在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
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設(shè)計高速電路必須考慮高速訊 號所引發(fā)的電磁干擾、阻抗匹配及串音等效應(yīng)，所以訊號完整性 (signal integrity)將是考量設(shè)計電路優(yōu)劣的一項重要指標，電路日異複雜必須仰賴可 靠的軟體來幫忙分析這些複雜的效應(yīng)，才比較可能獲得高品質(zhì)且可靠的設(shè)計， 因此熟悉軟體的使用也將是重要的研究項目之一。另外了解高速訊號所引發(fā)之 各種效應(yīng)(反射、振鈴、干擾、地彈及串音等)及其克服方法也是研究高速電路 設(shè)計的重點之一。目前高速示波器的功能越來越多，使用上很複雜，必須事先 進修學(xué)習，否則無法全盤了解儀器之功能，因而無法有效發(fā)揮儀器的量測功能。 其次就是高速訊號量測與介面的一些測試規(guī)範也必須熟悉，像眼圖分析，探針 效應(yīng)，抖動(jitter)測量規(guī)範及高速串列介面量測規(guī)範等實務(wù)技術(shù)，必須充分 了解研究學(xué)習，進而才可設(shè)計出優(yōu)良之教學(xué)教材及教具。
標簽： 高速電路
上傳時間： 2021-11-02
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標簽： Linux uclinux linux Make
上傳時間： 2013-12-20
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上傳時間： 2015-08-04
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上傳時間： 2013-12-17
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上傳時間： 2013-12-08
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SMD貼片三極管代碼識別寶典
標簽： SMD 貼片三極管 代碼 識別
上傳時間： 2013-04-15
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LabVIEW寶典 .part2
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標簽： LabVIEW 寶典
上傳時間： 2013-05-19
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