結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
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帶數(shù)碼管顯示的 移動電源原理圖
標(biāo)簽： 移動電源 原理圖 數(shù)碼管
上傳時間： 2013-10-21
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這里僅討論電容及電感值的選取。種類的選取,則需要更多的工程實踐,更多的RF電路的經(jīng)驗,這里不再討論。從理論上講,隔直電容、旁路電容的容量應(yīng)滿足。顯然,在任何角頻率下,這在工程上是作不到的。電容量究竟取多大是合理的呢？圖1-5(a),(b)給出了隔直電容(多數(shù)情況下,這個電容又稱為耦合電容)和旁路電容的使用簡化
標(biāo)簽： 旁路電容 扼流 電感
上傳時間： 2013-11-12
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通俗易懂的介紹MOS管和使用方法
標(biāo)簽： MOS N溝道
上傳時間： 2014-08-23
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開關(guān)電源，電機(jī)驅(qū)動用MOS管：2SK2843
標(biāo)簽： 2843 MOS 2SK SK
上傳時間： 2013-10-27
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SCR三相調(diào)壓觸發(fā)電路已有不少設(shè)計與應(yīng)用，文中提出了一種簡化的基于STM32的調(diào)壓觸發(fā)電路設(shè)計方案，并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計。該設(shè)計主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性，只用三組觸發(fā)信號就可以達(dá)到控制六只晶閘管導(dǎo)通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個高性能定時器及周邊AD接口，完成了高精度觸發(fā)信號發(fā)生、PID控制調(diào)壓等功能。通過實驗表明該系統(tǒng)簡便可靠，達(dá)到了設(shè)計要求。
標(biāo)簽： STM 32 晶閘管 三相調(diào)壓電路
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多路輸出開關(guān)電源交叉調(diào)整率
標(biāo)簽： 多路輸出 交叉調(diào)整率 開關(guān)電源
上傳時間： 2013-10-31
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高可用性電信繫統(tǒng)采用冗餘電源或電池供電來增強(qiáng)繫統(tǒng)的可靠性。人們通常采用分立二極管來把這些電源組合於負(fù)載點處
標(biāo)簽： MOSFET 二極管 減 發(fā)熱
上傳時間： 2013-10-29
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光電二極管可分為兩類：具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管
標(biāo)簽： 光電二極管 低躁聲放大器
上傳時間： 2013-11-21
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LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩(wěn)壓器，采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關(guān)控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內(nèi)，因此只需少量的外部元件。
標(biāo)簽： uModule DCDC 16A 雙通道
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