數控振蕩器的頻率控制字寄存器、相位控制字寄存器、累加器和加法器可以用VHDL語言描述，集成在一個模塊中，提供VHDL源程序供大家學習和討論。\r\n
標簽： VHDL 寄存器 數控振蕩器 加法器
上傳時間： 2013-09-04
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AD9981是首款集成自動失調功能的顯示電子器件(DEPL)。自動失調功能通過計算所需的失調設置來工作，從而在箝位期間產生給定的輸出代碼。當自動失調使能時(寄存器0x1B:5 = 1)，寄存器0x0B-0x10的設置由自動失調電路用作期望的箝位代碼(或目標代碼)，而非失調值。電路會在箝位后(但仍在“后肩”期間)輸出代碼和目標代碼作比較，然后上調或下調失調以進行補償。在自動失調模式下，目標代碼為11位二進制補碼字，并將0x0B位7用作紅色通道的符號位(0x0D位7用于綠色通道，0x0F位7用于藍色通道)。
標簽： 9981 AD 自動失調
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：glxcl
AD9880集成自動失調功能。動失調功能通過監控各ADC在箝位期間的輸出并計算所需的失調設置來工作，從而產生給定的輸出代碼。當自動失調功能使能時(寄存器0x1C:7= 1)，“目標代碼”寄存器(0x09、0x0B、0x0D)中的設置由自動失調電路用作期望的箝位代碼。電路會在箝位后(但仍在“后肩”期間)對比輸出代碼和目標代碼，然后上調或下調失調以進行補償。在自動失調模式下，失調寄存器(0x08、0x0A、0x0C)均為8位二進制補碼字格式，各對應寄存器的位7為符號位。
標簽： 9880 AD 自動失調
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：wanghui2438
AD9980集成自動失調功能。自動失調功能通過計算所需的失調設置來工作，從而在箝位期間產生給定的輸出代碼。當自動失調使能時(寄存器0x1B:5 = 1)，寄存器0x0B至0x10的設置由自動失調電路用作期望的箝位代碼(或目標代碼)，而非失調值。電路會在箝位后(但仍在后沿箝位期間)對比輸出代碼和目標代碼，然后上調或下調失調以進行補償。在自動失調模式下，目標代碼為11位二進制補碼字，并將0x0B位7用作紅色通道的符號位(0x0D位7用于綠色通道，0x0F位7用于藍色通道)。
標簽： 9980 AD 自動失調
上傳時間： 2013-10-24
上傳用戶：zl5712176
針對準確測量油氣水多相流各分相含量的問題，采用了電容層析成像技術完成油氣水多相流各分相含量測量。通過仿真分析了采用有限元分析方法的電極間的靈敏度特性，探討了測量中的"軟場"特性；結合靈敏度的分析，對單元濾波圖象重建進行了仿真對比，得到單元濾波對圖像重建有很大的改善。說明采用電容層析成像技術測量各分相含量的方案是可行的。
標簽： 油氣水 多相 仿真研究 電容層析成像
上傳時間： 2013-10-15
上傳用戶：hustfanenze
針對傳統第二代電流傳輸器（CCII）電壓跟隨不理想的問題，提出了新型第二代電流傳輸器（CCCII）并通過采用新型第二代電流傳輸器（CCCII）構成二階電流模式帶通濾波器，此濾波器只需使用2個電流傳輸器和2個電容即可完成設計。設計結構簡單，其中心頻率可由電流傳輸器的偏置電流控制。利用HSpice軟件仿真分析并驗證了理論設計的準確性和可行性。
標簽： CCCII 電流模式 二階 帶通濾波器設計
上傳時間： 2013-11-15
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介紹了廣泛應用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原件的跨導線性環特性和端口特性，以及其基本組成共源共柵電流鏡，并提出了基于共源共柵電流鏡的新型COMS電流傳輸器。在此基礎上，設計了基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路，并利用Hspice軟件進行輸入為正弦波和方波時的輸出波形的仿真驗證。
標簽： CCCII 電流模式 積分電路
上傳用戶：wtrl
各研究機構提出了像素補償電路用于改善OLED的均勻性和穩定性等問題,文中對目前采用有源OLED的α-Si TFT和p-Si TFT的各種像素補償電路進行了分析。分析結果表明,文中設計方案取得了一定的效果,但尚存不足。
標簽： AMOLED TFT 穩定性 像素
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：pioneer_lvbo
設計流程 在pcb的設計中，其實在正式布線前，還要經過很漫長的步驟，以下就是主要設計的流程： 系統規格 首先要先規劃出該電子設備的各項系統規格。包含了系統功能，成本限制，大小，運作情形等等。 系統功能區塊圖 接下來必須要制作出系統的功能方塊圖。方塊間的關系也必須要標示出來。 將系統分割幾個pcb 將系統分割數個pcb的話，不僅在尺寸上可以縮小，也可以讓系統具有升級與交換零件的能力。系統功能方塊圖就提供了我們分割的依據。像是計 算機就可以分成主機板、顯示卡、聲卡、軟盤驅動器和電源等等。 決定使用封裝方法，和各pcb的大小
標簽： PCB
上傳時間： 2013-10-11
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結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
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