ASC8511 是開關式、單節鋰電池充電管理芯片,采用峰值電流模控制的BUCK 拓撲結構，最大充電電流可達2.5A. ASC8511 通過恒壓控制環（CV）和恒流控制環（CC）來調整鋰電池充電電壓和恒流充電電流.ASC8511 集成電池過溫保護、充電時間限制、輸出短路等保護功能，通過NTC 檢測電池溫度，可以實現電池過熱保護功能，兩個LED 指示燈指示電池充電狀態.ASC8511 采用16 腳T-SSOP 封裝. 特點 ● 充電電壓精度0.5% ● 最大充電電流2.5A ● 自耗電小于5uA ● 電阻可編程調節恒流充電電流 ● 開關頻率500KHZ ● 適用于單節鋰電池充電 ● 軟啟動 ● 電池過溫保護 ● 芯片過熱保護 ● 狀態指示 ● 環境溫度范圍: -20℃～70℃ ● 16 腳T-SSOP 封裝 應用 ● 手持設備、POS機 ● MID、數碼產品 ● 移動DVD ● 筆記本、對講機
上傳時間： 2013-11-22
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特長 3相無刷電機控制用預驅動IC。采用高耐壓CMOS制程位置檢出可與3個霍爾元件或霍爾IC連接120度通電驅動ＰＷＭ控制方式（上側驅動）功率限制回路內藏電流限制回路內藏升壓動作時的初期充電控制可能。回轉數為3脈沖／360度。
上傳時間： 2013-10-26
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在工作控制和智能化儀表中，通常由微型計算機進行實時控制及實時數據處理。計算機所加工的信息總是數字量，而被控制或測量對象的有關參量往往是連續變化的模擬量，如溫度、速度、壓力等等，與此對應的電信號是模擬電信號。計算機要處理這種信號，首先必須將模擬量轉換成數字量，這一轉換過程就是“模/數轉換（A/D）”
上傳時間： 2013-10-24
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【摘要】介紹了取模機械手的各種動作，并針對機械手的各種動作及工作過程，以單片機為控制系統的核心，給出了系統的硬件、軟件設計以及抗干擾設計。
上傳時間： 2013-11-13
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摘要：文章介紹了單片機控制系統溫度“數字化”的概念，描述了溫度“數字化”與“數字處理”的—般方法的過程與系-e3Ui案，闡述了一種新穎溫度“數字化”的思路與方法并歸納了這種方法的主要特點。關鍵詞：溫度；數字化；數字處理
上傳時間： 2013-11-05
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摘要：設計了后面兩輪驅動，前輪采用萬向輪的三輪AGV。在簡要介紹其結構和考慮非完整約束基礎上．使用矩陣方法分析了AGV轉彎問題，得出柔順運動模式下的狀態空間和控制方程。同時，搭建了PC機為上位機，MC~51單片機為下位機的CA總線無線通訊系統。優化參數下的路徑跟蹤仿真和實驗證明了滑模變結構控制器和無線通訊系統的有效性。關鍵詞：非完整約束；自動導航車；CAN現場總線；滑模變結構控制
上傳時間： 2013-11-02
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文章闡述了新型單片機89C2051構成的多功能測控系統及其框圖，描述了由89C2051單片機構成的鍵盤掃描、顯示、小信號測量、模數轉換、輸出控制電路、報警電路及軟硬件結構，并簡要介紹了主要元器件性能。
上傳時間： 2013-10-28
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基于HT49的MCU控制HT93LC46的讀寫 HT93LC46EEPROM 是Holtek 制造的1K 位系列的EEPROM（電子可擦除只讀存儲器），一般它用于微控制器的固定數據的存儲。在本文中，我們將以Holtek 公司8 位微控制器HT49 系列為例，介紹該芯片常用的操作功能代碼。用戶只需把代碼加到程序中，并且在使用HT93LC46 之前將引腳CS/SK/DI/DO 連接即可。
上傳時間： 2013-11-02
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SDRAM的原理和時序 SDRAM內存模組與基本結構 我們平時看到的SDRAM都是以模組形式出現，為什么要做成這種形式呢？這首先要接觸到兩個概念：物理Bank與芯片位寬。1、 物理Bank 傳統內存系統為了保證CPU的正常工作，必須一次傳輸完CPU在一個傳輸周期內所需要的數據。而CPU在一個傳輸周期能接受的數 據容量就是CPU數據總線的位寬，單位是bit（位）。當時控制內存與CPU之間數據交換的北橋芯片也因此將內存總線的數據位寬 等同于CPU數據總線的位寬，而這個位寬就稱之為物理Bank（Physical Bank，下文簡稱P-Bank）的位寬。所以，那時的內存必須要組織成P-Bank來與CPU打交道。資格稍老的玩家應該還記 得Pentium剛上市時，需要兩條72pin的SIMM才能啟動，因為一條72pin -SIMM只能提供32bit的位寬，不能滿足Pentium的64bit數據總線的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一條內存開機。不過要強調一點，P-Bank是SDRAM及以前傳統內存家族的特有概念，RDRAM中將以通道（Channel）取代，而對 于像Intel E7500那樣的并發式多通道DDR系統，傳統的P-Bank概念也不適用。2、 芯片位寬 上文已經講到SDRAM內存系統必須要組成一個P-Bank的位寬，才能使CPU正常工作，那么這個P-Bank位寬怎么得到呢 ？這就涉及到了內存芯片的結構。 每個內存芯片也有自己的位寬，即每個傳輸周期能提供的數據量。理論上，完全可以做出一個位寬為64bit的芯片來滿足P-Ban k的需要，但這對技術的要求很高，在成本和實用性方面也都處于劣勢。所以芯片的位寬一般都較小。臺式機市場所用的SDRAM芯片 位寬最高也就是16bit，常見的則是8bit。這樣，為了組成P-Bank所需的位寬，就需要多顆芯片并聯工作。對于16bi t芯片，需要4顆（4×16bit=64bit）。對于8bit芯片，則就需要8顆了。以上就是芯片位寬、芯片數量與P-Bank的關系。P-Bank其實就是一組內存芯片的集合，這個集合的容量不限，但這個集合的 總位寬必須與CPU數據位寬相符。隨著計算機應用的發展，
上傳時間： 2013-11-04
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設計了一種基于C8051F005 單片機控制多路PZT(壓電陶瓷)的驅動電路，采用串行數據傳輸的方法，利用新型數模轉換器AD5308 具有8 通道DAC 輸出的特性，極大的簡化了電路設計，給出了硬件系統設計和軟件流程圖以及主要的軟件模塊設計。本電路主要用于自適應光學合成孔徑成像相位實時校正系統中。結果表明，該電路可以成功為12 路PZT 提供所需的驅動電壓。
上傳時間： 2013-10-19
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