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橢圓函數(shù)

  • 分?jǐn)?shù)階微積分的若干理論及應(yīng)用

    在1974年以后,分?jǐn)?shù)階微積分有了飛速的發(fā)展.它與分?jǐn)?shù)階微分方程四無論從理論上還是應(yīng)用上都發(fā)展迅速,應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣,并且有了許多有關(guān)的專著以及論文集,并開始呈現(xiàn)出全面地推廣到常微分方程[2.1甚至泛函微分方程的層而上分?jǐn)?shù)階理論.在分?jǐn)?shù)階微積分理論的研究過程中,其優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在:1.分?jǐn)?shù)階導(dǎo)數(shù)的全局相關(guān)性很好的解決了具有局部性的整數(shù)階導(dǎo)數(shù)不能夠很好地描述出系統(tǒng)函數(shù)發(fā)展的歷史依賴過程的問題;2.分?jǐn)?shù)階導(dǎo)數(shù)僅僅是用很少的幾個(gè)參數(shù)就能獲得好的效果,克服了經(jīng)典的整數(shù)階微分模型不能很好地與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相吻合這個(gè)嚴(yán)重缺點(diǎn);3.分?jǐn)?shù)階模型在描述復(fù)雜的物理學(xué)問題時(shí),比起非線性模型,其物理意義更清晰且表達(dá)更簡練.

    標(biāo)簽: 分?jǐn)?shù)階微積分

    上傳時(shí)間: 2022-06-25

    上傳用戶:aben

  • GaN基LED材料特性研究及芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

    本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后,從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開了討論。其中材料屬性部分,介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍,然后根據(jù)實(shí)驗(yàn)分析了TEM圖片,包括GaN多量子阱,重點(diǎn)分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形,分析了他們對(duì)材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜,并解釋其光譜藍(lán)移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)部分,本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),分別是基于雙光子晶體的LED芯片,基于微球模型的LED芯片,基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論,蒙特卡羅理論及激光剝離理論,本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ),并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層,出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實(shí)現(xiàn)較好散熱效果和功率。

    標(biāo)簽: led

    上傳時(shí)間: 2022-06-25

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