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數(shù)值分析答案

  • MPEG基礎(chǔ)理論和協(xié)議分析指南

    MPEG基礎(chǔ)理論和協(xié)議分析指南

    標(biāo)簽: MPEG 協(xié)議分析

    上傳時(shí)間: 2013-04-15

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  • 基于MATLAB的系統(tǒng)分析與設(shè)計(jì)-時(shí)頻分析-250頁(yè)-6.4M.rar

    專輯類----可編程邏輯器件相關(guān)專輯 基于MATLAB的系統(tǒng)分析與設(shè)計(jì)-時(shí)頻分析-250頁(yè)-6.4M.rar

    標(biāo)簽: MATLAB 250 6.4

    上傳時(shí)間: 2013-08-04

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  • 模擬電路的計(jì)算機(jī)分析與設(shè)計(jì)——Pspice程序應(yīng)用-96頁(yè)-3.0M.rar

    專輯類----可編程邏輯器件相關(guān)專輯 模擬電路的計(jì)算機(jī)分析與設(shè)計(jì)——Pspice程序應(yīng)用-96頁(yè)-3.0M.rar

    標(biāo)簽: Pspice 3.0 96

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

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  • 傳感器電路分析與設(shè)計(jì)-255頁(yè)-3.2M.rar

    專輯類----傳感器專輯 傳感器電路分析與設(shè)計(jì)-255頁(yè)-3.2M.rar

    標(biāo)簽: 255 3.2 傳感器

    上傳時(shí)間: 2013-07-10

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  • 51指令系統(tǒng)分析.rar

    專輯類----單片機(jī)專輯 51指令系統(tǒng)分析.rar

    標(biāo)簽: 指令系統(tǒng)分析

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  • ARM處理器啟動(dòng)代碼的分析與編程.rar

    ARM處理器 啟動(dòng) 代碼的 分析與編程

    標(biāo)簽: ARM 處理器 啟動(dòng)代碼

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  • 電子元器件抗ESD技術(shù)講義.rar

    電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識(shí) 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點(diǎn) 5 1.2 對(duì)靜電認(rèn)識(shí)的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢(shì) 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式(MM) 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對(duì)電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國(guó)內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對(duì)電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點(diǎn) 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器(消電器、電中和器或離子平衡器) 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運(yùn)送和存儲(chǔ)工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測(cè) 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作 第3章 抗靜電檢測(cè)及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測(cè)的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度(ESDS)檢測(cè)及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法的主要內(nèi)容(以MIL-STD-883E 方法3015.7為例) 3.4 實(shí)際ESD檢測(cè)的結(jié)果統(tǒng)計(jì)及分析 3.4.1 試驗(yàn)條件 3.4.2 ESD評(píng)價(jià)試驗(yàn)結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測(cè)中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I-V特性檢測(cè) 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對(duì)器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計(jì)技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.2抗場(chǎng)感應(yīng)ESD失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對(duì)抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計(jì)策略 4.4.1 設(shè)計(jì)保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計(jì)的輔助工具-TLP測(cè)試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計(jì)方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理

    標(biāo)簽: ESD 電子元器件 講義

    上傳時(shí)間: 2013-07-13

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  • 機(jī)械系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)分析及-ADAMS-應(yīng)用教程-447頁(yè)-25.3M.pdf

    專輯類-PCB及CAD相關(guān)資料專輯-174冊(cè)-3.19G 機(jī)械系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)分析及-ADAMS-應(yīng)用教程-447頁(yè)-25.3M.pdf

    標(biāo)簽: ADAMS 25.3 447

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

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  • 電子元器件失效分析技術(shù)與案例-31頁(yè)-1.3M.pdf

    專輯類-電子工藝-質(zhì)量及可靠性相關(guān)專輯-80冊(cè)-9020M 電子元器件失效分析技術(shù)與案例-31頁(yè)-1.3M.pdf

    標(biāo)簽: 1.3 31 電子元器件

    上傳時(shí)間: 2013-07-28

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  • 電子元器件可靠性和失效分析-共40篇-172頁(yè)-4.0M.pdf

    專輯類-電子工藝-質(zhì)量及可靠性相關(guān)專輯-80冊(cè)-9020M 電子元器件可靠性和失效分析-共40篇-172頁(yè)-4.0M.pdf

    標(biāo)簽: 172 4.0 電子元器件

    上傳時(shí)間: 2013-06-21

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