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數(shù)字電容表

  • C Sourcr cdoe 採用AD7714 電能表數據和計量脈沖輸出

    C Sourcr cdoe 採用AD7714 電能表數據和計量脈沖輸出,進行測量、計量,滿足電網配變監測計量的需要

    標簽: Sourcr 7714 cdoe AD

    上傳時間: 2013-12-19

    上傳用戶:330402686

  • NCC 電容壽命計算

    探討電容可以使用的壽命,以便cost down

    標簽: 電容元件

    上傳時間: 2015-06-28

    上傳用戶:任金霞2018

  • 功能特點 根據指定字段將Excel表導入到數據庫中

    功能特點 根據指定字段將Excel表導入到數據庫中,未提供字段類型驗證 動態顯示連接對話框,自動保存為INI 動態打開數據庫連接 能保存字段對應表

    標簽: Excel 字段 數據庫

    上傳時間: 2015-12-26

    上傳用戶:fandeshun

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時,還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應力越小,電源效率也就越高。

    標簽: 輸入電容 電流

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:jelenecheung

  • HT45F23 ADC 功能應用實例

    具備處理外部模擬信號功能是很多電子設備的基本要求。為了將模擬信號轉換為數字信 號,就需要藉助A/D 轉換器。將A/D 功能和MCU 整合在一起,就可減少電路的元件數量和 電路板的空間使用。 HT45F23 微控制器內建6 通道,12 位解析度的A/D 轉換器。在本應用說明中,將介紹如何 使用HT45F23 微控制器的A/D 功能。

    標簽: 45F F23 ADC HT

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:nostopper

  • 我的查表算法思路是這樣的 : 1、構造N個二維數組(N=你需要輸入的最大頻率值位數

    我的查表算法思路是這樣的 : 1、構造N個二維數組(N=你需要輸入的最大頻率值位數,例如你需要精確到10HZ,最高30MHZ,那么就有10M位、1M位、100K位、10K位、1K位、100HZ位、10HZ位,共7位,所以N=7)。 2、根據你所用的芯片型號,和晶振頻率,計算出每個頻率位0-9時的控制字。 3、使用時,把你頻率的每一位控制字,查表讀出,并相加(特別需要注意進位也需要處理)。 4、把加出的4字節控制字,送DDS。

    標簽: 算法 二維 數組 最大頻率

    上傳時間: 2015-12-21

    上傳用戶:zjf3110

  • 一篇來自臺灣中華大學的論文--《無線射頻系統標簽晶片設計》

    一篇來自臺灣中華大學的論文--《無線射頻系統標簽晶片設計》,彩色版。其摘要為:本論文討論使用於無線射頻辨識系統(RFID)之標籤晶片系統的電路設計和晶片製作,初步設計標籤晶片的基本功能,設計流程包含數位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類比電路的設計與晶片電路的佈局考量。 論文的第一部份是序論、射頻辨識系統的規劃、辨識系統的規格介紹及制定,而第二部份是標籤晶片設計、晶片量測、結論。 電路的初步設計功能為:使用電容作頻率緩衝的Schmitt trigger Clock、CRC-16的錯誤偵測編碼、Manchester編碼及使用單一電路做到整流、振盪及調變的功能,最後完成晶片的實作。

    標簽: 大學 論文 無線射頻

    上傳時間: 2016-08-27

    上傳用戶:tb_6877751

  • 面向小面積和大面積光電二極管的低躁聲放大器

    光電二極管可分為兩類:具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管

    標簽: 光電二極管 低躁聲放大器

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:firstbyte

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關,裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度,因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。

    標簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

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