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檢測(cè)系統(tǒng)(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計(jì)中,工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題,或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題,工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠(chǎng)商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案,但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽: MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶(hù):阿譚電器工作室

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān),裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度,因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

    標(biāo)簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶(hù):immanuel2006

  • 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例和開(kāi)關(guān)電源調(diào)試基礎(chǔ)

    開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)資料

    標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源 設(shè)計(jì)實(shí)例 調(diào)試

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

    上傳用戶(hù):李哈哈哈

  • 4x4鍵盤(pán)的設(shè)計(jì)與制作

    三種方法讀取鍵值􀂄 使用者設(shè)計(jì)行列鍵盤(pán)介面,一般常採(cǎi)用三種方法讀取鍵值。􀂉 中斷式􀂄 在鍵盤(pán)按下時(shí)產(chǎn)生一個(gè)外部中斷通知CPU,並由中斷處理程式通過(guò)不同位址讀資料線(xiàn)上的狀態(tài)判斷哪個(gè)按鍵被按下。􀂄 本實(shí)驗(yàn)採(cǎi)用中斷式實(shí)現(xiàn)使用者鍵盤(pán)介面。􀂉 掃描法􀂄 對(duì)鍵盤(pán)上的某一行送低電位,其他為高電位,然後讀取列值,若列值中有一位是低,表明該行與低電位對(duì)應(yīng)列的鍵被按下。否則掃描下一行。􀂉 反轉(zhuǎn)法􀂄 先將所有行掃描線(xiàn)輸出低電位,讀列值,若列值有一位是低表明有鍵按下;接著所有列掃描線(xiàn)輸出低電位,再讀行值。􀂄 根據(jù)讀到的值組合就可以查表得到鍵碼。4x4鍵盤(pán)按4行4列組成如圖電路結(jié)構(gòu)。按鍵按下將會(huì)使行列連成通路,這也是見(jiàn)的使用者鍵盤(pán)設(shè)計(jì)電路。 //-----------4X4鍵盤(pán)程序--------------// uchar keboard(void) { uchar xxa,yyb,i,key; if((PINC&0x0f)!=0x0f) //是否有按鍵按下 {delayms(1); //延時(shí)去抖動(dòng) if((PINC&0x0f)!=0x0f) //有按下則判斷 { xxa=~(PINC|0xf0); //0000xxxx DDRC=0x0f; PORTC=0xf0; delay_1ms(); yyb=~(PINC|0x0f); //xxxx0000 DDRC=0xf0; //復(fù)位 PORTC=0x0f; while((PINC&0x0f)!=0x0f) //按鍵是否放開(kāi) { display(data); } i=4; //計(jì)算返回碼 while(xxa!=0) { xxa=xxa>>1; i--; } if(yyb==0x80) key=i; else if(yyb==0x40) key=4+i; else if(yyb==0x20) key=8+i; else if(yyb==0x10) key=12+i; return key; //返回按下的鍵盤(pán)碼 } } else return 17; //沒(méi)有按鍵按下 }

    標(biāo)簽: 4x4 鍵盤(pán)

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶(hù):a673761058

  • NFC集成方案

    NNS-701 是專(zhuān)為移動(dòng)裝置設(shè)計(jì)的全功能NFC (Near Field Communication)控制器芯片。

    標(biāo)簽: NFC 集成 方案

    上傳時(shí)間: 2013-10-11

    上傳用戶(hù):蠢蠢66

  • PCB阻抗匹配計(jì)算工具(附教程)

    附件是一款PCB阻抗匹配計(jì)算工具,點(diǎn)擊CITS25.exe直接打開(kāi)使用,無(wú)需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計(jì)算方法,連板的排法和PCB聯(lián)板的設(shè)計(jì)驗(yàn)驗(yàn)。 PCB設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)建議:       1.一般連板長(zhǎng)寬比率為1:1~2.5:1,同時(shí)注意For FuJi Machine:a.最大進(jìn)板尺寸為:450*350mm,       2.針對(duì)有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位.     3.連板方向以同一方向?yàn)閮?yōu)先,考量對(duì)稱(chēng)防呆,特殊情況另作處理.     4.連板掏空長(zhǎng)度超過(guò)板長(zhǎng)度的1/2時(shí),需加補(bǔ)強(qiáng)邊.       5.陰陽(yáng)板的設(shè)計(jì)需作特殊考量.       6.工藝邊需根據(jù)實(shí)際需要作設(shè)計(jì)調(diào)整,軌道邊一般不少於6mm,實(shí)際中需考量板邊零件的排布,軌道設(shè)備正常卡壓距離為不少於3mm,及符合實(shí)際要求下的連板經(jīng)濟(jì)性.       7.FIDUCIAL MARK或稱(chēng)光學(xué)定位點(diǎn),一般設(shè)計(jì)在對(duì)角處,為2個(gè)或4個(gè),同時(shí)MARK點(diǎn)面需平整,無(wú)氧化,脫落現(xiàn)象;定位孔設(shè)計(jì)在板邊,為對(duì)稱(chēng)設(shè)計(jì),一般為4個(gè),直徑為3mm,公差為±0.01inch.       8.V-cut深度需根據(jù)連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°.       9.連板設(shè)計(jì)的同時(shí),需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設(shè)備>.  10.使用針孔(郵票孔)聯(lián)接:需請(qǐng)考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機(jī)上的夾具穩(wěn)定工作,還應(yīng)考慮是否有無(wú)影響插件過(guò)軌道,及是否影響裝配組裝. 

    標(biāo)簽: PCB 阻抗匹配 計(jì)算工具 教程

    上傳時(shí)間: 2014-12-31

    上傳用戶(hù):sunshine1402

  • DesignSpark PCB設(shè)計(jì)工具軟件_免費(fèi)下載

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    上傳時(shí)間: 2013-10-19

    上傳用戶(hù):小眼睛LSL

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    上傳時(shí)間: 2013-10-07

    上傳用戶(hù):a67818601

  • PCB阻抗匹配計(jì)算工具(附教程)

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    上傳時(shí)間: 2013-10-15

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  • 微電腦型RS-485顯示電表(24*48mm/48*96mm)

    微電腦型RS-485顯示電表(24*48mm/48*96mm) 特點(diǎn): 5位數(shù)RS-485顯示電表 顯示范圍-19999-99999位數(shù) 通訊協(xié)議Modbus RTU模式 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高 主要規(guī)格: 顯示范圍:-19999~99999 digit RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485通訊協(xié)議: Modbus RTU mode 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm (0.4") (MMX-RS-11X) Red high efficiency LEDs high 20.32 mm (0.8") (MMX-RS-12X) Red high efficiency LEDs high 10.16 mm (0.4")x2 (MMX-RS-22X) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/power) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標(biāo)簽: 48 mm 485 RS

    上傳時(shí)間: 2015-01-03

    上傳用戶(hù):feitian920

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