針對準(zhǔn)確測量油氣水多相流各分相含量的問題，采用了電容層析成像技術(shù)完成油氣水多相流各分相含量測量。通過仿真分析了采用有限元分析方法的電極間的靈敏度特性，探討了測量中的"軟場"特性；結(jié)合靈敏度的分析，對單元濾波圖象重建進行了仿真對比，得到單元濾波對圖像重建有很大的改善。說明采用電容層析成像技術(shù)測量各分相含量的方案是可行的。
標(biāo)簽： 油氣水 多相 仿真研究 電容層析成像
上傳時間： 2013-10-15
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針對傳統(tǒng)第二代電流傳輸器（CCII）電壓跟隨不理想的問題，提出了新型第二代電流傳輸器（CCCII）并通過采用新型第二代電流傳輸器（CCCII）構(gòu)成二階電流模式帶通濾波器，此濾波器只需使用2個電流傳輸器和2個電容即可完成設(shè)計。設(shè)計結(jié)構(gòu)簡單，其中心頻率可由電流傳輸器的偏置電流控制。利用HSpice軟件仿真分析并驗證了理論設(shè)計的準(zhǔn)確性和可行性。
標(biāo)簽： CCCII 電流模式 二階 帶通濾波器設(shè)計
上傳時間： 2013-11-15
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介紹了廣泛應(yīng)用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原件的跨導(dǎo)線性環(huán)特性和端口特性，以及其基本組成共源共柵電流鏡，并提出了基于共源共柵電流鏡的新型COMS電流傳輸器。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計了基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路，并利用Hspice軟件進行輸入為正弦波和方波時的輸出波形的仿真驗證。
標(biāo)簽： CCCII 電流模式 積分電路
上傳時間： 2013-10-22
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各研究機構(gòu)提出了像素補償電路用于改善OLED的均勻性和穩(wěn)定性等問題,文中對目前采用有源OLED的α-Si TFT和p-Si TFT的各種像素補償電路進行了分析。分析結(jié)果表明,文中設(shè)計方案取得了一定的效果,但尚存不足。
標(biāo)簽： AMOLED TFT 穩(wěn)定性 像素
上傳時間： 2013-11-21
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結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應(yīng)用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標(biāo)簽： MOSFET 開關(guān)電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
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諸如電信設(shè)備、存儲模塊、光學(xué)繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復(fù)雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個電壓軌的數(shù)字 IC，這些電壓軌必須以一個特定的順序進行啟動和停機操作，否則 IC 就會遭到損壞。
標(biāo)簽： 電源排序 防止
上傳時間： 2014-12-24
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電路板裝配、PCB 布局和數(shù)字 IC 集成的進步造就了新一代的高密度安裝、高性能繫統(tǒng)。
標(biāo)簽： DCDC 10A 性能 微型模塊
上傳時間： 2013-10-17
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峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計
標(biāo)簽： DCDC 峰值電流 單片式 變換器
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五種PWM反饋控制模式研究
標(biāo)簽： PWM 反饋控制 模式
上傳時間： 2013-10-14
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結(jié)構(gòu)電流模式與電壓模式的比較 中文
標(biāo)簽： 電流模式 電壓模式 比較
上傳時間： 2013-11-16
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