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上傳時(shí)間： 2013-05-27
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Protel99se格式的SIM卡座的推拉式和抽屜式的兩種封裝
上傳時(shí)間： 2013-05-17
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利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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觸發(fā)器是時(shí)序邏輯電路的基本構(gòu)成單元，按功能不同可分為 RS 觸發(fā)器、 JK 觸發(fā)器、 D 觸發(fā)器及 T 觸發(fā)器四種，其功能的描述可以使用功能真值表、激勵(lì)表、狀態(tài)圖及特性方程。只要增加門電路便可以實(shí)現(xiàn)不同功能觸發(fā)器的相互轉(zhuǎn)換，例如要將 D 觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為 JK 觸發(fā)器，轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵是推導(dǎo)出 D 觸發(fā)器的輸入端 D 與 JK 觸發(fā)器的輸入端J 、 K 及狀態(tài)輸出端 Qn 的邏輯表達(dá)式，然后用門電路去實(shí)現(xiàn)該邏輯表達(dá)式。具體的設(shè)計(jì)方法有公式法和圖表法兩種。
上傳時(shí)間： 2014-12-23
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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諸如電信設(shè)備、存儲(chǔ)模塊、光學(xué)繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復(fù)雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個(gè)電壓軌的數(shù)字 IC，這些電壓軌必須以一個(gè)特定的順序進(jìn)行啟動(dòng)和停機(jī)操作，否則 IC 就會(huì)遭到損壞。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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LTC®4223 是一款符合微通信計(jì)算架構(gòu) (MicroTCA) 規(guī)範(fàn)電源要求的雙通道熱插拔 (Hot Swap™) 控制器，該規(guī)範(fàn)於近期得到了 PCI 工業(yè)計(jì)算機(jī)制造商組織 (PICMG) 的批準(zhǔn)。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：我累個(gè)乖乖
摘要：介紹了一套以89C52單片機(jī)為核心，聯(lián)合編碼器和推拉電磁鐵實(shí)現(xiàn)探測頭自動(dòng)更換的系統(tǒng)。以超聲波作為檢測信號(hào)源，采用探測頭與探測頭夾具配合以適應(yīng)不同直徑的回轉(zhuǎn)體工件的檢測要求，同時(shí)解決了傳統(tǒng)檢測控制系統(tǒng)中探測頭更換與高精度定位的矛盾。
上傳時(shí)間： 2013-12-24
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Microchip 公司是 The Embedded Control Solutions Company® （嵌入式控制系統(tǒng)解決方案公 司） ，其產(chǎn)品主要滿足嵌入式控制市場的需求。我們是以下產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商： • 8 位通用單片機(jī)(PICmicro® 單片機(jī)) • 專用和標(biāo)準(zhǔn)的非易失性存儲(chǔ)器件 • 安防器件 (KEELOQ®) • 專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品 欲獲得您所感興趣的產(chǎn)品列表，請(qǐng)申請(qǐng)一份Microchip產(chǎn)品線目錄。該文獻(xiàn)可從各地的Microchip 銷售辦事處獲得，或者直接從Microchip的網(wǎng)站上下載。 以往，8位單片機(jī)的用戶只選擇傳統(tǒng)的MCU類型，即ROM器件，用于生產(chǎn)。Microchip率先改變 了這種傳統(tǒng)觀念，向人們展示了 OTP（一次性編程）器件比 ROM 器件在其壽命周期內(nèi)具有更低 的產(chǎn)品成本。 Microchip具備EPROM技術(shù)優(yōu)勢(shì)， 從而使EPROM成為PICmicro 單片機(jī)程序存儲(chǔ)器的不二選擇。 Microchip 盡可能地縮小了EPROM 和ROM 存儲(chǔ)器技術(shù)之間的成本差距，并使顧客從中受益。其 他MCU供應(yīng)商無法作到這一點(diǎn)，這從他們的 EPROM 和 ROM 版本之間的價(jià)格差異便可以看出。 Microchip的8位單片機(jī)市場份額的增長證明了PICmicro® 單片機(jī)能夠滿足大多數(shù)人的需要。 這也 使 PICmicro 單片機(jī)架構(gòu)成為了當(dāng)今通用市場上應(yīng)用最廣泛的三大體系之一。Microchip 的低成本 OTP解決方案所帶來的效益是這一增長的助推劑。用戶能夠從以下各方面受益： • 快速的產(chǎn)品上市時(shí)間 • 允許生產(chǎn)過程中對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行代碼修改 • 無需掩膜產(chǎn)品所需的一次性工程費(fèi)用(NRE) • 能夠輕松為產(chǎn)品進(jìn)行連續(xù)編號(hào) • 無需額外增加硬件即可存儲(chǔ)校準(zhǔn)數(shù)據(jù) • 可最大限度地增加PICmicro® 單片機(jī)的庫存 • 由于在開發(fā)和生產(chǎn)中使用同一器件，從而降低了風(fēng)險(xiǎn) Microchip 的 8 位 PICmicro單片機(jī)具備很好的性價(jià)比，可成為任何傳統(tǒng)的 8 位應(yīng)用和某些 4 位應(yīng) 用(低檔系列)、專用邏輯的替代品以及低端DSP應(yīng)用(高檔系列)的選擇。這些特點(diǎn)及其良好的 性價(jià)比使PICmicro單片機(jī)在大多數(shù)應(yīng)用場合極具吸引力。
標(biāo)簽： PICmicro 單片機(jī) 參考手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-10-30
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當(dāng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)需要的不是控制量的絕對(duì)值，而是控制量的增量（例如去驅(qū)動(dòng) 步進(jìn)電動(dòng)機(jī)）時(shí)，需要用PID的“增量算法”。 增量式PID控制算法可以通過（2-4）式推導(dǎo)出。由(2-4)可以得到控制器 的第k-1個(gè)采樣時(shí)刻的輸出值為：
標(biāo)簽： PID 51單片機(jī) 增量式 控制算法
上傳時(shí)間： 2013-10-11
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