用AUTO-SILK的來合并相關的層，這樣既方便快捷也統一各個器件的絲印間距，用AUTO-SILK的話絲印線會自動避開SOLDER-MASK的。 點擊allegro后命令行出現E- Can't change to directory: Files\FPM，什么原因？ 我想你一定是將FPM安裝在一個含空格的目錄里面了，比如C:\Program Files\等等之類，在自定義安裝目錄的時候該目錄名不能含有空格，且存放生成的封裝的目錄名也不能含有空格。你如果用默認安裝的話應該是不會有問題的, 默認FPM安裝在C:\FPM，默認存放封裝的目錄為C:\MYSYM 0.04版用spb15.51生成時.allegro會死機.以前版本的Allegro封裝生成器用spb15.51生成時沒有死機現象 我在生成MELF類封裝的時候有過一次死機現象，估計是文件操作錯誤導致ALLEGRO死機，原因是我沒有找到在ｓｋｉｌｌ里面直接生成SHAPE焊盤的方法（FLASH和常規焊盤沒問題）, 查了下資料也沒有找到解決方法，所以只得在外部調用SCRIPT來將就一下了。（下次我再查查看），用SCRIPT的話文件訪問比較頻繁（幸好目前MELF類的器件不多）. 解決辦法： １、對MELF類器件單獨選擇生成，其它的應該可以一次生成。 ２、試試最新的版本(當前0.05) 請說明運行在哪類器件的時候ALLEGRO出錯，如果不是在MELF附近的話，請告知，謝謝。 用FPM0.04生成的封裝好像文件都比較大，比如CAPC、RES等器件，都是300多K，而自己建的或采用PCB Libraries Eval生成的封裝一般才幾十K到100K左右，不知封裝是不是包含了更多的信息？ 我的每個封裝文件包含了幾個文字層（REF,VAL,TOL,DEV,PARTNUMBER等),SILK和ASSEM也是分開的，BOND層和高度信息，還有些定位線(在DISP層）,可能這些越來越豐富的信息加大了生成文件的尺寸.你如果想看有什么內容的話，打開所有層就看見了（或REPORT） 非常感謝 LiWenHui 發現的BUG, 已經找到原因，是下面這行： axlDBChangeDesignExtents( '((-1000 -1000) (1000 1000))) 有尺寸空間開得太大，后又沒有壓縮的原因，現在生成的封裝也只有幾十K了，0.05版已經修復這個BUG了。 Allegro封裝生成器0.04生成do-27封裝不正確,生成封裝的焊盤的位號為a,c.應該是A,B或者1,2才對. 呵呵，DIODE通常管腳名為AC(A = anode, C = cathode) 也有用AK 或 12的， 極少見AB。 除了DIODE和極個別插件以及BGA外，焊盤名字以數字為主, 下次我給DIODE一個選擇項，可以選擇AC 或 12 或 AK, 至于TRANSISTER我就不去區分BCE/CBE/ECB/EBC/GDS/GSD/DSG/DGS/SGD/SDG等了，這樣會沒完沒了的，我將對TRANSISTER強制統一以數字編號了，如果用家非要改變，只得在生成庫后手工修改。
標簽： Footprint Maker 0.08 FPM skill
上傳時間： 2018-01-10
上傳用戶：digitzing
ADS1158數據手冊 TI的這款芯片用好了是高性能ad轉換器，用不好能把人折騰死。數據手冊一定要細讀。
上傳時間： 2018-09-11
上傳用戶：wzd517
有關避免進程死鎖的實驗框圖跟代碼。（銀行家算法）
標簽： 算法
上傳時間： 2019-06-17
上傳用戶：shenluoli
IG上東國際是哪個in打死ugdsuigiudsghisdghisdhgoisdhg
標簽： 不發貨復核復活
上傳時間： 2019-10-27
上傳用戶：a57882139
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
