用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè)，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無(wú)雜散動(dòng)態(tài) 范圍)
上傳時(shí)間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
Dongle泛指任何能插到電腦上的小型硬體，PC TV dongle則是用來(lái)在PC上觀看電視節(jié)目所用的擴(kuò)充裝置。一般來(lái)說(shuō)，依照採(cǎi)用的電視訊號(hào)規(guī)格，PC TV dongle可區(qū)分成兩大類：若使用的訊源為數(shù)位訊號(hào)，則屬於數(shù)位PC TV dongle；若使用的是類比訊號(hào)，則屬於類比PC TV dongle。全球各地皆有不同的採(cǎi)納階段，且推行的廣播標(biāo)準(zhǔn)也不盡相同。
上傳時(shí)間： 2013-12-12
上傳用戶：lifangyuan12
基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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iso u-p-o 系列直流電壓信號(hào)隔離放大器是一種將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成按比例輸出的隔離電流或電壓信號(hào)的混合集成電路。該ic內(nèi)部含有一組高隔離的dc/dc電源和電壓信號(hào)高效率耦合隔離變換電路等，可以將直流電壓小信號(hào)進(jìn)行隔離放大（u/u）輸出或直接轉(zhuǎn)換為直流電流（u /i）信號(hào)輸出。較大的輸入阻抗（≥1 mω）,較強(qiáng)的帶負(fù)載能力（電流輸出＞650ω,電壓輸出≥2kω）能實(shí)現(xiàn)小信號(hào)遠(yuǎn)程無(wú)失真的傳輸。 ic內(nèi)部可采用陶瓷基板、印刷電阻全smt的可靠工藝制作及使用新技術(shù)隔離措施，使器件能滿足信號(hào)輸入/輸出/輔助電源之間3kv三隔離和工業(yè)級(jí)寬溫度、潮濕震動(dòng)等現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境要求。外接滿度校正和零點(diǎn)校正的多圈電位器可實(shí)現(xiàn) 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信號(hào)之間的隔離和轉(zhuǎn)換。（精度線性高，隔離電壓3000vdc）
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：392210346
計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
電子發(fā)燒友網(wǎng)為大家提供了新一代高速定位模塊QD75M詳解，希望看完之后你對(duì)高速定位模塊QD75M有一個(gè)全面的認(rèn)識(shí)。
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：stvnash
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
標(biāo)簽： 單端應(yīng)用 差分 放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-23
上傳用戶：rocketrevenge
為解決ISM頻段低噪聲放大器降低失配與減小噪聲之間的矛盾,提出了一種改善放大器性能的設(shè)計(jì)方法.分析了單項(xiàng)參數(shù)的變化規(guī)律,提出了提高綜合性能的方法,給出了放大器封裝模型的電路結(jié)構(gòu).對(duì)射頻放大器SP模型和封裝模型進(jìn)行仿真.仿真結(jié)果表明,輸入和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)對(duì)放大器的性能有影響,所提出的設(shè)計(jì)方法能有效分配性能指標(biāo),為改善ISM頻段低噪聲放大器的性能提出了一種新的途徑
標(biāo)簽： ISM 頻段 低噪聲放大器 設(shè)計(jì)方法
上傳時(shí)間： 2013-11-10
上傳用戶：909000580
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