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推挽正激電路

  • 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)資料.rar

    第一章 開(kāi)關(guān)電源的基本工作原理 1-1.幾種基本類型的開(kāi)關(guān)電源 1-2.串聯(lián)式開(kāi)關(guān)電源 1-2-1.串聯(lián)式開(kāi)關(guān)電源的工作原理 1-2-2.串聯(lián)式開(kāi)關(guān)電源輸出電壓濾波電路 1-2-3.串聯(lián)式開(kāi)關(guān)電源儲(chǔ)能濾波電感的計(jì)算 1-2-4.串聯(lián)式開(kāi)關(guān)電源儲(chǔ)能濾波電容的計(jì)算 1-3.反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開(kāi)關(guān)電源 1-3-1.反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開(kāi)關(guān)電源的工作原理 1-3-2.反轉(zhuǎn)式串聯(lián)開(kāi)關(guān)電源儲(chǔ)能電感的計(jì)算 1-4-1.并聯(lián)式開(kāi)關(guān)電源的工作原理 1-4-2.并聯(lián)式開(kāi)關(guān)電源輸出電壓濾波電路 1-4-3.并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源儲(chǔ)能電感的計(jì)算 1-4-4.并聯(lián)式開(kāi)關(guān)電源儲(chǔ)能濾波電容的計(jì)算 1-5.單激式變壓器開(kāi)關(guān)電源 1-5-1.單激式變壓器開(kāi)關(guān)電源的工作原理 1-6-1.正激式變壓器開(kāi)關(guān)電源工作原理 1-6.正激式變壓器開(kāi)關(guān)電源 1-6-2.正激式變壓器開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn) 1-6-3.正激式變壓器開(kāi)關(guān)電源電路參數(shù)的計(jì)算 1-7.反激式變壓器開(kāi)關(guān)電源 1-7-1.反激式變壓器開(kāi)關(guān)電源工作原理 1-7-2.開(kāi)關(guān)電源電路的過(guò)渡過(guò)程 1-7-3.反激式變壓器開(kāi)關(guān)電源電路參數(shù)計(jì)算 1-7-4.反激式變壓器開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn) 1-8.雙激式變壓器開(kāi)關(guān)電源 1-8-1.推挽式變壓器開(kāi)關(guān)電源的工作原理 1-8-2.半橋式變壓器開(kāi)關(guān)電源

    標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源 設(shè)計(jì)資料

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:damozhi

  • 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)參考資料

    開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)實(shí)例指南,OCP電路,反激式、正激式、推挽式、半橋式、全橋式開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn),

    標(biāo)簽: 開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì) 參考資料

    上傳時(shí)間: 2018-04-03

    上傳用戶:yuwei664

  • 19張經(jīng)典單端 推膽機(jī) 挽電子管300B 電路圖

    19張經(jīng)典 單端 推挽 膽機(jī) 電路圖  DIY愛(ài)好者來(lái)

    標(biāo)簽: 電子管 膽機(jī)

    上傳時(shí)間: 2022-06-16

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  • 蓄電池組分布式單體充電器研究.rar

    蓄電池組已越來(lái)越廣泛地應(yīng)用于交通運(yùn)輸、電力、通信等諸多領(lǐng)域和部門(mén),其壽命直接關(guān)系到能源的有效利用以及相應(yīng)系統(tǒng)的整體壽命、可靠性和成本。本課題從提高電池壽命的角度研究串聯(lián)蓄電池組的充電問(wèn)題,基于前人使用磁放大器作后級(jí)調(diào)整的基礎(chǔ)上,提出了一種新穎的基于開(kāi)關(guān)管MOSFET后級(jí)調(diào)整和高頻母線的蓄電池組分布式單體充電方法。所有二次側(cè)電路通過(guò)高頻母線的形式共用一個(gè)一次側(cè)電路;在兼顧效率、體積和成本的前提下有效的解決了串聯(lián)蓄電池組的充電不均衡問(wèn)題。 論文對(duì)采用雙管正激拓?fù)涞母哳l母線產(chǎn)生電路的設(shè)計(jì)給出了說(shuō)明;同時(shí)也介紹了幾種后級(jí)調(diào)整方法及各自優(yōu)缺點(diǎn)。針對(duì)后級(jí)調(diào)整中的同步問(wèn)題,提出了幾種產(chǎn)生同步鋸齒波的解決方案。最后利用同步脈沖產(chǎn)生電路,采用最常見(jiàn)的UC3843芯片,產(chǎn)生穩(wěn)定可靠的同步鋸齒波,實(shí)現(xiàn)后級(jí)調(diào)整開(kāi)關(guān)動(dòng)作與母線方波電壓的同步。并且針對(duì)多路后級(jí)調(diào)整場(chǎng)合下,采取措施減小了母線電壓毛刺,同時(shí)也改善了電流采樣波形。 論文設(shè)計(jì)了一套單體3500mAh、3.7V鋰離子電池組的單體獨(dú)立充電器,以雙管正激電路為原邊電路作為主模塊,次級(jí)是以MOSFET作后級(jí)調(diào)整電路實(shí)現(xiàn)充電功能作為充電電路模塊。試驗(yàn)中采用了四個(gè)充電電路模塊,同時(shí)對(duì)四個(gè)鋰離子電池單體分別獨(dú)立充電。充電電路模塊中,通過(guò)控制MOFET開(kāi)關(guān),可實(shí)現(xiàn)鋰電池的恒流、恒壓充電和滿充切斷,充電電壓和充電電流可精確控制在1%以內(nèi)。該充電電路并能顯示電池充電狀態(tài),并在單體充電電路間傳遞充電狀態(tài)信號(hào),最后反饋給母線電路以控制母線電壓輸出的開(kāi)通與關(guān)斷。特別指出的是該電路的過(guò)放電檢測(cè)功能,是直接利用電池自身電壓來(lái)檢測(cè)得出電池自身是否處于過(guò)放電狀態(tài)判定信號(hào),并在充電模塊間傳遞,最后得出蓄電池組過(guò)放電判定信號(hào)。整機(jī)有較低的待機(jī)功耗,并均使用了低成本器件,進(jìn)一步降低了成本。 論文給出了詳細(xì)的設(shè)計(jì)過(guò)程,最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)將該方案與串聯(lián)充電方案比較,驗(yàn)證了該充電方案的可靠性與優(yōu)越性。

    標(biāo)簽: 蓄電池組 分布式 充電器

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

    上傳用戶:木末花開(kāi)

  • 高速低壓低功耗CMOSBiCMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì).rar

    近年來(lái),以電池作為電源的微電子產(chǎn)品得到廣泛使用,因而迫切要求采用低電源電壓的模擬電路來(lái)降低功耗。目前低電壓、低功耗的模擬電路設(shè)計(jì)技術(shù)正成為微電子行業(yè)研究的熱點(diǎn)之一。 在模擬集成電路中,運(yùn)算放大器是最基本的電路,所以設(shè)計(jì)低電壓、低功耗的運(yùn)算放大器非常必要。在實(shí)現(xiàn)低電壓、低功耗設(shè)計(jì)的過(guò)程中,必須考慮電路的主要性能指標(biāo)。由于電源電壓的降低會(huì)影響電路的性能,所以只實(shí)現(xiàn)低壓、低功耗的目標(biāo)而不實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的性能(如高速)是不大妥當(dāng)?shù)摹?論文對(duì)國(guó)內(nèi)外的低電壓、低功耗模擬電路的設(shè)計(jì)方法做了廣泛的調(diào)查研究,分析了這些方法的工作原理和各自的優(yōu)缺點(diǎn),在吸收這些成果的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一個(gè)3.3 V低功耗、高速、軌對(duì)軌的CMOS/BiCMOS運(yùn)算放大器。在設(shè)計(jì)輸入級(jí)時(shí),選擇了兩級(jí)直接共源一共柵輸入級(jí)結(jié)構(gòu);為穩(wěn)定運(yùn)放輸出共模電壓,設(shè)計(jì)了共模負(fù)反饋電路,并進(jìn)行了共模回路補(bǔ)償;在偏置電路設(shè)計(jì)中,電流鏡負(fù)載并不采用傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)共源-共柵結(jié)構(gòu),而是采用適合在低壓工況下的低壓、寬擺幅共源-共柵結(jié)構(gòu);為了提高效率,在設(shè)計(jì)時(shí)采用了推挽共源極放大器作為輸出級(jí),輸出電壓擺幅基本上達(dá)到了軌對(duì)軌;并采用帶有調(diào)零電阻的密勒補(bǔ)償技術(shù)對(duì)運(yùn)放進(jìn)行頻率補(bǔ)償。 采用標(biāo)準(zhǔn)的上華科技CSMC 0.6μpm CMOS工藝參數(shù),對(duì)整個(gè)運(yùn)放電路進(jìn)行了設(shè)計(jì),并通過(guò)了HSPICE軟件進(jìn)行了仿真。結(jié)果表明,當(dāng)接有5 pF負(fù)載電容和20 kΩ負(fù)載電阻時(shí),所設(shè)計(jì)的CMOS運(yùn)放的靜態(tài)功耗只有9.6 mW,時(shí)延為16.8ns,開(kāi)環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別達(dá)到82.78 dB,52.8 MHz和76°,而所設(shè)計(jì)的BiCMOS運(yùn)放的靜態(tài)功耗達(dá)到10.2 mW,時(shí)延為12.7 ns,開(kāi)環(huán)增益、單位增益帶寬和相位裕度分別為83.3 dB、75 MHz以及63°,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。

    標(biāo)簽: CMOSBiCMOS 低壓 低功耗

    上傳時(shí)間: 2013-06-29

    上傳用戶:saharawalker

  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫(xiě)名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2013-11-04

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  • LVDS技術(shù): 低電壓差分訊號(hào)(LVDS)在對(duì)訊號(hào)完整性、低抖動(dòng)及共模特性要求較高的系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。本文針對(duì)LVDS與其他幾種介面標(biāo)準(zhǔn)之間的連接

    LVDS技術(shù): 低電壓差分訊號(hào)(LVDS)在對(duì)訊號(hào)完整性、低抖動(dòng)及共模特性要求較高的系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。本文針對(duì)LVDS與其他幾種介面標(biāo)準(zhǔn)之間的連接,對(duì)幾種典型的LVDS介面電路進(jìn)行了討論

    標(biāo)簽: LVDS 差分 系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2014-01-13

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  • 運(yùn)算放大器

    理想的放大器 目前,廠商在線性IC研發(fā)上都有重大的突破。使IC型運(yùn)算放大器的特性和理想相當(dāng)接近。尤其在低頻操作下,OP Amp電路的工作情形實(shí)在太像一個(gè)理想放大器,幾乎與理論的推測(cè)完全相符。→理想的放大器該具備什麼特性?

    標(biāo)簽: 算放大器原理

    上傳時(shí)間: 2016-07-16

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  • 電子設(shè)計(jì)資源

    電機(jī)驅(qū)動(dòng)交流輸入50W隔離反激電源,伺服驅(qū)動(dòng)器主電源可將高電壓交流輸入(110V 到 690V)或直流鏈路電壓轉(zhuǎn)換為單個(gè)隔離式24V直流,正激、反激式、雙端開(kāi)關(guān)電源高頻變壓器設(shè)計(jì)詳解

    標(biāo)簽: 電子設(shè)計(jì) 資源

    上傳時(shí)間: 2018-04-05

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