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抑制

  • 一種具有噪聲抑制功能的紅外圖像銳化算法

    一種具有噪聲抑制功能的紅外圖像銳化算法,對于研究圖像銳化的同行有較大幫助。

    標簽: 噪聲抑制 紅外 圖像銳化算法

    上傳時間: 2017-01-06

    上傳用戶:haoguoming1

  • 王兆安_諧波抑制與無功功率補償(第二版).pdf

    王兆安_諧波抑制與無功功率補償(第二版).pdf 

    標簽: 諧波抑制 無功功率補償

    上傳時間: 2017-04-10

    上傳用戶:15005935263

  • 諧波抑制和無功補償

    諧波抑制和無功補償,掃描版電子書,適合電力電子專業

    標簽: 諧波抑制 無功補償

    上傳時間: 2018-03-14

    上傳用戶:weigee2000

  • 諧波抑制與無功功率補償

    諧波抑制與無功功率補償

    標簽: 諧波抑制 無功功率補償

    上傳時間: 2020-06-08

    上傳用戶:zxcvbaaac

  • 一種無運放的高電源抑制比基準電壓源設計

    一種無運放的高電源抑制比基準電壓源設計

    標簽: 電源抑制

    上傳時間: 2021-10-17

    上傳用戶:kingwide

  • 電視干擾與抑制方法

    電視干擾與抑制方法

    標簽: 電視干擾

    上傳時間: 2022-01-23

    上傳用戶:jiabin

  • 電子系統中的噪聲抑制與衰減技術(無亂碼版)

    本書包括電路中噪聲抑制技術實踐應用的方方面面。涵蓋了兩種基本的噪聲控制方法:屏蔽和接地;介紹了其他一些噪聲抑制技術:如電路平衡、去禍、濾波等;還介紹了電纜布線、無源器件、觸點保護、本征噪聲源、有源器件的噪聲等方面的內容;同時還介紹了數字電路與靜電放電的噪聲和輻射方面的問題。本書適合于從事電子設備或系統設計的工程師使用,也可作為實用噪聲抑制技術的教材。此書網上可下載的都有亂碼 本身對此全部糾正極大方便了閱讀 

    標簽: 噪聲抑制 噪聲消除 噪聲控制

    上傳時間: 2022-02-16

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  • 從3G-5G小區間干擾抑制技術綜述

    從3G-5G小區間干擾抑制技術綜述一、概述: 干擾,泛指一切進入信道或通信系統對合法信號的正常工作造成了影響非期 望信號。移動通信系統的干擾是影響無線網絡掉話率、接通率等系統指標的重要 因素之一。它嚴重影響了網絡的正常運行和用戶的通話質量。 1.1、干擾的分類: (1)、從頻段上可分為上行干擾與下行干擾。上行干擾定義為干擾信號在移 動網絡上行段,基站受外界射頻干擾源干擾。上行干擾的后果是造成基站覆蓋率 的降低。物理上看,在無上行干擾的情況下,基站能夠接收較遠處手機信號。當上 行干擾出現時,期望的手機信號需強于干擾信號,基站才能與手機聯絡,因此手機 必須離基站更近,因此造成了基站覆蓋率的降低。下行干擾是指干擾源所發干擾 信號在移動網絡下行頻段,手機接收到干擾信號,無法區分正常基站信號,使手機 與基站聯絡中斷,造成掉話或無法登記。由于基站下行信號通常較強,對 GSM 來說, 當某一下行頻點被干擾時,手機能夠選擇次強頻點,與其他基站聯絡。而 CDMA 本 身即自擾系統,因此上行干擾的危害比下行干擾更嚴重。

    標簽: 3g 綜述 區間 干擾 抑制 5g

    上傳時間: 2022-02-25

    上傳用戶:kingwide

  • MOSFET開關過程的研究及米勒平臺振蕩的抑制

    設計功率MOSFET驅動電路時需重點考慮寄生參數對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項重要參數,在驅動電路的設計時需要重點關注。重點觀察了MOSFET的開通和關斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺附近產生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSFET的驅動設計具有一定的指導意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.

    標簽: mosfet

    上傳時間: 2022-04-02

    上傳用戶:默默

  • 村田噪聲抑制基礎教程

    本文檔是村田噪聲抑制基礎教程電子書歡迎免費下載

    標簽: 噪聲抑制

    上傳時間: 2022-05-12

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