·[一些機(jī)器人方面的PDF].Introduction.to.Robotics,.Mechanics.and.Control.JOHN.J.CRAIG
標(biāo)簽: Introduction Mechanics Robotics Control
上傳時(shí)間: 2013-06-08
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J:\HY-SRF05超聲波模塊(全部資料) 內(nèi)有51,pic測(cè)距程序,顯示程序1602,12864,等還有模塊原理圖等
上傳時(shí)間: 2013-07-03
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J-LINK驅(qū)動(dòng)程序arm v4.10b,需要的下載用用吧。
標(biāo)簽: J-LINK 4.10 arm 驅(qū)動(dòng)程序
上傳時(shí)間: 2013-04-24
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protel99se元件名系表
上傳時(shí)間: 2013-10-08
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PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:?jiǎn)?、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間: 2013-10-22
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諸如電信設(shè)備、存儲(chǔ)模塊、光學(xué)繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復(fù)雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個(gè)電壓軌的數(shù)字 IC,這些電壓軌必須以一個(gè)特定的順序進(jìn)行啟動(dòng)和停機(jī)操作,否則 IC 就會(huì)遭到損壞。
上傳時(shí)間: 2014-12-24
上傳用戶:packlj
電路板裝配、PCB 布局和數(shù)字 IC 集成的進(jìn)步造就了新一代的高密度安裝、高性能繫統(tǒng)。
上傳時(shí)間: 2013-10-17
上傳用戶:RQB123
許多電信和計(jì)算應(yīng)用都需要一個(gè)能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇,該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出,並提供 2A 至 20A 的負(fù)載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。
上傳時(shí)間: 2013-12-30
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經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間: 2014-09-08
上傳用戶:swing
透過增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí),還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應(yīng)力越小,電源效率也就越高。
上傳時(shí)間: 2013-11-11
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